SK海力士4日宣布，SK集团董事长崔泰元和台积电董事长魏哲家于3日（当地时间）在中国台湾会面，并同意加强合作，包括开发下一代高带宽存储器（HBM）。 SK海力士和台积电...
分类：业界动态 时间：2026/6/4 阅读：945 关键词：SK海力士
近期，三星电子和 SK 海力士似乎陷入了绩效奖金和福利制度方面 “薪酬竞争” 的恶性循环。每次工资谈判时，两家公司的工会都会依据竞争对手的薪酬水平，要求改善工作条件。...
近期，Alphabet、微软、Meta 等美国大型科技公司纷纷向 SK 海力士抛出橄榄枝，提出资助方案，旨在帮助其建设价值数万亿韩元的晶圆厂，并承担购置极紫外（EUV）光刻设备的费...
分类：名企新闻 时间：2026/5/27 阅读：3069 关键词：SK海力士
5月15日下午，亚太市场突然遭遇猛烈抛售。 受三星电子和SK海力士股价大幅下挫拖累，韩国首尔综合股价指数盘中一度跌超6%，并触发韩国交易所针对基准指数启动的卖方“熔断机...
分类：业界要闻 时间：2026/5/26 阅读：18821
SK 海力士发布了一项具有创新性的新一代技术，旨在解决高带宽存储器（HBM）在运行过程中的发热难题。该技术通过在 HBM 封装内插入冷却元件，有效降低了 HBM 的发热量。 ...
分类：名企新闻 时间：2026/5/26 阅读：4320 关键词：SK海力士
在半导体封装技术领域，一场新的变革正在悄然来临。南韩记忆体巨头 SK 海力士的母公司 SK 集团近日宣布了一项重大决策，将投入高达 1.17 兆韩元用于面板级封装用的玻璃基板...
分类：名企新闻 时间：2026/5/18 阅读：2853 关键词：SK海力士
SK 海力士 2026 年 Q1 交出史上最强季报：营收 52.58 万亿韩元（同比 +198%）、营业利润 37.61 万亿韩元（同比 +405%），双双首次突破历史关口，营业利润率高达 71.5%，均...
分类：名企新闻 时间：2026/4/23 阅读：5880 关键词：SK海力士
SK海力士宣布量产192GB SOCAMM2，专为英伟达Vera Rubin平台设计
韩国存储厂商SK海力士（SK hynix）宣布，已开始量产192GB SOCAMM2，该内存模块是为基于英伟达Vera Rubin平台的AI服务器所设计。 据介绍，SOCAMM2（小轮廓压缩附加内存模...
分类：新品快报 时间：2026/4/21 阅读：13666 关键词：SK海力士
SK 海力士专为英伟达 AI 平台量产 192GB SOCAMM2
据外媒报道，在近年来生成式人工智能热潮的大背景下，SK 海力士成为了其中的一大受益者。该公司为英伟达等厂商供应了大量的高带宽存储器，这使得其业绩实现了大幅提升。数...
分类：业界动态 时间：2026/4/21 阅读：5880 关键词：SK 海力士
存储芯片行业正迎来前所未有的"超级周期"。当全球科技产业还在消化去年芯片短缺的余波时，新一轮的价格狂潮已然席卷而来——这次的主角是存储芯片。作为行业巨头的SK海力士，正乘着这股东风，业绩如火箭般蹿升。最新市场数据显示，存储芯...
分类：业界动态 时间：2026/4/13 阅读：4502
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：949
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2748
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：5372
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：3091
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2330
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1727
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1673
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1601
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1728
海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩，三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元，比2006年第四季度增长4.1%。相比之下，第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%，其它主要厂商的销
新品速递 时间：2007/8/7 阅读：1734
