Mouser - 贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章...
时间：2024/8/8 阅读：108 关键词：英飞凌
Diotec - 手机、手表和无线耳机的无线充电，由MOSFET DI048N04PT供电
这款3合1无线充电站有两个充电器和18个铜线圈，用于快速充电。它的特别之处在于它能够处理电量水平，同时为手机、智能手机和手表充电。它的设计用于给带有外壳的设备充电，但可能会被厚厚的外壳或诸如PopSocket之类的障碍物干扰。德欧泰...
时间：2024/8/7 阅读：118 关键词：半导体
80 和 100V MOSFET，采用 5×6 和 8×8 LFPAK 封装
Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET，Rds（on）范围为1.8至15mΩ，100V器件的Rds（on）范围为2.07mΩ以上。 该公司表示：“许多MOSFET制...
分类：新品快报 时间：2024/8/7 阅读：366 关键词：MOSFET
Nexperia - 采用P沟道LFPAK56 MOSFET的汽车H桥DC电机控制参考设计
今天的视频中，Nexperia（安世半导体）将向您展示H桥直流电机控制电路参考设计。 H桥电路是一个全桥DC-DC转换器，支持有刷直流电动机（最大电压48 V、最小电压12 V、最大电流5 A）运行。该控制电路的输入电压范围为12-48V，适用于功率...
时间：2024/8/5 阅读：113 关键词：DC电机
PANJIT 推出新款 P 沟道和 N 沟道 MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P 沟道 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证，结温高达 175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些 MOSFET 最大限度地降低了 RDS(ON)，最大限度地...
时间：2024/7/26 阅读：138 关键词：MOSFET
Panjit -强茂高效能60V/100V/150V车规级 MOSFET系列
强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET，此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。采用先进沟槽技术设计，与传统标准沟槽设计相比，为60V MOSFET的品质因数（FOM）减少68%、100V减少41%、150V则减少了53%，且显著降低...
时间：2024/7/26 阅读：262 关键词： MOSFET系列
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新...
分类：新品快报 时间：2024/7/25 阅读：525
Nexperia扩展一系列创新应用专用MOSFET，精准优化匹配您的设计需求
随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如...
时间：2024/7/23 阅读：106 关键词：MOSFET
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年...
分类：新品快报 时间：2024/6/26 阅读：480 关键词：英飞凌
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为...
分类：新品快报 时间：2024/6/25 阅读：424 关键词：英飞凌
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...
分类：新品快报 时间：2024/6/14 阅读：546 关键词：英飞凌
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的...
分类：新品快报 时间：2024/6/13 阅读：385 关键词：碳化硅MOSFET
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英...
分类：新品快报 时间：2024/5/29 阅读：383 关键词： MOSFET系列
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK－7封装
Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...
分类：新品快报 时间：2024/5/23 阅读：382 关键词：SiC MOSFET
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功...
分类：新品快报 时间：2024/5/8 阅读：347 关键词：电子
