类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2023-05-24 11:44:38 | 568 次阅读
器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构，器件正向压降比上一代解决方案低0.3V，正向压降与电容电荷乘积，即电源能效重要优值系数（FOM），相比上一代解决方案降低17%。
与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °C高温下工作，不会因开关损耗造成能效变化。
器件典型应用包括发电和勘探应用领域FBPS和LLC转换器中的AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试，测试时间和循环次数是AEC-Q101规定的两倍。
产品编号 | IF(AV)(A) | IFSM(A) | IF 下VF(V) | QC (nC) | 配置 | 封装 |
VS-3C04ET07S2L-M3 | 4 | 29 | 1.5 | 12 | 单 | D2PAK 2L |
VS-3C06ET07S2L-M3 | 6 | 42 | 1.5 | 17 | 单 | D2PAK 2L |
VS-3C08ET07S2L-M3 | 8 | 54 | 1.5 | 22 | 单 | D2PAK 2L |
VS-3C10ET07S2L-M3 | 10 | 60 | 1.46 | 29 | 单 | D2PAK 2L |
VS-3C12ET07S2L-M3 | 12 | 83 | 1.5 | 34 | 单 | D2PAK 2L |
VS-3C16ET07S2L-M3 | 16 | 104 | 1.5 | 44 | 单 | D2PAK 2L |
VS-3C20ET07S2L-M3 | 20 | 110 | 1.5 | 53 | 单 | D2PAK 2L |
VS-3C04ET07T-M3 | 4 | 29 | 1.5 | 12 | 单 | TO-220AC 2L |
VS-3C06ET07T-M3 | 6 | 42 | 1.5 | 17 | 单 | TO-220AC 2L |
VS-3C08ET07T-M3 | 8 | 54 | 1.5 | 22 | 单 | TO-220AC 2L |
VS-3C10ET07T-M3 | 10 | 60 | 1.46 | 29 | 单 | TO-220AC 2L |
VS-3C12ET07T-M3 | 12 | 83 | 1.5 | 34 | 单 | TO-220AC 2L |
VS-3C16ET07T-M3 | 16 | 104 | 1.5 | 44 | 单 | TO-220AC 2L |
VS-3C20ET07T-M3 | 20 | 110 | 1.5 | 53 | 单 | TO-220AC 2L |
VS-3C16CP07L-M3 | 2 x 8 | 54 | 1.5 | 22 | 共阴极 | TO-247AD 3L |
VS-3C20CP07L-M3 | 2 x 10 | 60 | 1.46 | 29 | 共阴极 | TO-247AD 3L |
VS-3C40CP07L-M3 | 2 x 20 | 110 | 1.5 | 53 | 共阴极 | TO-247AD 3L |
新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为八周。
联系邮箱：3342987809@qq.com
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