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IGBT

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    FNA41560B2

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装:

    SPM27

  • 批号:

    21+

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • Pd-功率耗散:

    41 W

  • 型号/规格:

    STGWA40M120DF3

  • 品牌/商标:

    ST

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 批号:

    最新

  • 型号/规格:

    FF150R17KE4

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 封装:

    IGBT

  • 批号:

    21+

  • IGBT模块:

    Magnetic Coupling

  • 型号/规格:

    IRGB4062DPBF

  • 品牌/商标:

    Infineon

  • 封装:

    TO220

  • 批号:

    21+

  • 型号/规格:

    FZ800R12KE3

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 封装:

    MODULE

  • 批号:

    最新

  • 产品种类:

    IGBT 模块

  • 型号/规格:

    AIKQ120N60CTXKSA1

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • IGBT 类型:

    沟槽型场

  • 电压最大值:

    600V

  • IF最大值:

    160A

  • I Cpuls最大值:

    480A

  • 型号/规格:

    IKW75N65EH5

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-247-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特性:

    大功率

  • 额定功率:

    395 W

  • 型号/规格:

    LTV-3120S-TA1

  • 品牌/商标:

    LITEON光宝

  • 生产日期:

    2022+

  • 存储温度:

    -55℃~+125℃

  • 运行工作温度:

    -40℃~+100℃

  • 结缘电压隔离电源:

    5000V

  • PCB板焊接温度:

    260℃

  • 型号/规格:

    1MBI300N-120

  • 品牌/商标:

    富士

  • 封装:

    国际封装

  • 批号:

    new

  • 名称:

    可控硅

  • 型号/规格:

    FF200R33KF2C

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    STD-700-1.0-44

  • 品牌/商标:

    EACO

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 产品主要用途:

    精密电子仪器仪表

  • 引出线类型:

    轴向引线型

  • 特征:

    长方型

  • 型号/规格:

    FF300R12KT4

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 1:

    FF300R12KT4

  • 2:

    FF450R12KT4

  • 3:

    英飞凌

  • 4:

    IGBT

  • 型号/规格:

    TLP350

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA

  • 封装:

    DIP8-SOP8

  • 批号:

    22+

  • 数量:

    30000

  • 品牌:

    CZKRON,其他

  • 型号:

    SKM400GAR123D

  • 控制方式:

    逆导

  • 极数:

    三极

  • 封装材料:

    塑料封装

  • 封装外形:

    平底形

  • 关断速度:

    高频(快速)

  • 散热功能:

    不带散热片

  • 型号/规格:

    6MBI150VX-120-80

  • 品牌/商标:

    富士

  • 环保类别:

    普通型

  • 批号:

    21+

  • 封装:

    Tube

  • 包装:

    原盒包装

  • 产地:

    日本

  • 型号/规格:

    FF300R12KT3

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 批号:

    21+

  • 封装:

    tube

  • 包装:

    原盒包装

  • 产地:

    德国

  • 型号/规格:

    FZ3600R17HE4P

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 电压:

    1700V

  • 电流:

    3600A

  • 产地:

    德国

  • 开启电压:

    +15V

  • 型号/规格:

    UCC27524DGNR

  • 品牌/商标:

    TI/德州仪器

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 1:

    1

  • 2:

    2

  • 3:

    3

  • 4:

    4

  • 型号/规格:

    FS820R08A6P2B

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    750 V

  • 集电极—射极饱和电压::

    1.1 V

  • 在25 C的连续集电极电流::

    450 A

  • 栅极—射极漏泄电流::

    400 nA

  • Pd-功率耗散::

    714 W

IGBT行业资讯

什么是IGBT?

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
  • IGBT

IGBT技术资料

  • 保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏

    摘要 功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意。从统计的角度来看,单个MOSFET不太可能被静电放电(ESD)损坏。然而,在处理成千上万个MOSFET时,极小的故障都可能带来极大的影响。 一个有效的ESD防控方案必定是详尽...

  • 采用光耦驱动芯片实现IGBT驱动电路的应用方案

    光耦驱动芯片HCPL-316J是Agilent公司[编者注:2014年8月更名为keysight(是德)公司]生产的栅极驱动电路产品之一,可用于驱动150A/1200V的IGBT,开关速度为0.5s,有过流检测和欠电压封锁输出。当过电流发生时,能输出故障信号(供保护用),并使IGBT软关断...

  • IGBT门极驱动到底要不要负压

    先说结论,如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说,很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。 IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看...

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