摩根大通发布的内存市场研究报告显示，HBM（高带宽内存）市场供需紧张的局面将持续至 2027 年。在供需紧张、技术迭代与 AI 需求的共同作用下，该市场规模还将不断扩大，HBM 正推动 DRAM（动态随机存取存储器）行业进入一个为期 5 年的上行周期。 从市场供需情况来看，今年 HBM 市场短缺状况仍将持续，2026 - 2027 年供应过剩情况会逐步缓解，渠道库存预计增加 1 - 2 周，处于健康水平。其中，HBM4 供应量在 2026 年预计将大幅提升，占比达 30%；到 2027 年，HBM4 与 HBM4E 合计将占总供应量的超 70%。当前，三星 HBM 延迟，同时英伟达 Rubin GPU 带来强劲需求增长，这是导致供需紧张的主要原因。
随着 HBM 向未来几代产品 HBM4E/HBM5 迭代，市场规模有望实现显著增长。预计 2026 年市场规模将同比增长超 70%，占 DRAM 市场规模的 45%；到 2027 年，Vera Rubin GPU 将成为主要增长动力。
在需求端，2024 - 2027 年，ASIC、英伟达、AMD 复合年增长率将超 50%，其中英伟达在 2025 - 2027 年占比超 60%，预计将主导整体需求增长。在 ASIC 领域，谷歌 TPU 预计将成为主要驱动力，到 2027 年，其在 ASIC 总需求中的占比超 50%。 值得注意的是，主权 AI 需求正成为市场的关键新变量。各国为保障数据主权与安全，竞相打造国家人工智能基础设施。例如，沙特计划投资 100 亿美元采购 1.8 万颗英伟达 Blackwell GPU，韩国推出 100 万亿韩元主权 AI 计划以确保 5 万颗 GPU，英国、法国等国也在推进 AI 算力基础设施建设。这种需求从超大规模云服务提供商向主权市场扩散，进一步强化了 HBM 的增长逻辑。
在产品定价方面，由于逻辑芯片成本和目标毛利率不同，HBM4 定价会有所差异。考虑到更高的芯片损耗，摩根大通预计 HBM4 较 HBM3E12Hi 会有 30 - 40% 的价格溢价，以此弥补成本。 内存制造商的 HBM4 产品策略存在差异，除了规格升级以及主流封装方案不同外，逻辑芯片采购策略是关键差异化点。它们正针对关键客户，通过不同策略平衡成本与收益。据估算，4nm 逻辑芯片晶圆成本约 13 - 14k 美元 / 片，12nm 约 9 - 10k 美元 / 片，每个逻辑芯片成本 100 - 140 美元，单颗 Rubin GPU 系统成本 1000 - 1400 美元。
从市场竞争格局来看，由于三星的 HBM 延迟，摩根大通预计其在 HBM 市场的份额将下滑。而美光正在中国台湾和新加坡积极扩大产能，在 2027 年前，这部分份额大概率会被美光抢占。美光 2025 财年第三财季业绩显示，其 HBM 营收环比增长 50%，季度营收运行率达 15 亿美元。此外，预计在 8 月所在财季，美光的 12Hi 产品将实现 bit crossover，这可能在短期内支撑其相较于三星更高的营收 - 产能转化趋势。 SK 海力士由于有效产能建设速度慢于三星和美光，摩根大通预测其营收份额会小幅下降，美光的市场份额增幅将超过同行。不过，在 HBM4 第六代产品方面，SK 海力士的市场份额仍将保持领先，达到 60% 或更高。HBM4 bit crossover 预计在 2026 年第四财季实现，而 HBM3E12Hi bit 在 2025 年第二财季，且 Rubin GPU 需求增加可能带来额外利好。
从行业发展趋势来看，2024 - 2030 年，HBM 在 DRAM 营收中的占比将大幅提升，2024 年占 19%，2030 年预计占比 56%。2025 - 2030 年 DRAM 均价（ASP）复合年增长率为 3%，高于历史周期，主要由 HBM 销售占比提升驱动。三大厂商 DRAM 资本开支持续增长，2025 年侧重基础设施建设，2026 年后设备开支随产能加速上升。
