SK 海力士公布 DRAM 长期路线图，聚焦 10nm 以下技术
据 ZDNet 报道，继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后，SK 海力士在 6 月 8 日至 12 日于京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会上，公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景，着...
分类：业界动态 时间：2025/6/11 阅读：175 关键词：SK 海力士
外媒报道显示，得益于向英伟达大量供应高带宽存储器（HBM），SK 海力士的 DRAM 业务营收显著提升，进而推动了整体业绩增长。 市场研究机构发布的最新报告表明，在强劲的 ...
分类：业界动态 时间：2025/6/5 阅读：169 关键词： DRAM
SK 海力士一季度首次登顶 TrendForce 季度 DRAM 产业营收榜
TrendForce 集邦咨询公布了 2025 年第一季全球 DRAM 厂自有品牌内存营收排名，SK 海力士首次登上季度内存营收榜首的位置，此前 Counterpoint 的统计也呈现出类似的趋势。 ...
分类：业界动态 时间：2025/6/4 阅读：190 关键词：SK 海力士
三星豪投 HBM4，借 1c DRAM 挑战 SK 海力士市场霸主
近日，有消息传出，三星正通过激进投资策略，试图缩小与 SK 海力士在 HBM4 市场的差距，挑战其霸主地位。 科技媒体 ZDNet Korea 于 5 月 22 日报道，三星计划在韩国华城...
SK 海力士突破：321 层 NAND 闪存 UFS 4.1 方案问世
根据媒体报道，SK 海力士于 5 月 22 日宣布了一项重大技术突破 —— 成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端...
分类：名企新闻 时间：2025/5/22 阅读：212 关键词：SK 海力士
根据外媒报道，台积电在芯片制造市场的份额一直在增加，公司的资本支出（CapEx）也在增加，自 2015 年以来增长了五倍。该公司计划在 2025 年投资 380 亿美元至 420 亿美元...
根据IT之家报道，今年第一季度，该公司在营收和利润方面取得了显著增长，同时其市场销售格局也发生了明显变化。 一季度业绩亮眼 今年第 1 季度，SK 海力士合并收入达...
分类：业界动态 时间：2025/5/16 阅读：235 关键词：SK 海力士
根据外媒报道，在当今的存储芯片市场，美光科技和 SK 海力士无疑是两颗备受瞩目的明星。这两家公司高度专注于 DRAM 和 NAND 的生产，在企业级 SSD 和高带宽内存领域展开了...
据供应链权威渠道消息，其消费级DRAM颗粒价格已上涨约12% 。市场调查公司 DRAMeXchange的市调结果显示，用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb产品的固定交易价格较3月上涨22.22...
SK 海力士一季度利润猛涨 158%，或成 AI 内存芯片新领军者
根据媒体报道，韩国内存行业的巨头 SK 海力士公布了 2025 年第一季度财报，其业绩表现十分亮眼。Q1 营业利润达到 7.44 万亿韩元（约合 52 亿美元），与去年同期相比大幅增...
分类：名企新闻 时间：2025/4/25 阅读：252 关键词：SK 海力士
自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 升压电...
设计应用 时间：2022/1/18 阅读：665
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：784
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2407
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：4977
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：2901
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2218
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1575
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1528
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1490
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1551
