ROHM(总部位于日本京都市)宣布,其首款适用于 600V 级高耐压 GaN HEMT 驱动的隔离型栅极
驱动器 IC “BM6GD11BFJ - LB” 开始量产。该产品的推出,为电机和
服务器电源等大电流应用的发展带来了新的契机。
在当今全球能源消耗不断攀升的背景下,节能成为了世界各国共同关注的焦点。“电机” 和 “
电源” 消耗的电量约占全球总用电量的 97%,因此,采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料制造的新一代功率器件,成为改善 “电机” 和 “电源” 效率的关键。ROHM 凭借在硅半导体和 SiC 隔离型栅极驱动器 IC 开发过程中积累的技术优势,成功开发出这款专为 GaN 器件驱动优化的隔离型栅极驱动器 IC。
这款新产品具有诸多显著优势。它采用了 ROHM 自主开发的片上隔离技术,有效降低了寄生电容,实现了高达 2MHz 的高频驱动。充分发挥 GaN 器件的高速
开关特性,不仅能让应用产品更加节能、性能更高,还能助力外围
元器件小型化,削减安装面积。其共模瞬态抗扰度(CMTI)达到 150V/ns(纳秒),是以往产品的 1.5 倍,可有效防止 GaN HEMT 开关时因高转换速率引发的误动作,确保系统稳定控制。脉冲宽度较以往产品缩减 33%,导通时间缩短至仅 65ns,在高频情况下仍能确保占空比,将损耗控制在更低水平。此外,该产品的栅极驱动电压范围为 4.5V~6.0V,绝缘耐压为 2500Vrms,能充分激发各种高耐压 GaN 器件的性能潜力。