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Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系...

时间：2025/7/24 阅读：107 关键词：Infineon

ST-SiC MOSFET并联的关键技术

基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满...

时间：2025/7/23 阅读：88 关键词：ST

Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器

在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸...

分类：新品快报时间：2025/7/5 阅读：2715 关键词：Wolfspeed

CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级

德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系...

分类：新品快报时间：2025/7/2 阅读：2545 关键词：MOSFET

Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性...

时间：2025/6/24 阅读：97 关键词：Infineon

Vishay新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性

这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性　　美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年5月29日—日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，...

时间：2025/6/13 阅读：125 关键词：Vishay

ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。　...

分类：新品快报时间：2025/6/4 阅读：2637 关键词：ROHM

Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSF...

分类：新品快报时间：2025/5/30 阅读：5231 关键词：Vishay

Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新...

时间：2025/5/29 阅读：111 关键词：Toshiba

Infineon - 英飞凌OptiMOS6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准

随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码...

时间：2025/5/28 阅读：97 关键词：Infineon

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件...

分类：新品快报时间：2025/5/21 阅读：2321 关键词：SiC MOSFET

ROHM推出实现超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。　　新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集...

时间：2025/5/19 阅读：207 关键词：ROHM

ROHM-内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块被SMA的太阳能系统采用

全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模...

时间：2025/5/19 阅读：195 关键词：ROHM