Vishay推出SOP－4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器
器件通过AEC-Q102认证，开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款业内先进的新型汽车...
分类：新品快报 时间：2023/6/8 阅读：385 关键词：MOSFET驱动器
Renesas瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器
全球的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品；新款HIP2210提供三电平PWM输入，以简化电...
分类：新品快报 时间：2020/7/7 阅读：1718 关键词：MOSFET驱动器
瑞萨电子集团（TSE：6723）推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品；新款HIP2210提...
分类：新品快报 时间：2020/6/30 阅读：1116 关键词：驱动器
Allegro发布集成有稳压器的全新三相MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems，LLC推出一款全新的集成有低压差（LDO）稳压器的三相MOSFET驱动器IC A4919，这款产品专为范围广泛的工业应用而设计，能够提供5.0V或3.3V电压。A4919...
Allegro MicroSystems 推出全新汽车级半桥MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems，LLC宣布推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计，可适用于直流泵（制动、油、水和燃料）、空调系统（HVAC）、螺...
分类：新品快报 时间：2017/8/23 阅读：416
Allegro MicroSystems，LLC推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计，可...
美高森美和Analog Devices公司在可扩展碳化硅MOSFET驱动器解决方案领域展开合作
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 和全球的高性能模拟技术提供商Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计...
分类：新品快报 时间：2017/7/13 阅读：833 关键词：美高森美
Linear推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器提供100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个外部 N 沟道 MOS...
分类：新品快报 时间：2017/7/12 阅读：324 关键词：Linear
凌力尔特推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器
ADI旗下凌力尔特公司 (LinearTechnology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道MOSFET驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个...
凌力尔特推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器，提供100%占空比能力
ADI旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一...
分类：新品快报 时间：2017/6/8 阅读：400 关键词：凌力尔特
采用智能型集成MOSFET驱动器增加数字电源控制器的性能可靠性
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以 快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增...
设计应用 时间：2021/3/5 阅读：542
Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器，提高逆变器级工作效率
推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。 20190215_VOD3120.jpg 日前发布的光...
新品速递 时间：2019/2/18 阅读：946
Allegro推出经ASIL的全新BLDC MOSFET驱动器
新产品针对外部微处理器应用可提供完整的模拟系统解决方案Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）推出符合ISO-26262标准的全新N沟道功率MOSFET驱动器AMT49105，新产品能够简化电机系统设计，并通过集成所需的功率模拟系统而减少了PCB面...
新品速递 时间：2018/12/26 阅读：73
导读：近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。VOW3120-X01
新品速递 时间：2014/4/2 阅读：1175
电源设计小贴士43：分立器件（一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案）
在电源设计小贴士 #42 中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步...
基础电子 时间：2012/4/26 阅读：2154
描述 LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的...
基础电子 时间：2011/2/21 阅读：4273
描述 LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 M...
基础电子 时间：2011/2/21 阅读：1942
我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容...
基础电子 时间：2010/8/14 阅读：4831
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高边MOSFET驱动器的HB (高亮度) LED设计提供低成本方案。MAX1...
新品速递 时间：2010/2/21 阅读：3552
目前，现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。 从功能上讲，MOSFET驱动器将逻辑信号转变成较高的电压和电流，以很...
基础电子 时间：2009/12/4 阅读：2634
