Toshiba-东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC...
时间：2026/9/28 阅读：104 关键词：Toshiba
Teledyne e2v扩展其Flash CMOS图像传感器系列，推出新的1K和8K型号
Teledyne科技旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v今日宣布推出Flash? 1K2和Flash 8K，这是其Flash CMOS图像传感器系列的最新成员。这些新传感器加入到现有的Flas...
分类：新品快报 时间：2026/9/10 阅读：25189
思特威全新推出超星光级1/2.8英寸高清夜视全彩CMOS图像传感器
CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens，股票代码688213），正式推出其Star Light（SL）超星光级系列智能安防应用图像传感器新品——SC185SL。作为1/2.8英寸大靶面背照式...
分类：新品快报 时间：2026/8/19 阅读：11609 关键词：思特威
思特威推出13MP及5MP消费电子应用CMOS图像传感器升级新品
CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens，股票代码688213），宣布推出两款消费电子应用CMOS图像传感器升级新品——SC1325CS和SC525CS。两款新品均基于思特威SmartClarity-3...
分类：新品快报 时间：2026/8/14 阅读：16257 关键词：思特威
Infineon-麦米电气采用英飞凌CoolMOS 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器
中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）最...
时间：2026/7/27 阅读：155 关键词：Infineon
SmartSens-“暗光之王”系列再增新品！思特威推出800万像素4K高清超星光级智能安防应用CMOS图像传感器
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出800万像素4K高清Star Light(SL)超星光级智能安防应用图像传感器——SC855SL。作为1/1.8"靶面尺寸的背照式图像传感器，SC855SL基于思特威先...
时间：2026/7/23 阅读：145 关键词：SmartSens
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实...
分类：新品快报 时间：2026/7/13 阅读：15962 关键词：SiC MOSFET
7月，国产MOS管市场出现了较为明显的全线涨价行情，从低压小信号管到中高压功率器件，多个常规型号出现不同程度调价上涨。结合近期线下渠道反馈来看，这一轮涨价并不是单一...
分类：维库行情 时间：2026/7/10 阅读：428
东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基...
分类：新品快报 时间：2026/7/1 阅读：8742 关键词：东芝
思特威全新推出4K 1/3英寸智能安防应用CMOS图像传感器
思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出4K 1/3英寸智能安防应用CMOS图像传感器——SC832HAI。新品基于思特威SmartClarity-3技术平台打造，搭载思特威Lightbox IR、Sm...
分类：新品快报 时间：2026/6/26 阅读：10916 关键词：思特威
CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe，而NOMS要加入SiC？
在先进CMOS制程迭代过程中，当工艺节点迈入90nm及以下，单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭，短沟道效应、载流子迁移率衰减、器件漏电升高等问题持续凸显。为了在不过度增加工艺复杂度与功耗的前提下提升晶体管导通性能，业界...
基础电子 时间：2026/9/9 阅读：569
在功率电子电路的实际应用中，常常会遇到这样一种令人困扰的情况，当体二极管已经处于反偏状态时，MOS 管开通瞬间的电流却突然抬高。以半桥电路为例，通常半桥中的两只 MOS...
设计应用 时间：2026/9/2 阅读：356
在电子电路领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的电子元件，其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到，在 V_gs（栅源电压）上升过程中并非 “一帆风顺”，会产生一个著名的 “台阶”，也就...
基础电子 时间：2026/8/28 阅读：315
TTL（Transistor - Transistor Logic）是由双极型晶体管 BJT（三极管）集成逻辑构成芯片或者器件。TTL 逻辑门判断输入信号为高电平 (1) 或低电平 (0) 的关键阈值电压是 2.0V。当输入电压 > 2.0V 时通常被认为是高电平 (1)；输入电压 &...
基础电子 时间：2026/8/28 阅读：256
在电子设计领域中，三极管和 MOS 管是极为常见且关键的元器件，而下拉电阻在它们的应用中起着不可忽视的重要作用。下面将为大家深度剖析三极管和 MOS 管下拉电阻的作用。 关于三极管 三极管是一种电流型驱动元器件，在电子电路设计...
基础电子 时间：2026/8/26 阅读：198
它为何能瞬间从休眠中恢复？电脑的 CPU 又为何能以每秒数十亿次的速度处理信息？在这背后，有一位默默奉献且无处不在的 “幕后英雄”——MOSFET （金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）。它宛如电子世界里的微型智能水闸，精准掌控着电...
基础电子 时间：2026/8/26 阅读：186
超级结 MOSFET（SJ - MOSFET）是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时，易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 ...
设计应用 时间：2026/8/25 阅读：219
在修理电视机及各类电器设备的过程中，常常会碰到各种元器件损坏的情况，MOS 管便是其中较为常见的一种。对于维修人员而言，如何利用常用的万用表来准确判断 MOS 管的好坏...
设计应用 时间：2026/8/25 阅读：240
在半导体器件的世界里，MOS 管作为核心组件之一，其性能的稳定性至关重要。在 WAT 和可靠性评估中，MOS 管的击穿电压 Vb 是一项不容忽视的关键电性参数。虽然它不像 Idsat...
设计应用 时间：2026/8/18 阅读：195
在现代电子电路设计领域，MOS 管堪称最为常用的器件之一，其选型的恰当与否，直接关系到电路的性能表现与可靠性程度。为产品精准匹配一款合适的 MOS 管，能够确保设备实现最高效、最稳定且持久的应用效果。接下来，我们将详细探讨 MOS 管...
基础电子 时间：2026/8/17 阅读：211
