类别：其他 出处：网络整理 发布于：2025-05-29 16:47:38 | 57 次阅读
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
（除非另有说明，Ta＝25°C）
器件型号 | TW031V65C | TW054V65C | TW092V65C | TW123V65C | |||
封装 | 名称 | DFN8×8 | |||||
尺寸（mm） | 典型值 | 8.0×8.0×0.85 | |||||
额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 650 | |||||
栅极-源极电压VGSS（V） | –10至25 | ||||||
漏极电流（DC）ID（A） | Tc＝25°C | 53 | 36 | 27 | 18 | ||
电气特性 | 漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ） | VGS＝18V | 典型值 | 31 | 54 | 92 | 123 |
栅极阈值电压Vth（V） | VDS＝10V | 3.0至5.0 | |||||
总栅极电荷Qg（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 65 | 41 | 28 | 21 | |
栅极-漏极电荷Qgd（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 10 | 6.2 | 3.9 | 2.3 | |
输入电容Ciss（pF） | VDS＝400V | 典型值 | 2288 | 1362 | 873 | 600 | |
二极管正向电压VDSF（V） | VGS＝–5V | 典型值 | –1.35 | ||||
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第3代SiC MOSFET特性
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