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三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代双倍数据率同步动态随机存储器)。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 ...

分类:新品快报 时间:2023/9/4 阅读:192 关键词:DDR5DRAM

SK海力士DRAM销售额在Q2增幅最为明显

根据外媒报道,研究机构报告显示,二季度全球DRAM的销售达到了114.3亿美元,环比增长20.4%。 SK海力士增幅最为明显,DRAM在二季度的销售额为34.4亿美元,环比大增48.9%...

分类:名企新闻 时间:2023/8/29 阅读:210 关键词:SK海力士

TrendForce:DRAM行业第二季度营收环比增长20.4%至114.3亿美元

根据外媒报道, SK 海力士季度出货量大幅增长超过 35%。该公司DDR5和HBM的出货量均具有较高的ASP,均大幅增长。由此,SK海力士的ASP逆周期增长了7-9%,带动其第二季度营收...

分类:行业趋势 时间:2023/8/28 阅读:1339 关键词:DRAM

三星电子DRAM市场份额创近9年新低

研究机构的报告显示,在今年上半年,三星电子在全球DRAM市场的份额为41.9%,较去年同期的43.5%减少1.6个百分点,今年上半年41.9%的市场份额,在三星电子近9年中是最低的,...

分类:名企新闻 时间:2023/8/17 阅读:330 关键词:DRAM三星

DRAM 市场正在复苏,NAND 依旧疲软

“我们的客户对明年有长期的了解,” Hynix 的 DRAM 营销主管 Myoungsoo Park 说道。 海力士第二季度 运营亏损 22.8 亿美元,低于 2022 年第二季度的 36 亿美元,收入...

分类:业界动态 时间:2023/7/28 阅读:343 关键词: DRAMNAND

传供应商拟Q4提前拉货,DRAM价格2024年第一季需求提到今年第四季

根据了解,美光和西部数据等供货商,价格稳定,DRAM价格预估,下半年DR5 PC预测上调2-5%,DDR5服务器价格上调5-10%,将于7月开始推动Q3季度DDR5价格上调。 对于DRAM...

分类:业界动态 时间:2023/7/17 阅读:203 关键词:DRAM

半导体复苏不如预期,DRAM三巨头被高度看好

全球封测龙头日月光投控27日召开股东会,会中顺利通过各项议案,日月光营运长吴田玉指出,今年上半年半导体市场受到全球大环境及供应链库存去化影响,需求复苏速度低于预期...

分类:业界动态 时间:2023/6/28 阅读:475 关键词:DRAM

美光将通过 EUV 光刻技术在日本扩展 DRAM

美光、SK 海力士和其他行业领跑者等制造商认识到极紫外 (EUV) 光刻技术在推动其 DRAM 产品组合方面的关键作用。美光在 EUV 光刻技术上进行了大量投资,因为它具有出色的分...

分类:名企新闻 时间:2023/6/13 阅读:605 关键词:美光DRAM

DRAM价格连12跌,已接近材料成本?

PC、智能手机需求减少,拖累DRAM价格连12个月下跌,且据悉当前价格已接近材料成本,而即便之后价格触底、也恐不会呈现大幅扬升态势。 日经新闻25日报导,在智能手机、PC...

分类:业界动态 时间:2023/5/26 阅读:1078 关键词:DRAM

DRAM产业Q1营收环比下滑21.2%,连续第三个季度下滑

DRAM 行业第一季度收入环比大幅下降 21.2%,总收入降至 96.63 亿美元。这一显着下降代表收入连续第三个季度下降。仔细观察就会发现,增加的出货量是美光独有的,而其他供应...

分类:业界动态 时间:2023/5/26 阅读:496 关键词:DRAM产业

DRAM技术

使用新的 DRAM 进步来提高嵌入式系统的性能

对于主流内存,这条路已经规划好了,也走过了。从快速页面 (FP) 模式和扩展数据输出 (EDO) 到 SDR、DDR 和 DDR2,演变带来了先进的架构、更快的速度、更高的密度和带宽,以及更低的电源电压和功耗。这些重大进步共同推动 DRAM 和计算细分...

基础电子 时间:2023/4/3 阅读:1225

Crucial英睿达:不同DRAM可否混搭?

电脑 DIY 用户常会遇到一种情况:想换新的DRAM模块,但可能还有另外一块 DRAM,担心两块互不兼容。那么,不同世代、不同速度、延时、电压或制造商的DRAM能否混合搭配起来使用呢? 的内存制造商之一Micron美光旗下品牌,Crucial英睿达...

基础电子 时间:2021/1/29 阅读:8584

基于EPLD器件MAX7256ATC144-6简化任意波形发生器SDRAM控制器的设计

任意波形发生器在雷达、通信领域中发挥着重要作用,但目前任意波形发生器大多使用静态存储器。这使得在任意波形发生器工作频率不断提高的情况下,波形的存储深度很难做得很...

设计应用 时间:2020/5/19 阅读:362

基于DDR DRAM控制器实现MPMA存取输入/输出端口的设计

1、引言  随着信息时代的到来,各种信息的集成和交互越来越频繁。运动控制系统中需要处理和存储的信息量也与日俱增,大部分运动控制系统的核心器件MCU自身已经集成了较大...

设计应用 时间:2020/5/19 阅读:389

漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可...

设计应用 时间:2020/4/23 阅读:559

SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计

随着嵌入式微处理器主频的不断提高,信号的传输处理速度越来越快,当系统时钟频率达到100MHZ以上,传统的电路设计方法和软件已无法满足高速电路设计的要求。在高速电路设计...

设计应用 时间:2019/4/15 阅读:889

高云半导体推出两款集成大容量DRAM的FPGA芯片

广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。 ...

新品速递 时间:2019/1/19 阅读:862

利用CPLD技术和80C196XL时序特征实现DRAM控制器的设计

0C186XL16位嵌入式微处理器[1]是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAM RCU单元,即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产生DRAM刷新总线周期...

设计应用 时间:2019/1/8 阅读:21

高云半导体推出小尺寸集成大容量DRAM的FPGA

今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。   随着边缘计算的兴起,相应芯片的市场需求亦随之扩大,在应用层...

新品速递 时间:2018/9/17 阅读:464

ARM开发步步深入之SDRAM编程示例

实验目的:改变“点灯大法”的执行地点,从NandFlash的Steppingstone转到SDRAM中执行,借此掌握存储控制器的使用。   实 验环境及说明:恒颐S3C2410开发板H2410。H2410板扩展有64MB的SDRAM,用于设置程序堆栈和存放各种变量。SDRAM选...

设计应用 时间:2018/8/30 阅读:10

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