英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列

类别：新品快报　出处：网络整理　发布于：2024-05-29 09:40:30 | 261 次阅读

　　英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。
　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌近宣布的 PSU 路线图的补充。

　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器电机控制、工业和辅助电源 (SMPS) 以及住宅建筑的固态断路器。

　　AI Server PSU 的 AC/DC 级采用多级 PFC 实现，功率密度可达到 100 W/in以上，效率可达 99.5%。与使用 650 V SiC MOSFET 的解决方案相比，效率提高了 0.3 个百分点。
　　通过在 DC/DC 级实施 CoolGaN 晶体管，AI 服务器 PSU 的系统解决方案得以完成。
　　通过这种 MOSFET 和晶体管的组合，电源可以提供超过 8 kW 的功率，与当前解决方案相比，功率密度提高了 3 倍以上。
　　新的 MOSFET 产品组合总共包括 10 种产品：五种 R DS(on)类别，范围从 11 至 45 mΩ，采用开尔文源 TOLL 和 D?PAK-7 封装以及 .XT 封装互连技术。
　　T vj = 25°C时漏源击穿电压为 400 V ，使其适合用于 2 级和 3 级转换器以及同步整流。
　　这些组件经过 100% 雪崩测试。CoolSiC 技术与 .XT 互连技术相结合，使设备能够应对 AI 处理器功率需求突然变化引起的功率峰值和瞬变。
　　连接技术和较低且正的 R DS(on)温度系数均可在结温较高的工作条件下保持性能。

关键词： MOSFET系列

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