ROHM 首款高耐压 GaN 隔离型栅极驱动器 IC 投入量产

类别：新品快报　出处：网络整理　发布于：2025-05-29 11:39:04 | 3037 次阅读

　　ROHM（总部位于日本京都市）宣布，其首款适用于 600V 级高耐压 GaN HEMT 驱动的隔离型栅极驱动器 IC “BM6GD11BFJ - LB” 开始量产。该产品的推出，为电机和服务器电源等大电流应用的发展带来了新的契机。
　　在当今全球能源消耗不断攀升的背景下，节能成为了世界各国共同关注的焦点。“电机” 和 “电源” 消耗的电量约占全球总用电量的 97%，因此，采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料制造的新一代功率器件，成为改善 “电机” 和 “电源” 效率的关键。ROHM 凭借在硅半导体和 SiC 隔离型栅极驱动器 IC 开发过程中积累的技术优势，成功开发出这款专为 GaN 器件驱动优化的隔离型栅极驱动器 IC。
　　这款新产品具有诸多显著优势。它采用了 ROHM 自主开发的片上隔离技术，有效降低了寄生电容，实现了高达 2MHz 的高频驱动。充分发挥 GaN 器件的高速开关特性，不仅能让应用产品更加节能、性能更高，还能助力外围元器件小型化，削减安装面积。其共模瞬态抗扰度（CMTI）达到 150V/ns（纳秒），是以往产品的 1.5 倍，可有效防止 GaN HEMT 开关时因高转换速率引发的误动作，确保系统稳定控制。脉冲宽度较以往产品缩减 33%，导通时间缩短至仅 65ns，在高频情况下仍能确保占空比，将损耗控制在更低水平。此外，该产品的栅极驱动电压范围为 4.5V～6.0V，绝缘耐压为 2500Vrms，能充分激发各种高耐压 GaN 器件的性能潜力。

关键词：ROHM

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