Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2,适用于汽车和工业功率电子应用
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系...
时间:2025/7/24 阅读:109 关键词:Infineon
思特威推出50MP 1英寸超高动态范围旗舰手机应用CMOS图像传感器
思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213)近日宣布,重磅推出5000万像素1英寸高端旗舰手机应用图像传感器新品——SC5A5XS。此款新品基于...
分类:新品快报 时间:2025/7/24 阅读:1811 关键词:思特威
基于多个高功率应用案例,我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势,两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间,但分立MOSFET却能带来独特优势:设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满...
时间:2025/7/23 阅读:88 关键词:ST
思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213)近日宣布,推出Automotive Sensor(AT)Series系列3MP车规级图像传感器性能升级新品——SC326AT...
分类:新品快报 时间:2025/7/11 阅读:2803 关键词:思特威
Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术:重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器
在众多领域,如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中,低功耗辅助电源虽常被忽视,但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸...
分类:新品快报 时间:2025/7/5 阅读:2715 关键词:Wolfspeed
CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场,英飞凌助力功率电子应用升级
德国慕尼黑传来消息,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司,正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系...
分类:新品快报 时间:2025/7/2 阅读:2545 关键词:MOSFET
Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结(SJ)MOSFET产品系列,使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性...
时间:2025/6/24 阅读:97 关键词:Infineon
思特威重磅发布 50MP 超高动态范围手机 CMOS 图像传感器
思特威于宣布推出一款具有重大意义的产品 ——50MP 超高动态范围手机应用 CMOS 图像传感器。 CMOS 图像传感器作为手机摄像头的核心部件,对于手机拍摄的成像质量起着决...
分类:名企新闻 时间:2025/6/19 阅读:561 关键词:思特威
当今科技飞速发展的时代,半导体技术作为现代电子技术的基石,正面临着新的挑战与机遇。硅(Si)作为应用最为广泛的半导体材料,凭借其丰富的储量和微型化优势,推动了半导...
分类:业界动态 时间:2025/6/18 阅读:527 关键词:半导体
Vishay新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36℃/W,并配有易于吸附焊锡的侧翼,从而改善工业应用的热性能和可焊性 美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年5月29日—日前,威世科技Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,...
时间:2025/6/13 阅读:125 关键词:Vishay
Smartsens-思特威推出首颗医疗应用200万像素CMOS图像传感器
思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213)近日宣布,全新推出2MP超小尺寸医疗应用CMOS图像传感器——SC1400ME。此款新品基于思特威先进的SmartClarity-3技术平台打造,搭载了思特威专利SFCPixel技术,...
时间:2025/6/12 阅读:93 关键词:Smartsens
思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213)近日宣布,全新推出2MP超小尺寸医疗应用CMOS图像传感器——SC1400ME。此款新品基于思特威先进...
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 ...
分类:新品快报 时间:2025/6/4 阅读:2637 关键词:ROHM
Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一款采用无引线键合(BWL)封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSF...
分类:新品快报 时间:2025/5/30 阅读:5231 关键词:Vishay
Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
-四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新...
时间:2025/5/29 阅读:111 关键词:Toshiba