FM
FM4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
N-FET硅N沟道
企业名:上海灵扬电子有限公司
类型:经销商
电话:
联系人:黄子灵
地址:上海中国 上海市闵行区 虹梅南路986号掘金大厦503室
∟ MOSFET(1)
4N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性,如*快的开关速度,*低栅电荷,*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源,DC/DC转换器,PWM马达控制和桥式驱动电路等。
特征
· 4A,600V, RDS(on)=2.5Ω@Vgs=10V;
· *低栅电荷,典型15nC;
·*低反向转换电容;典型8pF
· 快速开关能力;
· 增强的dV/di能力;
· 100%雪崩击穿测试;
· 封装型式:TO-220/TO-220F
· *大结温 150 ℃
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司