传美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%
根据外媒报道，美光计划Q2季度针对DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%，价格谈判还在进行中。 美光将在这次得调价背景，一方面将是云服务业者和企业级存储需求的强劲回升...
分类：业界动态 时间：2024/4/10 阅读：139 关键词：DRAM 内存
Yole在其发布的最新报告中宣布，到 2023 年底，DRAM 行业将处于 2016 年以来的最低水平。 然而，在定价环境改善的情况下，DRAM 行业的运营亏损在 2023 年第 4 季度显著...
分类：行业趋势 时间：2024/3/29 阅读：1154 关键词：DRAM
TrendForce 高级副总裁 Avril Wu 表示，到 2024 年底，DRAM 行业预计将分配约 250K/m (14%) 的总产能用于生产 HBM TSV，预计年度供应位增长约为 260%。 HBM 在 DRAM 行...
分类：行业趋势 时间：2024/3/20 阅读：880 关键词：HBM
市场研究机构 Omdia 报告称，三星的 DRAM 业务终于开始出现正增长，该公司正在走向复苏。 在人工智能行业的巨大兴趣下，三星希望通过其 DRAM 部门专注于 HBM 市场。 ...
分类：业界动态 时间：2024/3/19 阅读：442 关键词：DRAM
据集邦科技(TrendForce)研究显示，受惠于备货动能回温，以及三大原厂控产效益显现，主流产品的合约价格走扬，带动去(2023)年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元，季增29....
分类：业界动态 时间：2024/3/11 阅读：266 关键词：DRAM
上季度，全球半导体行业DRAM营收环比增长近30%。据台湾市场研究公司TrendForce 3月5日统计，第四季度全球DRAM营收达174.6亿美元，环比增长29.6%。TrendForce将这一增长归因...
分类：业界动态 时间：2024/3/7 阅读：341 关键词：DRAM
继去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注。这一举措是预料之中的，因为在强劲的人工智能 (AI) 需求的推动下，高带宽...
分类：业界动态 时间：2024/3/5 阅读：493 关键词：DRAM
继去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注。这一举措是预料之中的，因为在强劲的人工智能 (AI) 需求的推动下，高带宽...
三星电子准备于 3 月份推出 Compute Express Link (CXL) DRAM 尖端技术，旨在提高数据处理速度并巩固其在 AI 存储芯片市场的领先地位。 据该公司和行业官员周日表示，这...
分类：业界动态 时间：2024/2/26 阅读：242 关键词：DRAM
在内存市场“寒冬”期间，除了人工智能服务器和汽车电子等一些特定应用之外，对 DRAM 位的需求仍然疲软。特别是，自 2022 年底以来生成式 AI 应用（例如 ChatGPT）的兴起推...
分类：行业趋势 时间：2024/2/22 阅读：1332 关键词：DRAM
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种内存芯片，用于计算机系统中作为主存储器使用。它是一种易失性存储器，意味着当断电时，其中的数据会丢失。DRAM通常以集成电路芯片的形式存在，用于暂时存储处理器需要的...
基础电子 时间：2024/2/26 阅读：218
什么是 DRAM？ 内存是计算机运行的基础。当与 CPU 结合使用时，可以运行指令集（程序）并存储工作数据。随机存取存储器（RAM）是一种众所周知的存储器类型，之所以如此称呼是因为它能够以大致相同的时间延迟访问存储器中的任何位置。...
基础电子 时间：2023/12/7 阅读：589
对于主流内存，这条路已经规划好了，也走过了。从快速页面 (FP) 模式和扩展数据输出 (EDO) 到 SDR、DDR 和 DDR2，演变带来了先进的架构、更快的速度、更高的密度和带宽，以及更低的电源电压和功耗。这些重大进步共同推动 DRAM 和计算细分...
基础电子 时间：2023/4/3 阅读：1429
电脑 DIY 用户常会遇到一种情况：想换新的DRAM模块，但可能还有另外一块 DRAM，担心两块互不兼容。那么，不同世代、不同速度、延时、电压或制造商的DRAM能否混合搭配起来使用呢？ 的内存制造商之一Micron美光旗下品牌，Crucial英睿达...
基础电子 时间：2021/1/29 阅读：8769
基于EPLD器件MAX7256ATC144-6简化任意波形发生器SDRAM控制器的设计
任意波形发生器在雷达、通信领域中发挥着重要作用，但目前任意波形发生器大多使用静态存储器。这使得在任意波形发生器工作频率不断提高的情况下，波形的存储深度很难做得很...
设计应用 时间：2020/5/19 阅读：402
基于DDR DRAM控制器实现MPMA存取输入/输出端口的设计
1、引言 随着信息时代的到来，各种信息的集成和交互越来越频繁。运动控制系统中需要处理和存储的信息量也与日俱增，大部分运动控制系统的器件MCU自身已经集成了较大容量...
设计应用 时间：2020/5/19 阅读：468
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器（DRAM）设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可...
设计应用 时间：2020/4/23 阅读：635
SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计
随着嵌入式微处理器主频的不断提高，信号的传输处理速度越来越快，当系统时钟频率达到100MHZ以上，传统的电路设计方法和软件已无法满足高速电路设计的要求。在高速电路设计...
设计应用 时间：2019/4/15 阅读：961
广东高云半导体科技股份有限公司（以下简称“高云半导体”）今日宣布，高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片，分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48，其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。 随着...
新品速递 时间：2019/1/19 阅读：962
利用CPLD技术和80C196XL时序特征实现DRAM控制器的设计
0C186XL16位嵌入式微处理器［1］是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一，已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内，集成有DRAM RCU单元，即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产生DRAM刷新总线周期...
设计应用 时间：2019/1/8 阅读：68
