在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下，美光科技近日做出了一项重大投资决策，进一步加大在美国本土的投资力度，以巩固其在内存制造领域的领先地位。
当地时间 6 月 12 日，美光宣布将在美国的投资从此前宣布的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元（按现汇率约合 1.44 万亿元人民币）。这一新增的 750 亿美元投资包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 500 亿美元的研发投资。如此大规模的投资增长，显示了美光对美国市场的信心以及在半导体领域持续投入的决心。
美光此前已经启动了位于其总部爱达荷州博伊西的 1 座 DRAM 内存晶圆厂建设，并计划在纽约州克莱再建设 4 座大型内存晶圆厂。此次新公告进一步明确了其建设计划，将在博伊西加建一座晶圆厂、建设 HBM 封装设施，同时对弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂进行扩建和现代化改造。
马纳萨斯晶圆厂将专注于制造已相对成熟的 1 - alpha (1a nm) DRAM，这对于保障美国多个关键领域的内存供应具有重要意义。美国商务部已敲定对该项目提供 2.75 亿美元的《CHIPS》法案补贴，使得美光所获直接资金支持总额上升至 64 亿美元。这笔补贴将有助于美光推进晶圆厂的建设和升级，提高生产效率和产品质量。
美光在博伊西新建的第一座晶圆厂计划于 2027 年开始生产 DRAM。纽约州克莱的建设项目有望在今年晚些时候启动地面准备工作。美光预计博伊西的第二座新晶圆厂将在克莱的第一座晶圆厂之前上线。而在博伊西的两座新厂竣工后，HBM 封装项目也将随之启动。
从行业发展的角度来看，美光的这些投资和建设计划将对美国半导体产业的发展产生积极影响。一方面，增加的产能将有助于满足市场对内存产品不断增长的需求；另一方面，大规模的研发投资有望推动半导体技术的创新和进步。
