SK 海力士 2026 年 Q1 交出史上最强季报：营收 52.58 万亿韩元（同比 +198%）、营业利润 37.61 万亿韩元（同比 +405%），双双首次突破历史关口，营业利润率高达 71.5%，均...
分类：名企新闻 时间：2026/4/23 阅读：5846 关键词：SK海力士
SK海力士宣布量产192GB SOCAMM2，专为英伟达Vera Rubin平台设计
韩国存储厂商SK海力士（SK hynix）宣布，已开始量产192GB SOCAMM2，该内存模块是为基于英伟达Vera Rubin平台的AI服务器所设计。 据介绍，SOCAMM2（小轮廓压缩附加内存模...
分类：新品快报 时间：2026/4/21 阅读：13643 关键词：SK海力士
SK 海力士专为英伟达 AI 平台量产 192GB SOCAMM2
据外媒报道，在近年来生成式人工智能热潮的大背景下，SK 海力士成为了其中的一大受益者。该公司为英伟达等厂商供应了大量的高带宽存储器，这使得其业绩实现了大幅提升。数...
分类：业界动态 时间：2026/4/21 阅读：5858 关键词：SK 海力士
存储芯片行业正迎来前所未有的"超级周期"。当全球科技产业还在消化去年芯片短缺的余波时，新一轮的价格狂潮已然席卷而来——这次的主角是存储芯片。作为行业巨头的SK海力士，正乘着这股东风，业绩如火箭般蹿升。最新市场数据显示，存储芯...
分类：业界动态 时间：2026/4/13 阅读：4447
当全球科技巨头还在为AI狂潮抢购内存芯片时，韩国两大存储巨头却突然做出反常举动。三星电子和SK海力士近日宣布全面转向三至五年的长期供应合同模式，彻底放弃沿用多年的短期合约。这一战略转向背后，是否预示着持续飙升的内存价格即将见...
分类：业界动态 时间：2026/4/10 阅读：7003
近期，全球半导体行业面临严峻的供应链挑战，氦气现货价格飙升超过50%，引发韩国芯片巨头三星电子、SK海力士等厂商的激烈抢购。中东冲突的持续升级加剧了氦气供应的不稳定...
分类：业界动态 时间：2026/3/30 阅读：4464
存储巨头在华投资暴增：三星西安厂增资67% SK海力士无锡厂翻倍
全球存储芯片市场正迎来新一轮爆发期，而中国制造基地正成为这场产业升级的核心战场。最新数据显示，三星和SK海力士两大存储巨头2025年在中国工厂的投资额呈现惊人的增长态势，这不仅反映了中国市场的重要地位，更揭示了全球半导体产业链...
分类：业界动态 时间：2026/3/27 阅读：7052
2026年3月24日，全球半导体行业迎来一则震撼消息：韩国存储巨头SK海力士宣布，将斥资11.95万亿韩元（约合547亿元人民币），向ASML韩国公司采购极紫外光刻机（EUV），为下一...
分类：业界动态 时间：2026/3/24 阅读：4835
SK海力士美光入局！全球顶级半导体研发中心50亿美元豪赌技术
半导体行业正在见证一场史诗级的技术联盟诞生。当全球存储器三巨头中的两家——SK海力士与美光，携手设备巨头应用材料砸下50亿美元（约343亿元人民币）共建硅谷EPIC中心时，这场被称为"美国半导体研发史上最大投资"的合作，或将重塑芯片...
分类：业界动态 时间：2026/3/12 阅读：7649
50亿美元豪赌AI未来：应用材料联手美光、SK海力士重塑存储芯片竞赛格局
在全球AI算力需求爆发式增长的背景下，存储芯片正成为新一代技术竞赛的核心战场。半导体设备巨头应用材料公司以50亿美元重注押宝，联合美光科技与SK海力士两大存储芯片龙头，在硅谷打造划时代的EPIC中心（设备和工艺创新与商业化中心），...
分类：业界动态 时间：2026/3/12 阅读：7501
自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 升压电...
设计应用 时间：2022/1/18 阅读：773
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：933
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2740
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：5344
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：3082
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2324
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1715
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1659
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1590
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1721
