SK海力士已向主要客户交付了12层高的第七代高带宽内存（HBM4E）样品。继三星电子上月宣布交付12层高的HBM4E样品后，SK海力士也开始交付样品，这标志着下一代人工智能内存芯...
综合多家媒体报道，SK集团董事长崔泰源透露，SK海力士将在未来五年内将晶圆产能翻一番，并到2034年前将晶圆产能扩大至当前的两倍，扩产核心目的是满足人工智能发展所依赖的...
分类：名企新闻 时间：2026/6/12 阅读：6272 关键词：SK海力士
AI 算力需求持续爆发，高端存储芯片供需紧平衡格局持续加剧，全球存储大厂集中落地扩产规划。2026 年 6 月 2 日，SK 集团董事长崔泰源亮相 Computex 展会，同日日本铠侠社...
分类：业界要闻 时间：2026/6/12 阅读：25633
全球AI算力竞赛还在加速，存储与代工两大巨头也在同步加码。SK海力士6月4日宣布，SK集团董事长崔泰源与台积电董事长魏哲家于3日（当地时间）在中国台湾会面，双方同意进一...
分类：业界要闻 时间：2026/6/12 阅读：25595
SK 海力士 400 层工艺遇阻，年底将推 375 层 NAND 闪存
在半导体存储领域，SK 海力士近期有了新的动态。原本计划推出 400 层架构 NAND 闪存的 SK 海力士，由于超高层数堆叠的量产工艺遇到瓶颈，不得不调整产品规划。目前，该公司...
分类：名企新闻 时间：2026/6/11 阅读：6187 关键词：SK 海力士
在人工智能浪潮下，存储芯片需求急剧攀升。韩国 SK 海力士集团董事长崔泰元周三在接受《日经亚洲》采访时明确表示，为满足人工智能计算对关键存储芯片的激增需求，公司制定...
分类：名企新闻 时间：2026/6/11 阅读：5313 关键词：SK 海力士
英伟达与SK海力士官宣多年期深度技术战略合作，英伟达创始人兼CEO黄仁勋、SK集团董事长崔泰源、SK 海力士CEO郭鲁正共同出席首尔发布会，双方核心聚焦下一代AI 内存联合研发...
据 NVIDIA 官网消息，科技巨头英伟达与知名半导体企业 SK 海力士宣布达成一项多年期技术合作伙伴关系，双方将围绕英伟达的 AI 基础设施路线图，共同开发下一代内存技术，以...
SK海力士4日宣布，SK集团董事长崔泰元和台积电董事长魏哲家于3日（当地时间）在中国台湾会面，并同意加强合作，包括开发下一代高带宽存储器（HBM）。 SK海力士和台积电...
分类：业界动态 时间：2026/6/4 阅读：7936 关键词：SK海力士
近期，三星电子和 SK 海力士似乎陷入了绩效奖金和福利制度方面 “薪酬竞争” 的恶性循环。每次工资谈判时，两家公司的工会都会依据竞争对手的薪酬水平，要求改善工作条件。...
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：963
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2753
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：5395
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：3097
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2335
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1730
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1676
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1607
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1731
海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩，三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元，比2006年第四季度增长4.1%。相比之下，第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%，其它主要厂商的销
新品速递 时间：2007/8/7 阅读：1741
