DDR

DDR资讯

长鑫存储起诉美国防部,LPDDR6量产,半年营收1503亿元

中国动态随机存储器制造商长鑫存储技术有限公司(以下简称:长鑫存储)向美国哥伦比亚特区联邦地区法院提起诉讼,指控美国国防部将该公司列入所谓“涉军企业”名单的决定是...

分类:名企新闻 时间:2026/8/31 阅读:4508 关键词:长鑫存储

小米玄戒O3首发支持长鑫LPDDR6内存

小米正式宣布,其自研旗舰处理器“玄戒O3”成为全球首款支持LPDDR6内存的芯片。据供应链消息,此次首发合作的内存供应商为国产厂商长鑫存储,标志着国产LPDDR6内存将首次实...

分类:业界动态 时间:2026/8/25 阅读:4491 关键词:LPDDR6内存

大摩预警!DDR4 价格持续疯狂飙升

摩根士丹利的最新预测显示,成熟 DRAM 和 NAND 的供应紧张状况正不断加剧。该机构预计,2026 年第三季度,DDR4 等成熟 DRAM 价格可能大幅上涨 50%,第四季度涨幅仍将在 10%...

分类:业界动态 时间:2026/8/19 阅读:3279 关键词:DDR4

宜鼎推出新一代 DDR5 MRDIMM 内存,翻倍带宽突破性能壁垒

工业存储及嵌入式外设领导品牌宜鼎国际(Innodisk)发表全新 DDR5 MRDIMM 内存模组,搭载创新的 MRCD(多路寄存器时钟驱动器)和 MDB(多路数据缓冲器)元件,突破性能壁垒...

分类:新品快报 时间:2026/8/3 阅读:13231

研华新一代内存SQRAM DDR5 7200MHz,助力边缘AI算力升级!

研华科技公司重磅推出SQRAM DDR5 7200MT/s 工业级内存模组,该产品面向边缘AI持续增长的数据需求打造,相较前代产品性能提升12.5%,单模组容量最高可达64GB,为户外部署场...

分类:新品快报 时间:2026/7/27 阅读:11176 关键词:内存

AMD Zen6 CPU疯狂堆叠1152MB缓存!支持DDR5-12800 明年下半年见

AMD在Advancing AI上公布了Venice-X处理器的核心规格,这款基于Zen 6架构的数据中心CPU搭载1152MB L3缓存,拥有96个核心,加速频率最高5.15GHz,将于2027年下半年上市。 ...

分类:新品快报 时间:2026/7/27 阅读:11214 关键词:AMD

Rambus推出DDR5 9600服务器RDIMM芯片组,赋能下一代AI与数据中心平台

DDR5 9600 RDIMM芯片组旨在满足基于先进CPU服务器上AI及数据密集型工作负载所带来的内存性能与电源管理需求增长。  引入全新第六代寄存时钟驱动器(RCD06),运行速率达9600 MT/s,数据传输率较前代解决方案提升20%。  提供完整芯片...

时间:2026/7/21 阅读:95

国产存储里程碑:长鑫 LPDDR6 送样,下半年将全球首量产

在国产存储领域,长鑫存储正迎来重大突破。快科技 7 月 20 日消息显示,长鑫存储正积极为 DDR6 时代提前布局供应链。该公司引入了新的封装基板供应商海信电子,推动从传统的卷对卷工艺向面板级封装转型,以满足 DDR6 多层设计的更高要求...

分类:名企新闻 时间:2026/7/20 阅读:3627 关键词:长鑫

Patriot 正式推出无限镜光效内存模组 Viper Steel 5 Infinite DDR5

Patriot(博帝)今日正式推出 Viper Steel 5 Infinite DDR5 系列内存模组。这批内存条提供 RGB 与 Non-RGB 版本,其中前者搭载独家无限镜面 RGB 导光技术。   Patriot 表...

分类:新品快报 时间:2026/7/9 阅读:18963 关键词:内存

七彩虹推出 MoDT 主板 ECO HM770-K V20:集成 13900HX,支持 DDR4

七彩虹 (Colorful) 上月推出了 ECO HM770-K V20 主板。这是一款 MoDT 型号,板载集成英特尔酷睿 i9-13900HX 处理器,提供 2 条 DDR4 UDIMM 内存插槽。  ECO HM770-K V20 ...

分类:新品快报 时间:2026/7/7 阅读:18639 关键词:七彩虹

DDR技术

DDR 存储器端接电源 VTT 详解

在现代电子设备中,双倍数据速率(DDR)存储器是应用最为广泛的动态随机存取存储器(DRAM)类型,像计算机、笔记本电脑、服务器等众多电子设备都离不开它。DDR 存储器的供...

设计应用 时间:2026/8/6 阅读:265

深度解读 DDR3 存储器的基础知识

在当今电子技术飞速发展的时代,DDR3 存储器作为一项关键的技术,在众多领域都有着广泛的应用。本文将对 DDR3 存储器的基础知识进行深度解读,帮助读者更好地了解这一重要的存储技术。  首先,我们来了解下 RAM 和 ROM。RAM 是与 CPU ...

基础电子 时间:2026/8/5 阅读:182

DDR终端稳压器LDO 力芯微推出 用于DDR4 灌/拉电流2A LDO ET51200

ET51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。  ET51200 可保持快速的瞬态响应,仅需 20F 较小输出电容。ET51200 支持遥感功能,并满足 DDR、DDR2、DD...

新品速递 时间:2026/7/23 阅读:343

高速数字系统(如DDR、SerDes)中的信号完整性滤波

高速数字系统(如DDR内存、SerDes高速串行接口)是现代电子设备的核心组成,广泛应用于服务器、通信设备、消费电子、工业控制等场景,其信号传输速率已突破10Gbps,部分高端DDR5、SerDes系统甚至达到50Gbps以上。高速传输场景下,信号易...

基础电子 时间:2026/4/17 阅读:575

ddr4和ddr5内存接口一样吗?从物理结构到技术演进的全景解析

内存技术作为计算机硬件体系中的核心组件,其发展始终遵循着性能提升与功耗优化的双重目标。DDR4与DDR5作为当前主流内存标准的两代产品,在接口设计层面存在本质差异,这种...

设计应用 时间:2025/9/8 阅读:4681

DDR4 堆叠模组热仿真:案例分析与散热提升方案

在电子设备的研发与设计中,散热问题一直是影响设备性能和可靠性的关键因素。尤其是随着电子技术的不断发展,电子设备的集成度越来越高,功率密度也越来越大,散热问题变得...

技术方案 时间:2025/8/18 阅读:2120

ddr4x和ddr5的区别大不大

DDR4(严格来说应为DDR4,不存在“DDR4X”标准)与DDR5是两代不同的内存技术,差异显著,尤其在性能、能效和未来扩展性上。以下是详细对比: 1. 核心区别概览特性DDR4DDR5发布时间2014年2020年(商用普及中)基础频率1600MHz~3200MHz480...

基础电子 时间:2025/6/23 阅读:3826

全面解析:DDR1 - DDR5 的差异与管脚定义

在计算机内存技术的发展历程中,DDR(Double Data Rate,双倍数据速率)内存不断迭代升级,从 DDR1 发展到如今最新的 DDR5。了解 DDR1 - DDR5 的区别以及它们的管脚定义,对于硬件设计、系统开发等领域的专业人士来说至关重要。目前,DDR...

基础电子 时间:2025/6/12 阅读:1103

DDR2与DDR的区别

DDR2与DDR内存是两种不同的内存技术,它们之间有许多区别,主要体现在性能、功耗、工作频率和数据传输方式等方面。以下是它们的主要区别:  1. 数据传输速率  DDR(Double Data Rate):DDR内存的传输速率通常从 200MT/s 到 400MT/s...

基础电子 时间:2024/12/24 阅读:713

LPDDR 6新标准公布

JEDEC 今天公布了即将推出的 DDR5 多路复用列双列直插式内存模块 (MRDIMM) 和下一代 LPDDR6 压缩连接内存模块 (CAMM) 标准的关键细节。新的 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM 将以无与伦比的带宽和内存容量彻底改变行业。  DDR5 MRDIMM 提供创新...

行业标准 时间:2024/7/23 阅读:5774

DDR产品