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SK 海力士发力封装测试,清州新建工厂提升竞争力

韩国芯片制造巨头 SK 海力士近日宣布了一项重要战略举措,将在忠清北道清州市建设第七个半导体后处理设施,旨在进一步提升其半导体封装和测试能力。  据业内人士 6 月 24...

分类:名企新闻 时间:2025/6/25 阅读:200 关键词:SK 海力士

美国计划撤销半导体豁免政策,涉及台积电、三星、SK海力士

根据《华尔街日报》消息,美国拟取消对台积电、三星、SK海力士等企业在华使用美国技术的豁免政策。据悉,美国商务部工业和安全局(BIS)副部长杰弗里·凯斯勒(Jeffrey Kes...

分类:业界要闻 时间:2025/6/24 阅读:1179 关键词:半导体台积电三星SK海力士

SK 海力士登顶 DRAM 营收,三星电子借良品率改善谋翻身

在全球半导体市场的激烈竞争中,动态随机存取存储器(DRAM)领域的格局近期发生了显著变化。此前,市场研究机构发布的报告显示,受人工智能领域对高带宽存储器(HBM)强劲...

分类:业界动态 时间:2025/6/21 阅读:206 关键词:SK 海力士

SK 海力士筹备为亚马逊供应 12 层 HBM3E 内存

在人工智能浪潮席卷全球的当下,高带宽内存(HBM)市场的竞争愈发激烈。继英伟达之后,亚马逊旗下的 AWS 成为 SK 海力士 HBM 业务的又一关键客户。随着全球范围内对 AI 数...

分类:名企新闻 时间:2025/6/18 阅读:178 关键词:SK 海力士HBM3E内存

SK 海力士聚焦 HBM 商机,暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购

据韩国媒体 the bell 当地时间 6 月 12 日报道,在 HBM(高带宽内存)市场占据领先地位的 SK 海力士,对其下一代 1c nm(第 6 代 10nm 级)DRAM 内存量产线的设备采购节奏...

分类:名企新闻 时间:2025/6/17 阅读:326 关键词:SK 海力士

SK 海力士聚焦 HBM 市场,搁置 1c DRAM 内存量产设备采购计划

据韩国媒体 the bell 当地时间本月 12 日报道,在 HBM(高带宽内存)市场占据领先地位的 SK 海力士,对下代 1c nm(第 6 代 10nm 级)DRAM 内存量产线的设备采购节奏做出调...

分类:名企新闻 时间:2025/6/16 阅读:416 关键词:SK 海力士

美光/安靠/SK海力士在美建厂延期,日损500万美元

据SemiAnalysis报道,这些项目包括安靠公司在亚利桑那州的先进封装工厂、美光公司在纽约的 DRAM 工厂,以及 SK 海力士在印第安纳州的 HBM 工厂。  当地人反对安靠的工厂...

分类:业界动态 时间:2025/6/16 阅读:312 关键词:美光安靠SK海力士

SK 海力士公布 DRAM 长期路线图,聚焦 10nm 以下技术

据 ZDNet 报道,继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后,SK 海力士在 6 月 8 日至 12 日于京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会上,公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景,着...

分类:业界动态 时间:2025/6/11 阅读:248 关键词:SK 海力士

SK 海力士首超三星,一季度成全球 DRAM 营收冠军

外媒报道显示,得益于向英伟达大量供应高带宽存储器(HBM),SK 海力士的 DRAM 业务营收显著提升,进而推动了整体业绩增长。 市场研究机构发布的最新报告表明,在强劲的 ...

分类:业界动态 时间:2025/6/5 阅读:204 关键词: DRAM

SK 海力士一季度首次登顶 TrendForce 季度 DRAM 产业营收榜

TrendForce 集邦咨询公布了 2025 年第一季全球 DRAM 厂自有品牌内存营收排名,SK 海力士首次登上季度内存营收榜首的位置,此前 Counterpoint 的统计也呈现出类似的趋势。 ...

分类:业界动态 时间:2025/6/4 阅读:239 关键词:SK 海力士

海力士技术

深入剖析SK海力士72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。  在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:791

坚果手机拆解曝光:骁龙615处理器+海力士内存

时隔一年多,在大批锤粉和锤黑的密切关注下,锤子终于发布了坚果手机,虽然大家期待的T2没来,但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体,大家都陆续奉上了自己的感...

基础电子 时间:2015/9/1 阅读:2431

拆解SDRAM存储器 三星与SK海力士与众不同

根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...

基础电子 时间:2013/6/20 阅读:5007

惠普海力士合作打造忆阻器存储

惠普公司今天宣布,已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议,双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术,即使用电阻实现存储的ReRAM(Resistive Random Access Memory电阻式存储器)。  忆阻器技术的研究实际上已有数十...

其它 时间:2011/7/2 阅读:2908

安捷伦与海力士半联合推出长线ZIF探针

安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布:安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针,该探针经过优化,适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA

新品速递 时间:2009/3/13 阅读:2226

恒忆与海力士合作推广创新的NAND闪存技术

恒忆(Numonyx)宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品,进行技术创新。根据新协议,恒忆和海力士将扩...

新品速递 时间:2008/8/19 阅读:1585

海力士推新款手持装置用DRAM

根据富比世(Forbes)报导,韩厂海力士(Hynix)推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM,号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍,海力士并表示,将推出针对手机平台,结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装(MCP)

新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1538

海力士开发出高速小型移动终端用1GbDRAM

韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产,主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩

新品速递 时间:2007/11/19 阅读:1498

海力士半导体DRAM产品获得 ISi存储技术授权

海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元,来替代多个晶体管和电容器的组合,这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来,基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获

新品速递 时间:2007/11/15 阅读:1561

海力士一季度表现骄人 DRAM市场出货量排名首次跃居

海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩,三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元,比2006年第四季度增长4.1%。相比之下,第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%,其它主要厂商的销

新品速递 时间:2007/8/7 阅读:1618

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