贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新...

分类：新品快报 时间：2024/7/25 阅读：386

圭步微电子发布全球首颗8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片

我司荣幸地宣布一项具有里程碑意义的技术成果：经过团队的不懈努力和深入研究，我们成功研发出了业界首颗高性能8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片。目前芯片测试性能优异...

分类：新品快报 时间：2024/7/16 阅读：280 关键词：雷达射频单芯片

思特威推出PC感知摄像头应用全局快门CMOS图像传感器

近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出笔记本电脑与平板系列超小尺寸全局快门图像传感器SC038MPC(0.3MP)及SC020MPC(0.16MP)。...

分类：新品快报 时间：2024/7/12 阅读：377 关键词：CMOS图像传感器

CMOS芯片，要变了

imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示：“几十年来，用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)（如 CPU 和 GPU）的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人...

分类：业界动态 时间：2024/7/2 阅读：256 关键词：CMOS芯片

英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年...

分类：新品快报 时间：2024/6/26 阅读：370 关键词：英飞凌

英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为...

分类：新品快报 时间：2024/6/25 阅读：349 关键词：英飞凌

英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...

分类：新品快报 时间：2024/6/14 阅读：471 关键词：英飞凌

纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度

GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的...

分类：新品快报 时间：2024/6/13 阅读：320 关键词：碳化硅MOSFET

长光辰芯发布4K真彩色高速线阵CMOS图像传感器

长光辰芯发布全新4K线阵产品——GL7004，该产品具备高行频、低功耗、高集成度等优势，同时相比于同类型产品性价比更高。GL7004进一步拓展了长光辰芯的线阵产品线，为用户在...

分类：新品快报 时间：2024/5/29 阅读：336 关键词：长光辰芯

英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列

英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英...

分类：新品快报 时间：2024/5/29 阅读：294 关键词： MOSFET系列

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK－7封装

Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...

分类：新品快报 时间：2024/5/23 阅读：316 关键词：SiC MOSFET