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英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年...

分类:新品快报 时间:2024/6/26 阅读:297 关键词:英飞凌

英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为...

分类:新品快报 时间:2024/6/25 阅读:282 关键词:英飞凌

英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度

电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...

分类:新品快报 时间:2024/6/14 阅读:409 关键词:英飞凌

纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs, 促进AI数据中心功率提升,加快电动汽车充电速度

GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的...

分类:新品快报 时间:2024/6/13 阅读:275 关键词:碳化硅MOSFET

英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列

英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。  全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英...

分类:新品快报 时间:2024/5/29 阅读:259 关键词: MOSFET系列

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装

Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...

分类:新品快报 时间:2024/5/23 阅读:268 关键词:SiC MOSFET

Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功...

分类:新品快报 时间:2024/5/8 阅读:282 关键词:电子

Infineon - 英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装,为现代汽车应用提供更高效率

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简...

时间:2024/5/7 阅读:57 关键词:电子

ST - 意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。  这些硅基晶体管具有出色的单...

时间:2024/4/30 阅读:78 关键词:电子

Infineon - 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS 7

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7...

时间:2024/4/26 阅读:59 关键词:电子

英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高...

分类:新品快报 时间:2024/4/16 阅读:424 关键词:电子

80V 对称双 N 沟道 MOSFET,尺寸为 3 x 3mm

New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。  Vishay SiZF4800LDT 双...

分类:新品快报 时间:2024/4/3 阅读:289

意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。   这些硅基晶体管具有出色的...

分类:新品快报 时间:2024/4/1 阅读:409 关键词:MOSFET

Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性...

时间:2024/3/21 阅读:55 关键词:电子

Infineon - 英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET, 以更高的功率密度和效率树立行业新标准

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损...

时间:2024/3/21 阅读:55 关键词:电子