在现代电子电路不断发展的背景下，MOS 管作为一种至关重要的电压驱动型器件，其应用、选型及工作损耗等方面的问题备受关注。本文将深入探讨 MOS 管的类型与应用、关键参数以及工作过程中的损耗，并提出相应的降低损耗方法。MOS 管的类型...
基础电子 时间：2025/7/24 阅读：144
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电...
基础电子 时间：2025/7/22 阅读：305
1. 基本定义TTL电平（Transistor-Transistor Logic）基于双极型晶体管（BJT）的逻辑电平标准，主要用于早期数字电路（如74系列芯片）。电压范围：逻辑 1（高电平）：≥2.4V（典型5V供电）。逻辑 0（低电平）：≤0.8V。CMOS电平（Compleme...
基础电子 时间：2025/7/16 阅读：170
在电子世界的晶体管家族中，NMOS（N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）与 PMOS（P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）宛如一对默契配合的 “电子开关”，精准掌...
设计应用 时间：2025/7/15 阅读：197
在现代电子技术领域，Mos 管（场效应管）是一种至关重要的电子元件，它在众多电子设备和电路中都有着广泛的应用。下面我们将从 Mos 管的简介、结构、工作原理、分类、部分...
设计应用 时间：2025/7/14 阅读：217
ADI CMOS 开关 ADG1412 取代 PhotoMOS 开关方案解析
在自动测试设备（ATE）的相关应用中，ADI 的互补金属氧化物半导体（CMOS）开关脱颖而出，成为了进行存储器晶圆探针电源测试的理想之选。它具有快速导通速度和良好的可扩展...
技术方案 时间：2025/7/11 阅读：264
安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必...
设计应用 时间：2025/7/10 阅读：178
在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了...
基础电子 时间：2025/7/10 阅读：134
在电子电路中，MOS 管和三极管是非常重要的电子元件，而它们电路中的电阻和电容也发挥着不可或缺的作用。本文将详细解释三极管中电容 C25 的滤波作用和基极电阻 R35、R37 的功能，以及 MOS 管栅极电阻 R42、R43 的限流与开启特性，同时强...
基础电子 时间：2025/7/9 阅读：191
PMOS管工作原理及详解PMOS管（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，P沟道金属氧化物半导体场效应管）是一种基于空穴导电的场效应晶体管，与NMOS管互补，共同构成CMOS技术的基础。以下是其工作原理、特性及应用...
基础电子 时间：2025/7/7 阅读：187
