STGB18N40LZT4
ST(意法半导体)
TO-263
无铅环保型
SMD/SMT
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10000
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PSS15SF6-AG15
MITSUBISHI(三菱)
无铅环保型
MODULE
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手机:15820417925
FGY75T95LQDT
ON(安森美)
TO-247-2
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
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手机:15013410235
FNA41560B2
ON(安森美)
SPM27
21+
- 40 C
+ 150 C
41 W
电话:0755-83264115
手机:15889758566
M57962
Powerex Inc
类别 集成电路 (IC) 家庭 PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列 - 配置 - 输入类型 非反相 延迟时间 1.0µs 电流 - 峰 5A 配置数 1 输出数 1 高端电压 - (自引导启动) 1200V 电源电压 14 V ~ 1...
电话:0755-82568894
手机:18789759805
IKQ75N120CH3
得捷芯片
TO-247
20+
电话:0755-82535261
手机:13380394549
SKM400GM17E4
SEMIKRON(西门康)
无铅环保型
240
原装
深圳
18+
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手机:13560766703
SGT40N60FD3PF
Silan/士兰微
TO-3PF
22+
中国
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手机:
IKW40N120H3
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC
新年份
电话:17722609183
手机:17722609183
96843LPAB_090901-R6
中兴
无铅环保型
电话:0755-83605789
手机:13428979109
ST/意法
STGP14NC60KD
TO-220
17+
NPN
.5V @ 15V,7A
50A
34.4nC
电话:15817467967
手机:15817467967
10-F106NIA150SA-M136F
Vincotech
无铅环保型
600V
150A
电话:0755-83262205
手机:13480978628
BSM50GAL120DN2
INFINEON(英飞凌)
无铅环保型
盒装
电话:18665364505
手机:18665364505
FF200R33KF2C
INFINEON(英飞凌)
无铅环保型
38 mm
140 mm
73 mm
2.2 kW
电话:0755-22968359
手机:13530907567
MGP15N40CL
ON(安森美)
无铅环保型
ON Semiconductor
IGBT 晶体管
TO-220-3
Single
电话:0755-22929859
手机:13530907567
GD100HFU120C1S
STARPOWER
普通型
电话:18681503129
手机:18681503129
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench I...
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数十分出色,例如,...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输,MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定:电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。 IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行,在其...