据外媒报道，在上月初，英特尔发布了让外界失望的二季度财报，128亿美元的营收是同比下滑1%，美国通用会计准则下净亏损16亿美元，上一年同期则是有15亿美元的净利润，非美...
分类：名企新闻 时间：2024/9/19 阅读：347 关键词：SK海力士
三星电子内存事业部总裁李正培与SK海力士AI基础设施事业部总裁金柱善在台北举行的“Semicon Taiwan 2024”上发表主题演讲。两位高管都重点介绍了各自公司在下一代内存市场...
分类：业界动态 时间：2024/9/14 阅读：353 关键词：三星
全球两大内存芯片制造商三星电子和SK 海力士正在竞相向包括英伟达在内的客户提供先进的 DRAM 芯片，以享受人工智能热潮。两家韩国公司的高管周三表示，他们正在尽最大努力...
人工智能的快速发展，全球DRAM市场预计将超越晶圆代工行业，全球内存芯片制造商三星电子和SK海力士正在扩大其动态随机存取存储器业务。据业内人士周一首尔透露，全球内存芯...
今年上半年，SK海力士在美国市场的收入较去年同期增长近三倍，达到15.9787万亿韩元（约合、118.3亿美元）。与去年上半年的5.4671万亿韩元相比，增长了惊人的192.2%。收入激...
分类：名企新闻 时间：2024/9/3 阅读：421 关键词：SK海力士
SK海力士8月29日宣布，已开发出业界首款采用其1c节点（10nm工艺的第六代）制造的16Gb DDR5。 这一成功标志着存储器制程技术开始极限微缩至接近10纳米的水平。 10nm级...
SK海力士：存储产品控制器2~3年后将导入Chiplet技术
综合韩媒 The Elec 和 ZDNet Korea 报道，SK 海力士副总裁（也称常务）文起一韩国当地时间昨日在学术会议上称，Chiplet 芯粒 / 小芯片技术将在 2~3 年后应用于 DRAM 和 NAN...
分类：业界动态 时间：2024/8/28 阅读：192 关键词：SK海力士
SK 海力士副总裁柳成洙出席在首尔广津区华克山庄酒店举办的“SK 利川论坛 2024”。在论坛的第二场会议上，柳成洙公布了 SK 海力士的雄心勃勃的战略，即开发一款性能比现有 ...
分类：名企新闻 时间：2024/8/20 阅读：220 关键词：SK 海力士
“SK海力士的弱点是固态硬盘（SSD）。” 至少在2020年之前，半导体行业都是如此。当时，SK海力士在DRAM领域以20-30%的市场份额排名全球第二，在NAND闪存产品领域以10%的...
DRAM IC 也需要使用 EUV 光刻技术。如今，三星和 SK 海力士在几层芯片上使用 EUV，成本高昂。据 The Elec 报道，SK 海力士的一位研究人员在一次行业会议上表示，为了大幅降...
自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 升压电...
设计应用 时间：2022/1/18 阅读：604
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：737
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2312
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：4785
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：2842
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2174
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1529
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1493
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1442
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1509
