DRAM市场预期在第4季反转向下，供过于求会一路延续至2026年。不过分析师指出，做高频宽存储的厂商，像是美光、SK海力士去年表现优异，获利率有明显回升，但传统DRAM，营收...
分类：行业趋势 时间：2024/10/14 阅读：142 关键词：DRAM
人工智能的快速发展，全球DRAM市场预计将超越晶圆代工行业，全球内存芯片制造商三星电子和SK海力士正在扩大其动态随机存取存储器业务。据业内人士周一首尔透露，全球内存芯...
yole：预计2025年DRAM和NAND将创下创纪录的收入
生成式人工智能的快速崛起推动了数据中心市场对高速 DDR5 DRAM 和 HBM 技术的需求，并引发了对连接到人工智能服务器的企业级 SSD 的需求激增。此外，首批配备设备内置生成...
DRAM IC 也需要使用 EUV 光刻技术。如今，三星和 SK 海力士在几层芯片上使用 EUV，成本高昂。据 The Elec 报道，SK 海力士的一位研究人员在一次行业会议上表示，为了大幅降...
DRAM 采购商转为积极采购 ，带动 DRAM 产业销售额大幅增长
DRAM 采购商转为积极采购，加上高带宽内存（HBM）的普及，带动全球 DRAM 产业销售额大幅增长。据市场研究公司 TrendForce 统计，第二季度 DRAM 销售额达 229.1 亿美元，较...
分类：业界动态 时间：2024/8/16 阅读：347 关键词：DRAM
据台湾市场研究机构TrendForce 8月2日报道，第三季PC代工厂与DRAM供应商的合约大多在7月中旬敲定，价格涨幅达8-13%，虽然涨幅低于第二季15-20%，但仍超过最初预期的3-8%。...
分类：业界动态 时间：2024/8/5 阅读：293 关键词：DRAM
Micron -LPDDR5X：美光低功耗移动 DRAM 凭借更高性能和能效提升 AI 体验
要想在边缘设备上运行生成式 AI 应用，使用高性能、低功耗的移动内存至关重要。美光向全球智能手机制造商和芯片组供应商提供业界前沿的高带宽、低功耗内存产品，用于设计旗舰级智能手机。 美光新推出的 9.6 Gbps LPDDR5X 内存解决方案...
时间：2024/7/26 阅读：139 关键词：DRAM
TrendForce:预计2025年DRAM和NAND将分别增长25%和10%
TrendForce集邦咨询表示，预计2024年DRAM和NAND Flash收入将分别增长75%和77%，这主要得益于比特需求增加、供需结构改善以及HBM等高价值产品的崛起。 预计 2025 年收入...
根据外媒报道，SK海力士正在加速其在通常被称为“梦想记忆”的尖端领域的领先地位，即三维（3D）DRAM。该公司凭借其高带宽内存 （HBM） 已经成为人工智能 （AI） 半导体市...
分类：名企新闻 时间：2024/6/28 阅读：453 关键词：SK海力士
机器学习可实现图像分类和语言建模等数据密集型任务，许多新应用由此诞生。 机器学习过程分为两个阶段。首先是训练阶段，通过将信息存储并标记到权重中来开发智能——这...
设计应用 时间：2024/7/22 阅读：174
SDRAM（Synchronous Dynamic Random-Access Memory）是一种广泛用于计算机系统中的随机存取存储器，它的工作原理涉及到数据的存储和读写过程。以下是SDRAM的基本工作原理： 同步性： SDRAM是同步存储器，其操作与系统时钟同步。这...
基础电子 时间：2024/5/31 阅读：293
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种内存芯片，用于计算机系统中作为主存储器使用。它是一种易失性存储器，意味着当断电时，其中的数据会丢失。DRAM通常以集成电路芯片的形式存在，用于暂时存储处理器需要的...
基础电子 时间：2024/2/26 阅读：318
什么是 DRAM？ 内存是计算机运行的基础。当与 CPU 结合使用时，可以运行指令集（程序）并存储工作数据。随机存取存储器（RAM）是一种众所周知的存储器类型，之所以如此称呼是因为它能够以大致相同的时间延迟访问存储器中的任何位置。...
基础电子 时间：2023/12/7 阅读：730
对于主流内存，这条路已经规划好了，也走过了。从快速页面 (FP) 模式和扩展数据输出 (EDO) 到 SDR、DDR 和 DDR2，演变带来了先进的架构、更快的速度、更高的密度和带宽，以及更低的电源电压和功耗。这些重大进步共同推动 DRAM 和计算细分...
基础电子 时间：2023/4/3 阅读：1481
电脑 DIY 用户常会遇到一种情况：想换新的DRAM模块，但可能还有另外一块 DRAM，担心两块互不兼容。那么，不同世代、不同速度、延时、电压或制造商的DRAM能否混合搭配起来使用呢？ 的内存制造商之一Micron美光旗下品牌，Crucial英睿达...
基础电子 时间：2021/1/29 阅读：8809
基于EPLD器件MAX7256ATC144-6简化任意波形发生器SDRAM控制器的设计
任意波形发生器在雷达、通信领域中发挥着重要作用，但目前任意波形发生器大多使用静态存储器。这使得在任意波形发生器工作频率不断提高的情况下，波形的存储深度很难做得很...
设计应用 时间：2020/5/19 阅读：431
基于DDR DRAM控制器实现MPMA存取输入/输出端口的设计
1、引言 随着信息时代的到来，各种信息的集成和交互越来越频繁。运动控制系统中需要处理和存储的信息量也与日俱增，大部分运动控制系统的器件MCU自身已经集成了较大容量...
设计应用 时间：2020/5/19 阅读：499
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器（DRAM）设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可...
设计应用 时间：2020/4/23 阅读：711
SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计
随着嵌入式微处理器主频的不断提高，信号的传输处理速度越来越快，当系统时钟频率达到100MHZ以上，传统的电路设计方法和软件已无法满足高速电路设计的要求。在高速电路设计...
设计应用 时间：2019/4/15 阅读：992
