ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电...
分类：新品快报 时间：2026/4/22 阅读：13172 关键词：SiC MOSFET
Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120...
时间：2026/3/23 阅读：179 关键词：Vishay
Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供...
时间：2026/1/28 阅读：159 关键词：Littelfuse
Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，...
时间：2026/1/27 阅读：178 关键词：Infineon
三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品
三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车...
分类：新品快报 时间：2026/1/14 阅读：98266
英飞凌CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件
CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关...
分类：新品快报 时间：2026/1/5 阅读：107358
X-FAB XbloX平台加速可扩展、高性能碳化硅 MOSFET解决方案上市进程
当前，汽车、工业、能源及数据中心等领域正积极开展下一代碳化硅功率 MOSFET 的设计与开发，对于无晶圆厂开发者而言，此时与能缩短产品上市时间的代工厂合作，无疑是最佳时机。 XbloX 宽禁带（WBG）半导体分立器件代工模式所采用的标...
分类：新品快报 时间：2025/12/5 阅读：109663
ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保...
时间：2025/12/2 阅读：218 关键词：ROHM
英飞凌新品采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK? 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC? MOSFET技术，集成NTC温度传感器，采用大电流PressFIT引脚，并预涂2.0代导热界面材料。 产品型号...
分类：新品快报 时间：2025/11/25 阅读：18846
Toshiba-东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式...
时间：2025/11/13 阅读：241 关键词：Toshiba
Infineon-英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布扩展其CoolSiC650 V G2系列MOSFET产品组合，新增75 mΩ规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装...
时间：2025/11/5 阅读：205 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌扩展其CoolSiC 产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为44...
时间：2025/11/4 阅读：197 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS7功率MOSFET
各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过采用这种以具...
时间：2025/10/31 阅读：173 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiCMOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度
电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运...
时间：2025/10/31 阅读：412 关键词：Infineon
体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支...
时间：2025/10/30 阅读：234 关键词：ROHM
