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IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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FNA41560B2 600V-15A三相IGBT逆变桥
FNA41560B2 600V-15A三相IGBT逆变桥
  • 型号/规格：

    FNA41560B2

  • 品牌/商标：

    ON(安森美)

  • 封装：

    SPM27

  • 批号：

    21+

  • 最小工作温度：

    - 40 C

  • 最大工作温度：

    + 150 C

  • Pd-功率耗散：

    41 W

STGWA40M120DF3晶体管IGBT
STGWA40M120DF3晶体管IGBT
  • 型号/规格：

    STGWA40M120DF3

  • 品牌/商标：

    ST

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 批号：

    最新

晶体管IGBT模块FF150R17KE4原装现货
晶体管IGBT模块FF150R17KE4原装现货
  • 型号/规格：

    FF150R17KE4

  • 品牌/商标：

    INFINEON

  • 封装：

    IGBT

  • 批号：

    21+

  • IGBT模块：

    Magnetic Coupling

IRGB4062DPBF IGBT管/模块 TO220
IRGB4062DPBF IGBT管/模块 TO220
  • 型号/规格：

    IRGB4062DPBF

  • 品牌/商标：

    Infineon

  • 封装：

    TO220

  • 批号：

    21+

FZ800R12KE3功率IGBT模块
FZ800R12KE3功率IGBT模块
  • 型号/规格：

    FZ800R12KE3

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 封装：

    MODULE

  • 批号：

    最新

  • 产品种类：

    IGBT 模块

车规级IGBT-AIKQ120N60CTXKSA1
车规级IGBT-AIKQ120N60CTXKSA1
  • 型号/规格：

    AIKQ120N60CTXKSA1

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • IGBT 类型：

    沟槽型场

  • 电压最大值：

    600V

  • IF最大值：

    160A

  • I Cpuls最大值：

    480A

IKW75N65EH5晶体管IGBT管/模块
IKW75N65EH5晶体管IGBT管/模块
  • 型号/规格：

    IKW75N65EH5

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特性：

    大功率

  • 额定功率：

    395 W

LTV-3120S-TA1 贴片IGBT栅极驱动光电耦合器
LTV-3120S-TA1 贴片IGBT栅极驱动光电耦合器
  • 型号/规格：

    LTV-3120S-TA1

  • 品牌/商标：

    LITEON光宝

  • 生产日期：

    2022+

  • 存储温度：

    -55℃~+125℃

  • 运行工作温度：

    -40℃~+100℃

  • 结缘电压隔离电源：

    5000V

  • PCB板焊接温度：

    260℃

全新富士IGBT模块1MBI400N-120 1MBI300N-120
全新富士IGBT模块1MBI400N-120 1MBI300N-120
  • 型号/规格：

    1MBI300N-120

  • 品牌/商标：

    富士

  • 封装：

    国际封装

  • 批号：

    new

  • 名称：

    可控硅

英飞凌IGBT模块 infineon IGBT 英飞凌模块 FF200R33KF2C 现货
英飞凌IGBT模块 infineon IGBT 英飞凌模块 FF200R33KF2C 现货
  • 型号/规格：

    FF200R33KF2C

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

无感薄膜电容EACO阻容吸收IGBT保护引线 STD-700-1.0-44
无感薄膜电容EACO阻容吸收IGBT保护引线 STD-700-1.0-44
  • 型号/规格：

    STD-700-1.0-44

  • 品牌/商标：

    EACO

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 产品主要用途：

    精密电子仪器仪表

  • 引出线类型：

    轴向引线型

  • 特征：

    长方型

IGBT模块FF300R12KT4 FF450R12KT4
IGBT模块FF300R12KT4 FF450R12KT4
  • 型号/规格：

    FF300R12KT4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 1：

    FF300R12KT4

  • 2：

    FF450R12KT4

  • 3：

    英飞凌

  • 4：

    IGBT

广泛应用的东芝IGBT门驱动光电耦合器TLP350
广泛应用的东芝IGBT门驱动光电耦合器TLP350
  • 型号/规格：

    TLP350

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA

  • 封装：

    DIP8-SOP8

  • 批号：

    22+

  • 数量：

    30000

全新原装IGBT模块,现货直销SKM400GAR123D
全新原装IGBT模块,现货直销SKM400GAR123D
  • 品牌：

    CZKRON,其他

  • 型号：

    SKM400GAR123D

  • 控制方式：

    逆导

  • 极数：

    三极

  • 封装材料：

    塑料封装

  • 封装外形：

    平底形

  • 关断速度：

    高频(快速)

  • 散热功能：

    不带散热片

富士IGBT模块6MBI150VX-120-80 6MBI180VB-120-50 6MBI180VB-120-55全新原装现货
富士IGBT模块6MBI150VX-120-80 6MBI180VB-120-50 6MBI180VB-120-55全新原装现货
  • 型号/规格：

    6MBI150VX-120-80

  • 品牌/商标：

    富士

  • 环保类别：

    普通型

  • 批号：

    21+

  • 封装：

    Tube

  • 包装：

    原盒包装

  • 产地：

    日本

英飞凌IGBT功率模块FF300R12KT3全新原装现货
英飞凌IGBT功率模块FF300R12KT3全新原装现货
  • 型号/规格：

    FF300R12KT3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 批号：

    21+

  • 封装：

    tube

  • 包装：

    原盒包装

  • 产地：

    德国

英飞凌西门子IGBT模块FZ3600R17HE4P
英飞凌西门子IGBT模块FZ3600R17HE4P
  • 型号/规格：

    FZ3600R17HE4P

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 电压：

    1700V

  • 电流：

    3600A

  • 产地：

    德国

  • 开启电压：

    +15V

UCC27524DGNR 隔离式栅极驱动器 MOSFET及IGBT门驱动器 TI/德州仪器
UCC27524DGNR 隔离式栅极驱动器 MOSFET及IGBT门驱动器 TI/德州仪器
  • 型号/规格：

    UCC27524DGNR

  • 品牌/商标：

    TI/德州仪器

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 1：

    1

  • 2：

    2

  • 3：

    3

  • 4：

    4

车规级IGBT模块
车规级IGBT模块
  • 型号/规格：

    FS820R08A6P2B

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：

    750 V

  • 集电极—射极饱和电压:：

    1.1 V

  • 在25 C的连续集电极电流:：

    450 A

  • 栅极—射极漏泄电流:：

    400 nA

  • Pd-功率耗散:：

    714 W

IGBT行业资讯

什么是IGBT?

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

  • 目录

    IGBT

IGBT技术资料

  • 保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏

    摘要 功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。 一个有效的ESD防控方案必定是详尽...

  • 采用光耦驱动芯片实现IGBT驱动电路的应用方案

    光耦驱动芯片HCPL-316J是Agilent公司［编者注：2014年8月更名为keysight（是德）公司］生产的栅极驱动电路产品之一，可用于驱动150A/1200V的IGBT，开关速度为0.5s，有过流检测和欠电压封锁输出。当过电流发生时，能输出故障信号（供保护用），并使IGBT软关断...

  • IGBT门极驱动到底要不要负压

    先说结论，如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说，很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。 IGBT是一个受门极电压控制开关的器件，只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看...

IGBT相关产品

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