Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装，在提升效率的同时简化设计
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于 ...
时间：2025/4/1 阅读：149 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V， 直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二...
时间：2025/2/19 阅读：117 关键词：英飞凌
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块
半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电...
分类：新品快报 时间：2024/7/4 阅读：441 关键词：二极管
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（...
分类：新品快报 时间：2024/7/1 阅读：413 关键词：SiC肖特基二极管
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 ...
分类：新品快报 时间：2023/5/24 阅读：761 关键词：电子
Vishay推出新型650V SiC肖特基二极管，提升高频应用能效
宾夕法尼亚、MALVERN—2021年1月28日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出十款新型650V碳化硅（SiC）肖特基二极管。VishaySemiconductors...
分类：新品快报 时间：2021/1/28 阅读：4607
Vishay推出650V SiC肖特基二极管，提高了高频应用的效率
VishayIntertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今天??推出了10个新的650V碳化硅（SiC）肖特基二极管。VishaySemiconductors器件采用合并的PIN肖特基（MPS）设计...
分类：新品快报 时间：2021/1/27 阅读：1787
英飞凌科技(Infineon)近日推出650V CoolSiC肖特基二极管--G6，此项CoolSiC二极管系列的发展以G5的独特特性为基础，提供可靠性、高质量及更高的效率。CoolSiC G6二极管让600V与650V CoolMOS 7系列的功能更臻完善，适用于服务器、PC电源、...
Intel在APEC上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管
率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界的器件电容，可在高开关频率和...
infineon在APEC上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管
近日，在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上infineon(英飞凌)科技股份有限公司推出第三代thinQ!SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从
英飞凌推出TO-220 FullPAK封装的第二代SiC肖特基二极管
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使
新品速递 时间：2010/5/21 阅读：4653
英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转...
新品速递 时间：2009/10/15 阅读：3072
英飞凌(infineon)科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ!SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界的器件电容...
新品速递 时间：2009/2/23 阅读：2521
