DRAM

DRAM资讯

三星完成 1c 纳米 DRAM 工艺开发,即将迈向量产新征程

综合韩媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 报道,当地时间 6 月 30 日下午,三星电子对其第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米授予生产准备批准(PRA)。这一举措意味着三星正式...

分类:名企新闻 时间:2025/7/1 阅读:267 关键词:三星

DRAM,三个方向

受关税担忧影响,内存市场规模有望在 2025 年连续第二次创下 2000 亿美元纪录  2024年伊始,数据中心AI训练工作负载需求激增,带动行业迎来新一轮增长势头。这标志着行业...

分类:行业趋势 时间:2025/6/23 阅读:1873 关键词:DRAM

三星下一代 DRAM 良率升至 50 - 70%,竞争优势凸显

据 Sedaily 报道,三星在 1c DRAM 领域取得了显著突破,其第六代 10 纳米级 DRAM(1c DRAM)晶圆测试良率已提升至 50% - 70%,相较于去年不足 30% 的水平有了大幅提高。这...

分类:业界动态 时间:2025/6/21 阅读:363 关键词:三星

Counterpoint 预估:长鑫存储今年 DRAM 增产近 50%,年末市占或达 8%

市场分析机构 Counterpoint 作出预测,长鑫存储在去年实现大幅增产的基础上,今年其 DRAM 内存产能将进一步同比增长近 50%。这一显著的产能提升,彰显了长鑫存储在技术研发...

分类:业界动态 时间:2025/6/21 阅读:324 关键词:长鑫存储DRAM

SK 海力士登顶 DRAM 营收,三星电子借良品率改善谋翻身

在全球半导体市场的激烈竞争中,动态随机存取存储器(DRAM)领域的格局近期发生了显著变化。此前,市场研究机构发布的报告显示,受人工智能领域对高带宽存储器(HBM)强劲...

分类:业界动态 时间:2025/6/21 阅读:193 关键词:SK 海力士

SK 海力士聚焦 HBM 商机,暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购

据韩国媒体 the bell 当地时间 6 月 12 日报道,在 HBM(高带宽内存)市场占据领先地位的 SK 海力士,对其下一代 1c nm(第 6 代 10nm 级)DRAM 内存量产线的设备采购节奏...

分类:名企新闻 时间:2025/6/17 阅读:310 关键词:SK 海力士

SK 海力士聚焦 HBM 市场,搁置 1c DRAM 内存量产设备采购计划

据韩国媒体 the bell 当地时间本月 12 日报道,在 HBM(高带宽内存)市场占据领先地位的 SK 海力士,对下代 1c nm(第 6 代 10nm 级)DRAM 内存量产线的设备采购节奏做出调...

分类:名企新闻 时间:2025/6/16 阅读:396 关键词:SK 海力士

DRAM 大宗交易价格 5 月上扬 10%,产业走向待察

在半导体存储器市场中,动态随机存取存储器(DRAM)一直占据着重要地位。近期,DRAM 市场出现了显著的价格波动。2025 年 5 月,DRAM 大宗交易价格连续 2 个月较上月上涨 10%,这一变化引起了行业内外的广泛关注。 DRAM 作为一种用于数...

分类:业界动态 时间:2025/6/12 阅读:268 关键词:DRAM

SK 海力士公布 DRAM 长期路线图,聚焦 10nm 以下技术

据 ZDNet 报道,继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后,SK 海力士在 6 月 8 日至 12 日于京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会上,公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景,着...

分类:业界动态 时间:2025/6/11 阅读:234 关键词:SK 海力士

I/O 翻倍冲击 HBM4 DRAM Die 面积,初期 12Hi 堆栈售价逾 600 美元

据韩媒 the bell 当地时间昨日报道,HBM4 内存的 I/O 数量相较于此前产品实现了翻倍,达到 2048。这一变化对 SK 海力士和美光产生了显著影响,由于他们在 HBM4 DRAM 上沿用...

分类:业界动态 时间:2025/6/11 阅读:173 关键词:DRAM

DRAM技术

DRAM简介

什么是DRAM?  内存是计算机操作的基础。与CPU结合使用时,可以运行一组指令(程序)和存储工作数据的能力。随机访问内存(RAM)是一种众所周知的内存类型,由于其能够访问记忆中的任何位置,并大致相同的时间延迟。  动态随机访问存...

基础电子 时间:2025/3/6 阅读:239

SDRAM、SRAM与DRAM这几种内存的区别是什么

SDRAM(Synchronous DRAM)、SRAM(Static RAM)和DRAM(Dynamic RAM)是三种常见的计算机内存类型,它们在结构、速度、成本和应用等方面有不同的特点。下面是它们之间的主要区别:1. SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)...

基础电子 时间:2025/2/18 阅读:327

用于节能和节省面积的模拟内存计算的 DRAM

机器学习可实现图像分类和语言建模等数据密集型任务,许多新应用由此诞生。  机器学习过程分为两个阶段。首先是训练阶段,通过将信息存储并标记到权重中来开发智能——这...

设计应用 时间:2024/7/22 阅读:358

SDRAM工作原理_SDRAM布局布线说明

SDRAM(Synchronous Dynamic Random-Access Memory)是一种广泛用于计算机系统中的随机存取存储器,它的工作原理涉及到数据的存储和读写过程。以下是SDRAM的基本工作原理:  同步性:  SDRAM是同步存储器,其操作与系统时钟同步。这...

基础电子 时间:2024/5/31 阅读:459

什么是DRAM?DRAM存储单元原理

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种内存芯片,用于计算机系统中作为主存储器使用。它是一种易失性存储器,意味着当断电时,其中的数据会丢失。DRAM通常以集成电路芯片的形式存在,用于暂时存储处理器需要的...

基础电子 时间:2024/2/26 阅读:617

DRAM(动态随机存取存储器)简介

什么是 DRAM?  内存是计算机运行的基础。当与 CPU 结合使用时,可以运行指令集(程序)并存储工作数据。随机存取存储器(RAM)是一种众所周知的存储器类型,之所以如此称呼是因为它能够以大致相同的时间延迟访问存储器中的任何位置。...

基础电子 时间:2023/12/7 阅读:999

使用新的 DRAM 进步来提高嵌入式系统的性能

对于主流内存,这条路已经规划好了,也走过了。从快速页面 (FP) 模式和扩展数据输出 (EDO) 到 SDR、DDR 和 DDR2,演变带来了先进的架构、更快的速度、更高的密度和带宽,以及更低的电源电压和功耗。这些重大进步共同推动 DRAM 和计算细分...

基础电子 时间:2023/4/3 阅读:1570

Crucial英睿达:不同DRAM可否混搭?

电脑 DIY 用户常会遇到一种情况:想换新的DRAM模块,但可能还有另外一块 DRAM,担心两块互不兼容。那么,不同世代、不同速度、延时、电压或制造商的DRAM能否混合搭配起来使用呢? 的内存制造商之一Micron美光旗下品牌,Crucial英睿达...

基础电子 时间:2021/1/29 阅读:8871

基于EPLD器件MAX7256ATC144-6简化任意波形发生器SDRAM控制器的设计

任意波形发生器在雷达、通信领域中发挥着重要作用,但目前任意波形发生器大多使用静态存储器。这使得在任意波形发生器工作频率不断提高的情况下,波形的存储深度很难做得很...

设计应用 时间:2020/5/19 阅读:522

基于DDR DRAM控制器实现MPMA存取输入/输出端口的设计

1、引言  随着信息时代的到来,各种信息的集成和交互越来越频繁。运动控制系统中需要处理和存储的信息量也与日俱增,大部分运动控制系统的器件MCU自身已经集成了较大容量...

设计应用 时间:2020/5/19 阅读:568

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