ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET,助力快速充电应用

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2025-05-16 10:57:44 | 2348 次阅读

  ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐压共源Nch MOSFET1新产品“AW2K21”,其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm,导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.),达到业界先进水平。

  新产品采用ROHM自有结构,不仅提高器件集成度,还降低单位芯片面积的导通电阻。另外,通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计,仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。
  新产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面,并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例,从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗,还有助于支持大电流,使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。例如,对小型设备的双向供电电路进行比较后发现,使用普通产品需要2枚3.3mm×3.3mm的产品,而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可,器件面积可减少约81%,导通电阻可降低约33%。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比,新产品的导通电阻也降低了约50%。因此,这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。
  另外,新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用,在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。
关键词:MOSFET

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