Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供...
时间：2026/1/28 阅读：68 关键词：Littelfuse
Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，...
时间：2026/1/27 阅读：87 关键词：Infineon
三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品
三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车...
分类：新品快报 时间：2026/1/14 阅读：36928
英飞凌CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件
CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关...
分类：新品快报 时间：2026/1/5 阅读：54450
X-FAB XbloX平台加速可扩展、高性能碳化硅 MOSFET解决方案上市进程
当前，汽车、工业、能源及数据中心等领域正积极开展下一代碳化硅功率 MOSFET 的设计与开发，对于无晶圆厂开发者而言，此时与能缩短产品上市时间的代工厂合作，无疑是最佳时机。 XbloX 宽禁带（WBG）半导体分立器件代工模式所采用的标...
分类：新品快报 时间：2025/12/5 阅读：109032
ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保...
时间：2025/12/2 阅读：155 关键词：ROHM
英飞凌新品采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK? 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC? MOSFET技术，集成NTC温度传感器，采用大电流PressFIT引脚，并预涂2.0代导热界面材料。 产品型号...
分类：新品快报 时间：2025/11/25 阅读：18719
Toshiba-东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式...
时间：2025/11/13 阅读：163 关键词：Toshiba
Infineon-英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布扩展其CoolSiC650 V G2系列MOSFET产品组合，新增75 mΩ规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装...
时间：2025/11/5 阅读：119 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌扩展其CoolSiC 产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为44...
时间：2025/11/4 阅读：106 关键词：Infineon
阈值电压Vth（ThresholdVoltage）是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）最核心的电气参数之一，直接决定器件的导通与截止状态，其参数特性直接影响驱动电路设计、开关速度、功耗控制及系统可靠性。在实际选型与电路设计中，工程师...
基础电子 时间：2026/1/30 阅读：43
MOSFET作为功率电子电路的核心器件，选型直接决定系统效率、可靠性与成本控制。但在实际设计中，工程师常因对参数理解偏差、场景评估不足、忽视协同匹配等问题陷入选型误区，最终导致器件过热烧毁、效率低下、系统故障等隐患。本文梳理工...
基础电子 时间：2026/1/28 阅读：117
MOSFET是电机驱动电路的核心功率器件，承担电流控制与能量转换的关键作用，其选型直接决定电机运行效率、响应速度、可靠性及驱动电路稳定性。电机驱动场景存在启动电流大、负载波动剧烈、续流应力突出等特点，与普通电源场景选型逻辑差异...
基础电子 时间：2026/1/27 阅读：158
低压大电流MOSFET（通常指耐压≤60V、漏极电流≥50A）是电机驱动、开关电源、储能系统、车载电子等场景的核心功率器件，其选型直接决定电路效率、散热压力、可靠性及成本控制。与高压小电流MOSFET不同，低压大电流场景下，导通损耗、散热...
基础电子 时间：2026/1/26 阅读：131
MOSFET的导通与关断状态由栅极电压精准控制，栅极需获得足够电压以驱动沟道形成，确保器件稳定工作。实际电路设计中，栅极电压不足是常见故障诱因，多源于驱动电路设计不当、电压跌落、参数匹配失误等，会引发器件性能劣化、电路效率下降...
基础电子 时间：2026/1/23 阅读：186
耐压能力是MOSFET选型的核心安全指标，直接决定器件能否抵御电路中的电压应力，避免介质击穿、短路烧毁等故障。实际工程设计中，多数选型失误源于对耐压参数的认知偏差、场景工况评估不足，或盲目套用标称值，最终导致产品可靠性下降、故...
基础电子 时间：2026/1/22 阅读：277
MOSFET的选型直接决定电子电路的可靠性、效率与安全性，而电压、电流作为核心参数，是选型的首要依据。若电压冗余不足易导致器件击穿，电流承载不够则引发过热烧毁，二者需精准匹配电路工况，同时兼顾导通电阻、封装散热等辅助特性。本文...
基础电子 时间：2026/1/21 阅读：168
封装作为MOSFET的“保护外壳与连接桥梁”，直接影响器件的散热性能、载流能力、安装方式及适配场景。不同封装类型在结构设计、功率承载、空间占用上差异显著，其选择需结合电路功率、布局空间、散热条件等核心需求。从传统插件到微型贴片...
基础电子 时间：2026/1/20 阅读：336
MOSFET作为电压控制型功率器件，其栅极驱动电路的设计直接决定器件开关性能、工作效率与可靠性。栅极驱动的核心是为MOSFET栅极提供符合要求的驱动电压与电流，实现器件快速、稳定的导通与关断，同时规避过压、过流、米勒效应等风险。无论...
基础电子 时间：2026/1/19 阅读：352
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为电压控制型功率器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、新能源电控等领域，其性能直接决定电路的效率、可靠性与安全边界。在MOSFET的众多参数中，漏源电压Vds、漏极电流Id、导通电阻Rds(on)是...
基础电子 时间：2026/1/16 阅读：367
