耐辐射的P通道MOSFET用于空间

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2025-03-07 10:52:45 | 967 次阅读

  Infineon说,Infineon引入了低地球轨道(LEO)空间应用“具有适用于持续两到五年的辐射性能”的低地球轨道(LEO)空间应用的耐辐射P通道塑料填充的电动机。

  Infineon太空PCHAN MOSFET TO252 BUP06CP038F-01它是一个60V的P通道MOSFET,并连接了四个N通道空间设备,可在TO247或D2PAK塑料包装中使用60V或150V。

  P-channel称为BUP06CP038F-01,以DPAK(TO252)形式出现,并在35A连续时为46Mev cm2/mg,让单个事件效应(请参阅),总电离剂量(TID)为30至50krad(SI)。
  根据该公司的说法,其对空间应用的资格“根据AEC-Q101的相关测试”,“包括在内的盐和盐氛围测试等方案测试作为资格的一部分”。
  连接至病例的热电阻为1.2K/wm,运行量超过-55至 +175°C。
  35A值在25°C下,在100°C下降至28a。峰值是140a。
  在35a 25°C下,在门上有10V,电阻为38mΩ-接近32MΩ的典型值。

关键词:MOSFET

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