据韩媒《亚洲日报》报道，三星正积极筹备，计划在本月底之前向
AMD、英伟达等行业巨头提供 HBM4 样品。这一举动预示着存储
芯片市场将迎来一场新的竞争风暴。
回顾过往，三星在 HBM（高带宽
内存）市场的发展历程可谓充满挑战。在 HBM3 时代，三星的推进速度明显滞后，由于未能及时通过英伟达等重要客户的，其营收遭受了沉重打击。尽管在 HBM3E 标准推出后，三星的市场状况有所改善，但始终未能成功跻身英伟达的主流供应链。
不过，三星并未气馁，而是积极寻求突破。为了在 HBM4 领域取得领先，三星计划采用 10 纳米级第六代（1c）DRAM 工艺。这种先进工艺能够使产品更加精密，有效提高生产良率。未来，三星和 SK 海力士都计划在下半年正式实现 HBM4 的量产，并在明年全面展开激烈角逐。目前，SK 海力士向英伟达供应 HBM3E 的局面有望被打破。
随着 HBM 供应链厂商的增加，市场格局将发生显著变化。英伟达在明年即将发布的新款 AI 加速器 “Rubin” 的定价上，将拥有更大的话语权，预计 AMD 的 MI400 也会出现类似情况。投资银行高盛对此分析认为，由于竞争的加剧，预计明年 HBM 的价格将下降 10%。HBM 的定价权将逐渐从制造商转移到以英伟达为代表的客户手中，这意味着 SK 海力士长期垄断 80 - 90% 英伟达订单的局面将一去不复返。
即便三星终未能通过英伟达的相关，HBM 的价格下降趋势也难以避免。因为英伟达手中还有已通过的美光这张 “”，可以以此为筹码，要求 SK 海力士给出更合理的价格。
HBM（高带宽内存）是由三星
电子、AMD 和 SK 海力士共同发起的一种基于 3D 堆栈技术的高性能 DRAM。它适用于对
存储器带宽需求极高的应用场景，如高性能 GPU、网络交换及转发设备、高性能数据中心的 AI ASIC 等领域。
