SK海力士

SK海力士资讯

SK海力士率先量产12层堆叠HBM3E

将在年内向客户供应最高性能、最大容量的12层HBM3E  · 与上一代相较单一DRAM芯片薄40%,维持相同的整体厚度的同时,其容量却提高了50%  · “将以压倒性的产品性能和...

分类:新品快报 时间:2024/9/29 阅读:397 关键词:SK海力士

SK海力士首次开始量产12层HBM3E

SK海力士9月26日宣布,已开始量产全球首款36GB HBM3E 12层产品。目前,36GB是市场上最大容量的HBM。  HBM 是一种高性能产品,通过垂直连接多个 D-RAM,与传统 D-RAM 相比...

分类:名企新闻 时间:2024/9/27 阅读:525 关键词:SK海力士

SK海力士营收有望在Q3首次超过英特尔

据外媒报道,在上月初,英特尔发布了让外界失望的二季度财报,128亿美元的营收是同比下滑1%,美国通用会计准则下净亏损16亿美元,上一年同期则是有15亿美元的净利润,非美...

分类:名企新闻 时间:2024/9/19 阅读:439 关键词:SK海力士

三星电子和SK海力士加码HBM

全球两大内存芯片制造商三星电子和SK 海力士正在竞相向包括英伟达在内的客户提供先进的 DRAM 芯片,以享受人工智能热潮。两家韩国公司的高管周三表示,他们正在尽最大努力...

分类:业界动态 时间:2024/9/5 阅读:284 关键词:三星电子SK海力士

SK海力士美国市场营收大增192.2%

今年上半年,SK海力士在美国市场的收入较去年同期增长近三倍,达到15.9787万亿韩元(约合、118.3亿美元)。与去年上半年的5.4671万亿韩元相比,增长了惊人的192.2%。收入激...

分类:名企新闻 时间:2024/9/3 阅读:442 关键词:SK海力士

SK海力士开发出业界首款1c DDR5

SK海力士8月29日宣布,已开发出业界首款采用其1c节点(10nm工艺的第六代)制造的16Gb DDR5。  这一成功标志着存储器制程技术开始极限微缩至接近10纳米的水平。  10nm级...

分类:新品快报 时间:2024/8/29 阅读:439 关键词:SK海力士 DDR5

SK海力士:存储产品控制器2~3年后将导入Chiplet技术

综合韩媒 The Elec 和 ZDNet Korea 报道,SK 海力士副总裁(也称常务)文起一韩国当地时间昨日在学术会议上称,Chiplet 芯粒 / 小芯片技术将在 2~3 年后应用于 DRAM 和 NAN...

分类:业界动态 时间:2024/8/28 阅读:201 关键词:SK海力士

NAND,三星电子与SK海力士之间的竞争

“SK海力士的弱点是固态硬盘(SSD)。”  至少在2020年之前,半导体行业都是如此。当时,SK海力士在DRAM领域以20-30%的市场份额排名全球第二,在NAND闪存产品领域以10%的...

分类:业界动态 时间:2024/8/19 阅读:483 关键词:三星电子SK海力士

SK海力士获美国近10亿美元补贴和贷款

据了解,这项资助是美国《芯片和科学法案》(CHIPS Act)的一部分,旨在促进美国国内半导体产业的发展和创新。美国商务部指出,"高性能内存芯片是图形处理单元(GPU)的重...

分类:名企新闻 时间:2024/8/9 阅读:331 关键词:SK海力士

SK海力士投建韩国龙仁半导体集群首座工厂

近日,全球第二大内存芯片制造商SK海力士在其官网上宣布,公司通过董事会决议,以约9.4万亿韩元(约合人民币492.56亿元)投资建设韩国龙仁半导体集群的首座厂房和业务设施。SK海力士称,此举是为了夯实公司未来发展基础,并及时应对日益...

分类:名企新闻 时间:2024/8/1 阅读:329 关键词:SK海力士

SK海力士技术

深入剖析SK海力士72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。  在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:743

拆解SDRAM存储器 三星与SK海力士与众不同

根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...

基础电子 时间:2013/6/20 阅读:4788