Vishay推出SOP－4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器
器件通过AEC-Q102认证，开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款业内先进的新型汽车...
分类：新品快报 时间：2023/6/8 阅读：391 关键词：MOSFET驱动器
Toshiba - 东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保...
时间：2023/6/5 阅读：266 关键词：儒卓力
Infineon - 英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性
英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术...
时间：2023/6/2 阅读：355 关键词：电子
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)...
时间：2023/5/26 阅读：100 关键词：Nexperia
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保...
分类：新品快报 时间：2023/5/19 阅读：485 关键词：MOSFET
三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流...
分类：新品快报 时间：2023/5/15 阅读：268 关键词：MOSFET
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性
英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多...
分类：新品快报 时间：2023/5/15 阅读：293 关键词：英飞凌
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch ...
分类：新品快报 时间：2023/4/21 阅读：465 关键词： MOSFET
Toshiba - 东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TP...
时间：2023/4/19 阅读：219 关键词：MOSFET
ROHM - 同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的 600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。 近年来，全球电力...
时间：2023/4/18 阅读：96 关键词：电子
Toshiba - 东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET产品线
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开...
分类：新品快报 时间：2023/4/17 阅读：530 关键词：MOSFET
Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电...
分类：新品快报 时间：2023/4/13 阅读：445 关键词： MOSFET
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常...
时间：2023/4/6 阅读：357 关键词：电子
Toshiba - 东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两...
分类：新品快报 时间：2023/3/10 阅读：448 关键词：N沟道功率MOSFE
Infineon - 英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS?源极底置功率MOSFET
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3...
分类：新品快报 时间：2023/2/23 阅读：340 关键词：英飞凌
