三星晶圆代工,签下1183亿元大单

类别:业界动态  出处:网络整理  发布于:2025-07-28 10:50:12 | 180 次阅读

  据三星电子28日发布的消息,公司近日与一家国际巨头签订了半导体代工(晶圆代工)生产合同,合同金额达22.7648万亿韩元(约合人民币1183亿元),合同期截至2033年12月31日。三星电子称,遵从商业保密原则,无法公开合同方以及合同详情。
  三星晶圆代工, 一季度表现不佳
  根据TrendForce的报告,三星晶圆代工在2025年第一季度的营收为28.9亿美元,较上一季度下降11.3%。该公司在全球晶圆代工市场的份额也从2024年第四季度的8.1%小幅下降至7.7%。这表明三星未能获得大客户,原因可能是节点良率低、与系统大规模集成电路(LSI)部门存在数据共享风险以及其他原因。
  TrendForce的研究结果指出,2025年前三个月三星晶圆代工业务下滑的主要原因有两个。第一,该公司对中国消费者补贴计划的敞口有限;第二,美国对先进节点的限制。
  不出所料,台湾的台积电在2025年第一季度以67.6%的市场份额和255亿美元的营收领跑全球晶圆代工市场。同样,中国大陆的中芯国际营收增长了1.8%,达到22.5亿美元,市场份额从上一季度的5.5%增长至6%。这些数据巩固了中芯国际在晶圆代工市场第三名的位置。
  更重要的是,这对三星来说是一个警示,因为它一直在探索不同的策略,以在晶圆代工领域站稳脚跟。如果这家韩国公司在未来几个月内未能改善其晶圆代工业务,中芯国际很有可能超越它。理想情况下,三星希望赶上台积电,但现在它面临着被中芯国际夺走第二名的风险。
  然而,三星仍然乐观地认为,随着 2nm 制程时代的到来,其市场地位将有所回升。该公司计划将其 2nm Exynos 2600 芯片集成到即将推出的 Galaxy S26 系列中。如果成功,这将有助于重拾高通和英伟达等主要代工客户的信任。
  三星芯片业务有望通过新工艺反弹
  三星电子的芯片制造设备解决方案 (DS) 部门将采用更精细的制造工艺,以实现更快、更强大的计算能力,旨在获得全球大型科技公司的订单,这提高了人们对其从长期盈利低迷中反弹的预期。
  据业内官员本月初透露,三星电子副董事长兼 DS 部门负责人全永铉此前访问了美国,并会见了包括英伟达在内的全球大型科技公司的同行。
  他的会议细节尚不清楚,但据报道,他讨论了三星为人工智能 (AI) 处理器提供高带宽内存 (HBM) 的潜在供应以及该公司的代工能力。
  此次会议召开之际,该公司近期获得了采用10纳米1c级工艺生产的DRAM的生产准备批准。该批准适用于已准备好量产的产品。
  1c 制程指的是 10 纳米级的第六代制造工艺,分为六个阶段:1x、1y、1z、1a、1b 和 1c。这一进步体现了更精细的节点尺寸,从而带来了更强大的计算能力和更高的能效。1c 制程大约相当于 11 纳米。
  据悉,三星计划采用其1c工艺生产的DRAM作为HBM4的核心芯片,HBM4是三星、SK海力士和美光正在准备在今年下半年量产的、的HBM芯片。
  SK海力士和美光已将其下一代HBM4芯片样品发送给主要客户进行测试,但据报道,已发送的芯片采用1b工艺制造。三星计划通过使用1c工艺来突出其HBM4的差异化特性。
  作为该计划的一部分,该公司将恢复位于京畿道平泽市的4号工厂的扩建。4号工厂初计划为其代工业务增加生产线,但该公司已决定安装1c工艺的生产线。
  该公司亏损的代工业务也在寻求反弹。
  三星代工厂目前正在采用其 8 纳米工艺生产英伟达的 T239 芯片组。T239 是任天堂 Switch 2 的主处理器,这款游戏机是任天堂有史以来销售快的游戏机,上市四天全球销量就达 350 万台。科技媒体预计,这款游戏机将为三星带来超过 12 亿美元的销售额。
  人们对三星更精细的制造工艺的期望也越来越高。三星代工厂已开始采用其 3 纳米工艺为 Galaxy Z Flip 7 量产 Exynos 2500 应用处理器,该处理器将于 7 月 9 日的发布会上亮相。
  由于 Exynos 2500 未被三星旗舰产品 Galaxy S25 系列采用,因此人们对该处理器产生了怀疑,但该公司近提高了其生产良率,并在其网站上宣布该处理器现已“量产”。
  今年下半年,该公司还将为 Galaxy S26 系列生产采用 2 纳米工艺的 Exynos 2600。
  据悉,三星晶圆代工厂还正利用2纳米级和Gate-All-Around技术,争取高通下一代应用处理器和Nvidia图形处理器的订单。
  因此,分析师对三星第三季度盈利前景的预测更加乐观。IM证券分析师宋明燮(Song Myung-sub)预计,三星DS部门今年第三季度的营业利润将达到4.61万亿韩元,同比增长19.43%。
  宋先生表示:“三星近已开始全面生产其1b DDR5,并正在提高其1c工艺的良率。这些进展表明其在传统DRAM领域的竞争力可能有所恢复。然而,其针对Nvidia的12位高HBM3E的似乎被推迟了,而其基于1c工艺的HBM4能否成功仍存在不确定性。”
关键词:三星

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