采用智能型集成MOSFET驱动器增加数字电源控制器的性能可靠性
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以 快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增...
设计应用 时间：2021/3/5 阅读：546
Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器，提高逆变器级工作效率
推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。 20190215_VOD3120.jpg 日前发布的光...
新品速递 时间：2019/2/18 阅读：952
Allegro推出经ASIL的全新BLDC MOSFET驱动器
新产品针对外部微处理器应用可提供完整的模拟系统解决方案Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）推出符合ISO-26262标准的全新N沟道功率MOSFET驱动器AMT49105，新产品能够简化电机系统设计，并通过集成所需的功率模拟系统而减少了PCB面...
新品速递 时间：2018/12/26 阅读：82
导读：近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。VOW3120-X01
新品速递 时间：2014/4/2 阅读：1178
电源设计小贴士43：分立器件（一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案）
在电源设计小贴士 #42 中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步...
基础电子 时间：2012/4/26 阅读：2167
描述 LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的...
基础电子 时间：2011/2/21 阅读：4277
描述 LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 M...
基础电子 时间：2011/2/21 阅读：1944
我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容...
基础电子 时间：2010/8/14 阅读：4834
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高边MOSFET驱动器的HB (高亮度) LED设计提供低成本方案。MAX1...
新品速递 时间：2010/2/21 阅读：3554
目前，现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。 从功能上讲，MOSFET驱动器将逻辑信号转变成较高的电压和电流，以很...
基础电子 时间：2009/12/4 阅读：2638
