TOSHIBA/东芝
TK13A45D
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
1（V）
1（V）
1（μS）
1（pF）
企业名：上海琼创电子科技有限公司
类型：经销商
电话：
联系人：顾丽晴
地址：上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
| 属性 | 值 | 条件 |
| 部件型号 | TK13A45D | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 450 V | |
| 漏电流ID | 13 A | |
| 漏功耗PD | 45 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 25 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.46 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
| RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
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