Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120...
时间：2026/3/23 阅读：80 关键词：Vishay
Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G OptoMOS 固态继电器
新型60 V、900 mA常开SSR采用紧凑型DIP-4和SMD封装，可提供5000 VRMS强化隔离和高达+105°C的可靠运行。 Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司...
时间：2026/3/20 阅读：65 关键词：Littelfuse
Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供...
时间：2026/1/28 阅读：127 关键词：Littelfuse
重磅发布！XMOS推出HiFi专属功能集“XMOS Powered”首款搭载产品Fosi Audio DS3惊艳上市
在HiFi音频领域深耕十年的XMOS，日前正式推出专为HiFi应用打造的高性能功能集“XMOS Powered”，并迎来首款搭载该功能集的产品——Fosi Audio DS3便携解码耳放震撼上市，为音频行业注入全新技术活力！ 关于XMOS Powered：重新定义HiFi...
时间：2026/1/28 阅读：94 关键词：XMOS
Toshiba-东芝推出适用于工业设备过流检测的高速响应、I/O全范围双通道比较器（CMOS）
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出一款双通道比较器（CMOS）——“TC75W71FU”。该产品具有高速响应和I/O全范围（轨到轨）的特点，适用于工业设备[1]中的过流检测。新产品于今日起开始出货。 工业设备在电机...
时间：2026/1/28 阅读：150 关键词：Toshiba
Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，...
时间：2026/1/27 阅读：147 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌CoolMOS 8为长城电源的电源技术系统性能优化树立了新标杆
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）凭借其硅基功率MOSFET技术CoolMOS ，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的6...
时间：2026/1/23 阅读：238 关键词：Infineon
三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品
三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车...
分类：新品快报 时间：2026/1/14 阅读：97778
英飞凌CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件
CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关...
分类：新品快报 时间：2026/1/5 阅读：103417
X-FAB XbloX平台加速可扩展、高性能碳化硅 MOSFET解决方案上市进程
当前，汽车、工业、能源及数据中心等领域正积极开展下一代碳化硅功率 MOSFET 的设计与开发，对于无晶圆厂开发者而言，此时与能缩短产品上市时间的代工厂合作，无疑是最佳时机。 XbloX 宽禁带（WBG）半导体分立器件代工模式所采用的标...
分类：新品快报 时间：2025/12/5 阅读：109631
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，在新能源汽车、储能系统、开关电源等中大功率场景中应用广泛，其短路失效是最常见且危害最大的故障类型之一。MOSFET短路失效会直接导致电路短路、器件烧毁，甚至引发电源模块损坏、终端设备宕机，...
基础电子 时间：2026/3/25 阅读：207
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，广泛应用于新能源汽车、储能系统、开关电源、工业控制等中大功率场景，其寿命与可靠性直接决定终端设备的服役周期、运行稳定性及运维成本。在实际应用中，MOSFET常因电应力、热应力、环境应力等因...
基础电子 时间：2026/3/24 阅读：383
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，广泛应用于新能源汽车、储能系统、开关电源、工业控制等场景，其性能一致性直接决定系统的稳定性、效率与可靠性。在实际生产与应用中，即使是同一型号、同一厂家的MOSFET，不同生产批次之间也会存...
基础电子 时间：2026/3/23 阅读：158
在新能源汽车、储能系统、大功率电源模块等大电流场景中，单颗MOSFET的电流承载能力往往无法满足需求，多颗MOSFET并联成为提升电流容量、降低单颗器件损耗的核心方案。但并联后的MOSFET易出现电流不均、热量集中等问题，若散热设计不合理...
基础电子 时间：2026/3/20 阅读：365
随着全球“双碳”目标推进，新能源产业进入高速发展期，光伏、新能源汽车、储能、充电桩等设备向高效化、高压化、小型化迭代，对功率半导体器件的性能提出了更高要求。MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）凭借开关速度快、导通损耗...
基础电子 时间：2026/3/18 阅读：381
逆变器作为电能转换的核心设备，主要实现直流电能（DC）向交流电能（AC）的转换，广泛应用于光伏并网、车载电源、储能系统、工业变频等领域。随着逆变器向高频化、高效化、小型化发展，功率开关器件的性能成为决定逆变器转换效率、可靠性...
基础电子 时间：2026/3/17 阅读：195
锂电池凭借高能量密度、长循环寿命等优势，已成为移动电子、新能源汽车、储能系统等领域的核心储能单元。然而，锂电池在过充、过放、过流、短路等异常工况下，存在严重的安全隐患，可能导致电池起火、爆炸。电池保护电路（BMS，电池管理...
基础电子 时间：2026/3/16 阅读：224
MOSFET凭借高频开关特性、低导通损耗、小体积等优势，成为高频电源、电机驱动、逆变器等设备的核心功率器件。在高频开关场景中（开关频率通常≥100kHz），MOSFET需承受频繁的导通与关断切换，若设计不合理或工况异常，极易出现损坏故障，...
基础电子 时间：2026/3/11 阅读：327
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）凭借高频开关特性、低驱动损耗、小体积等优势，已成为中小功率电机驱动系统的核心功率器件，广泛应用于直流无刷电机（BLDC）、步进电机、直流有刷电机的驱动场景，覆盖工业自动化、车载电子、智...
基础电子 时间：2026/3/10 阅读：201
MOSFET作为电源、电机驱动、工业控制等系统中的核心功率器件，其工作可靠性与寿命直接由结温控制，而PCB布局作为MOSFET散热的关键环节，直接决定热量传导效率与结温控制效果。很多工程师在设计中，往往重视MOSFET选型与散热片搭配，却忽...
基础电子 时间：2026/3/9 阅读：175
