NXP恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
·2023年5月16日 ·恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP ·借助MRAM，汽车厂商可以更高效地推出新功能，加速OTA升级，消除量产瓶颈 ·恩智浦计划于2025年初推出采用该技术的新一代S32区域处理器和...
时间：2024/1/22 阅读：64 关键词：电子
2022 年 12 月，三星在著名的微电子和纳米电子会议 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上发表了一篇题为 "面向非易失性 RAM 应用的全球最节能 MRAM 技术 "的论文。该论文介绍了...
分类：名企新闻 时间：2023/11/13 阅读：201 关键词：三星
恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
全球领先汽车处理企业恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件...
时间：2023/6/19 阅读：151 关键词：嵌入式MRAM
NXP - 恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
全球领先汽车处理企业恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件...
时间：2023/6/19 阅读：172 关键词：电子
瑞萨电子公司今天宣布，它已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术，以下简称MRAM）测试芯片。该芯片具有快速读写操作，采用22纳米工艺制造。...
分类：业界动态 时间：2022/6/17 阅读：1806
GLOBAL FOUNDRIES格芯面向IoT和汽车应用推出业界首款可批量生产的eMRAM
格芯(GLOBALFOUNDRIES?)今日宣布基于其22nm FD-SOI (22FDX?)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通...
分类：新品快报 时间：2020/3/13 阅读：1534 关键词：格芯
近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。eMRAM属新型存储技术，与当前占据市场主流的DRAM和NAND...
格芯面向IoT和汽车应用推出业界首款基于22FDX平台且可批量生产的eMRAM
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布基于其22nm FD-SOI (22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用...
分类：名企新闻 时间：2020/2/29 阅读：810 关键词：格芯
磁性随机存储器(Magnetic RAM，MRAM)是一种利用电子自旋方向存储信息的技术。它具有高读写速度，高集成度，无限次可重复擦写的特点，是一种未来可能的通用型存储器。 根...
未来五年预计上涨40倍的MRAM，正在收割下一代非易失性存储市场？
在美国举行的“MRAM开发者日”活动上，Yole Development分析师Simone Bertolazzi分享了MRAM技术和市场的趋势。他指出，MRAM作为下一代非易失性存储器的替代者市场正在迅速扩大。到2024年，MRAM的市场规模将增加40倍。 就目前存储市场...
MCU 测试芯片嵌入 10.8 Mbit STT-MRAM 存储器
具有 10.8 Mbit 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 存储单元阵列的原型 MCU 测试芯片（采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工艺制造）声称可以实现超过 200 MHz 的随机读取访问频率和 10.4 MB...
设计应用 时间：2024/2/28 阅读：365
实时以及存储和转发机载处理应用程序越来越需要大量快速、非易失性存储器。虽然太空级 NAND 闪存提供千兆位 (Gb) 和太位 (Tb) 存储容量，但其速度、耐用性、数据保留以及错...
设计应用 时间：2023/2/25 阅读：304
在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更...
基础电子 时间：2021/5/26 阅读：17711
总结 一种新型自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM) IP为高性能嵌入式应用提供了一个有吸引力的选择。 介绍 如今，社会上广泛的应用程序都迫切需要嵌入式非易失性内存IP。 embedded memory requirements 然而，嵌入式非易失...
基础电子 时间：2020/6/29 阅读：637
一.MRAM简介 磁随机存储器（Magnetic random access memory，MRAM）是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性（Non-Volatile）随机存储器之一（图1）。与其他存储技...
设计应用 时间：2018/10/16 阅读：1492
嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的
如今，除了逻辑元件和其他专用电路元件外，典型的微控制器 （MCU） 包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是，要将浮栅 （FG） 的制...
设计应用 时间：2018/6/8 阅读：195
本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 铁电存储器(FeRAM) 铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高...
基础电子 时间：2010/8/31 阅读：2543
Everspin科技推出MR4A16B业界首款16Mb MRAM
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（IntegratedMagnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发
新品速递 时间：2010/5/19 阅读：3024
MRAM内存技术利用磁矩存储位态，业已证明完全可以满足众多的商业应用。而型号为MR2A16A的存储器，具有许多独特的特征，可以适用于许多方面的应用。 MRAM的特征 4Mb的MR2A16A以256Kx16位配置进行排列。它采用异步设计，使用标准芯片...
基础电子 时间：2010/5/13 阅读：3260
磁阻随机存取存储器（MRAM）产品的领先提供商飞思卡尔半导体日前为西门子工业自动化部门开发的工业触摸屏应用提供非易失性MRAM技术。飞思卡尔的4MbitMRAM器件已经集成到西门子SimaticMultipanelMP277和工业自动化系统使用的M
新品速递 时间：2008/6/4 阅读：2683
