1.5万亿日元扩产！美光广岛锁定2028 HBM量产，日美联手控局AI存储
AI算力狂飙之下，全球高端存储产能争夺战愈演愈烈。当地时间7月4日，美光科技广岛工厂扩建项目正式举行奠基仪式，这场仪式不仅是一座工厂的升级，更释放出日美联手垄断高端...
分类：名企新闻 时间：2026/7/9 阅读：1262
苹果开启长鑫存储 DRAM 芯片测试，或为中国市场设备注入新动力
在科技行业竞争激烈、芯片市场风云变幻的当下，苹果公司的一举一动都备受关注。7 月 8 日有消息传出，据英国《金融时报》援引知情人士信息，苹果已开启对中国存储芯片厂商...
分类：业界动态 时间：2026/7/9 阅读：1834 关键词： DRAM 芯片
据媒体报道，三星电子已正式开启其最先进数据中心存储设备的大规模量产工作，这款产品将被应用于英伟达即将推出的 Vera Rubin 平台，有望为数据中心带来全新的存储体验。 ...
分类：名企新闻 时间：2026/7/9 阅读：1444 关键词：三星
三星电子正式开启了其最先进数据中心存储设备的大规模量产工作，该产品将应用于英伟达即将推出的 Vera Rubin 平台。 这款企业级固态硬盘型号为 PM1763，早在今年早些时...
近日，通用汽车与美光公司于周三正式宣布达成一项长期供应协议，该协议主要涉及汽车制造所需的内存和存储芯片。根据这份战略客户协议，通用汽车将从美光科技获取 LPDRAM、N...
分类：业界动态 时间：2026/7/2 阅读：6994 关键词：存储芯片
内存是每一次重大计算变革背后的基础技术之一，如今它的重要性比以往任何时候都更加凸显。随着人工智能基础设施在训练、推理和大规模云部署等领域不断扩展，对高性能DRAM和...
分类：行业访谈 时间：2026/7/1 阅读：378 关键词：美光
基于 3000 P/E BiCS8 闪存，创见推出新一代工业级 SSD、存储卡
创见 (Transcend) 宣布推出基于 3000 P/E 抹写周期的铠侠-闪迪第八代（218 层）BiCS FLASH 3D 闪存的工业级固态硬盘和存储卡解决方案，全系享有三年有限保固服务。 在 S...
分类：新品快报 时间：2026/6/30 阅读：9771
郭明錤：苹果游说长鑫存储意在 “保供” 而非 “降价”，库克欲赶在卸任前敲定
近期，针对苹果罕见游说美国政府，要求放开对长鑫存储采购限制这一事件，天风国际证券分析师郭明錤给出了最新的分析研判。他认为，苹果引入长鑫存储作为 DRAM 供应商，其核...
分类：行业访谈 时间：2026/6/29 阅读：467 关键词：苹果
受到记忆体价格飙涨影响，几乎全球所有电子产品的成本都因此推高，大公司还能透过涨价将成本压力转嫁给消费者，不过对于中小型电子制造商而言，涨与不涨都是公司的生存危机...
分类：业界动态 时间：2026/6/29 阅读：4794 关键词：存储芯片
联想集团投资者日上，联想集团执行副总裁、智能设备业务集团（IDG）总裁 Luca 就近期内存及其他关键零部件的涨价问题作出回应。新浪科技在 6 月 26 日对此事进行了报道。Lu...
分类：名企新闻 时间：2026/6/26 阅读：6208 关键词：联想
在当今的电子和电力领域，能量存储是一个至关重要的研究方向。其中，线圈存储磁能作为一种重要的能量存储方式，具有独特的物理原理和广泛的应用前景。下面我们将深入探讨线圈存储磁能的相关知识。 一、线圈存储磁能的物理原理 线圈...
基础电子 时间：2026/5/29 阅读：418
SSTL（Stub Series Terminated Logic），即短截线串联端接逻辑，是专门为高速存储器接口量身定制的单端逻辑电平标准。其主要目标在于显著提升信号完整性以及数据传输速率，在电子行业的高速数据传输领域扮演着举足轻重的角色。 SSTL ...
行业标准 时间：2026/5/7 阅读：699
存储技术是数据时代的核心支撑，承担着数据采集、留存、读取与管理的关键职能，其性能、可靠性与容量直接决定信息系统的运行效率与数据安全。随着大数据、云计算技术的快速发展，存储需求从传统本地小容量存储，向分布式大容量、高速率、...
设计应用 时间：2026/1/13 阅读：1018
存储技术是数据时代的核心支撑，承担着数据采集、留存、读取与管理的关键职能，其性能、可靠性与容量直接决定信息系统的运行效率与数据安全。随着大数据、人工智能、云计算技术的快速发展，存储需求从传统的本地小容量存储，向分布式大容...
基础电子 时间：2026/1/7 阅读：382
虚拟存储器的概念与特征一、概念虚拟存储器（Virtual Memory） 是一种由操作系统和硬件（如MMU，内存管理单元）共同实现的存储管理技术。它通过将 主存（物理内存） 和 外存（如磁盘） 结合使用，使得程序可以访问比实际物理内存更大的地...
基础电子 时间：2025/8/4 阅读：443
铁电存储器（FeRAM，Ferroelectric RAM）和Flash存储器是两种常见的非易失性存储技术，但它们在工作原理、性能和适用场景上有显著差异。以下是主要区别：1. 工作原理FeRAM：利用铁电材料的极化特性存储数据。当外加电场时，铁电晶体的极...
基础电子 时间：2025/7/30 阅读：839
1. 基本定义程序存储器 是一种用于存储 程序代码（指令） 的非易失性存储器（Non-Volatile Memory），在嵌入式系统或计算机中保存CPU执行的指令。其特点是：非易失性：断电后数据不丢失。只读或可编程：根据类型分为ROM、Flash等。与数据...
基础电子 时间：2025/7/10 阅读：493
在单片机的应用领域中，其内置的外设功能为电子设备的高效运行提供了便利。然而，要使单片机有效地运行，程序的合理存储与执行至关重要。下面将详细介绍单片机与程序的关系，特别是单片机存储器的相关知识。单片机的存储器存储器是用于记...
基础电子 时间：2025/6/3 阅读：1472
NAND Flash 和 SD NAND 存储扇区架构的对比
NAND Flash 与 SD 卡（SD NAND）作为两种广泛应用的存储介质，其存储扇区分配表在设计原理上存在诸多相似之处，但受制于不同的结构特性与应用场景，两者亦呈现出显著的差异。米客方德凭借深厚的技术积累与专业洞察，为您深度剖析 NAND Fl...
基础电子 时间：2025/5/13 阅读：528
存储虚拟化是通过软件或硬件技术，将物理存储设备（如硬盘、磁带、光盘等）进行抽象化、整合并形成一个虚拟存储资源池的过程。存储虚拟化能够让用户不需要关注底层存储设备的实际情况，就能高效地进行数据存储、管理和访问。它在提高存储...
基础电子 时间：2025/4/2 阅读：600
