据digitimes报道，三星
电子将其下一代高带宽
内存 (HBM) 芯片的量产推迟至 2026 年，这表明在正在进行的 DRAM 重新设计工作中，三星电子将采取更加谨慎的推出方式。
该公司初计划在 2025 年下半年开始量产基于 10nm 级第六代 1c DRAM 的 12 英寸 HBM4 模块。不过，据韩国出版物Deal Site报道，三星打算在 2025 年第三季度向主要客户交付早期样品，预计在第四季度全面投入生产。
此次延期正值三星致力于提升其重新设计的1c DRAM芯片的性能和良率之际。据报道，内部测试已取得进展，截至7月初，少量晶圆的良率已达到约65%。然而，这些样品并非专门为HBM应用设计，量产后的实际良率可能会有所不同。
修改1c DRAM的两种策略 通常，内存制造商会先开发用于计算用途的 DRAM 芯片，然后再将该技术应用于移动或 HBM 产品。三星此前在第一季度财报电话会议上重申，HBM4 的开发仍与客户路线图保持一致，目标是在 2025 年底实现量产。然而，的内部信号表明，这一时间可能会推迟到 2026 年。
尽管有所延迟，三星重新设计的1c DRAM似乎正在取得进展。据业内人士透露，该公司正在推行两种策略来改进1c DRAM：一种是修改之前的1a和1b设计，另一种是彻底重新设计以打造新一代芯片。彻底重新设计可以扩大芯片尺寸，从而提高产量，但由于晶圆使用量和开发工作量增加，成本也随之增加。
三星HBM4的成功取决于其能否维持从试生产到量产的良率。业内人士警告称，目前仍需进行额外的测试，且PRA审批并非成功的终指标。良率挑战通常在全面量产过程中出现，稳定产量和质量还需要更多时间。
SK海力士第二季度盈利创纪录 7月24日， SK海力士公布了创纪录的季度业绩，这得益于HBM（高带宽
存储器）和AI相关内存产品的强劲需求。该公司第二季度营业利润同比增长68%，达到9.21万亿韩元（约合67亿美元），销售额增长35%，达到22.23万亿韩元（约合161.6亿美元）。净利润达到6.99万亿韩元（约合50.8亿美元）。HBM及相关DRAM产品占总营收的77%，为内存部门带来了迄今为止强劲的业绩。
SK海力士公布的营业利润数据远超三星电子同期4.6万亿韩元（约合33.4亿美元）的初步集团营业利润。该公司的营业利润率升至41%，现金储备增至17万亿韩元（约合123.6亿美元）。此外，净债务较上一季度减少了4.1万亿韩元（约合29.8亿美元）。
SK Hynix 大胆扩展 HBM，乘上 AI 浪潮SK 海力士大力押注人工智能热潮，希望推动其在 2025 年下半年持续增长。这家韩国芯片制造商预计，在大规模人工智能模型训练、自主人工智能项目和新产品发布的推动下，强劲的需求将持续下去。
SK海力士计划在2025年将HBM的销量翻一番，这得益于其已投入量产的HBM3E芯片的强劲需求。该公司还在为下一代产品HBM4做准备，目标是在今年3月分发早期样品后，于2026年实现商业化上市。
除了HBM之外，SK海力士还计划在今年晚些时候开始出货基于LPDDR的
服务器模块，并通过推出一款新的24Gb芯片来扩展其用于AI
显卡的GDDR7产品线。在NAND内存方面，该公司将保持谨慎的投资策略，优先考虑盈利能力和基于QLC的企业级固态硬盘(SSD)的扩展。
SK海力士已确认其M15X制造工厂将于第四季度按计划投产，包括HBM在内的生产预计将于明年开始。龙仁Cluster 1制造工厂预计将于2027年第二季度竣工。该公司还表示，其2025年的资本支出预计将超过此前的预测。
