类别：其他 出处：网络整理 发布于：2023-07-05 17:33:18 | 183 次阅读
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。
通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并终实现了开关电源效率的提高。未来，东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线，以及已发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。
图1：漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较
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