MOSFET作为电力电子系统的核心开关器件，广泛应用于电源转换、电机驱动、工业控制等场景，其工作可靠性直接决定整个系统的稳定性。过热是MOSFET最常见的失效诱因之一，当芯片结温超过额定最大结温（常规为150℃）时，会导致器件参数漂移...
基础电子 时间：2026/2/6 阅读：244
MOSFET作为电力电子系统的核心开关器件，工作时会因导通损耗、开关损耗产生热量，若热量无法及时散发，会导致结温升高，进而引发参数漂移、寿命缩短，甚至烧毁器件。工业控制、新能源、电机驱动等大功率场景中，散热设计不合理是MOSFET失...
基础电子 时间：2026/2/5 阅读：285
MOSFET作为电力电子领域核心的开关器件，按封装形式可分为贴片MOSFET（SMDMOSFET）与插件MOSFET（Through-HoleMOSFET）两大类。二者核心导电原理一致，但因封装结构不同，在体积、散热、装配工艺、应用场景上差异显著，直接影响电路设计...
基础电子 时间：2026/2/4 阅读：229
阈值电压Vth（ThresholdVoltage）是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）最核心的电气参数之一，直接决定器件的导通与截止状态，其参数特性直接影响驱动电路设计、开关速度、功耗控制及系统可靠性。在实际选型与电路设计中，工程师...
基础电子 时间：2026/1/30 阅读：152
MOSFET作为功率电子电路的核心器件，选型直接决定系统效率、可靠性与成本控制。但在实际设计中，工程师常因对参数理解偏差、场景评估不足、忽视协同匹配等问题陷入选型误区，最终导致器件过热烧毁、效率低下、系统故障等隐患。本文梳理工...
基础电子 时间：2026/1/28 阅读：197
MOSFET是电机驱动电路的核心功率器件，承担电流控制与能量转换的关键作用，其选型直接决定电机运行效率、响应速度、可靠性及驱动电路稳定性。电机驱动场景存在启动电流大、负载波动剧烈、续流应力突出等特点，与普通电源场景选型逻辑差异...
基础电子 时间：2026/1/27 阅读：177
低压大电流MOSFET（通常指耐压≤60V、漏极电流≥50A）是电机驱动、开关电源、储能系统、车载电子等场景的核心功率器件，其选型直接决定电路效率、散热压力、可靠性及成本控制。与高压小电流MOSFET不同，低压大电流场景下，导通损耗、散热...
基础电子 时间：2026/1/26 阅读：160
MOSFET的导通与关断状态由栅极电压精准控制，栅极需获得足够电压以驱动沟道形成，确保器件稳定工作。实际电路设计中，栅极电压不足是常见故障诱因，多源于驱动电路设计不当、电压跌落、参数匹配失误等，会引发器件性能劣化、电路效率下降...
基础电子 时间：2026/1/23 阅读：208
耐压能力是MOSFET选型的核心安全指标，直接决定器件能否抵御电路中的电压应力，避免介质击穿、短路烧毁等故障。实际工程设计中，多数选型失误源于对耐压参数的认知偏差、场景工况评估不足，或盲目套用标称值，最终导致产品可靠性下降、故...
基础电子 时间：2026/1/22 阅读：319
MOSFET的选型直接决定电子电路的可靠性、效率与安全性，而电压、电流作为核心参数，是选型的首要依据。若电压冗余不足易导致器件击穿，电流承载不够则引发过热烧毁，二者需精准匹配电路工况，同时兼顾导通电阻、封装散热等辅助特性。本文...
基础电子 时间：2026/1/21 阅读：192
