三星完成 1c 纳米 DRAM 工艺开发,即将迈向量产新征程

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2025-07-01 13:52:50 | 298 次阅读

  综合韩媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 报道,当地时间 6 月 30 日下午,三星电子对其第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米授予生产准备批准(PRA)。这一举措意味着三星正式完成 1c nm 内存工艺的开发工作,接下来将准备向量产阶段转移。
  三星电子的 HBM4 12Hi 内存将采用 1c nm DRAM Die,所以该内存工艺的实际表现,在很大程度上会影响三星 DS 部门存储器事业部未来 1 - 2 年的营收状况。
  在半导体内存领域的竞争中,三星并非独自前行。此前,SK 海力士和美光也都已完成了第六代 20 - 10nm 制程 DRAM 的开发。这表明全球三大内存原厂在技术研发上持续发力,朝着 10nm 工艺关口又迈进了一步。随着三星完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发并准备量产,未来内存市场的竞争格局可能会发生新的变化。各方都在积极提升自身技术实力和产能,以争夺更大的市场份额。
关键词:三星

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