据digitimes报道，三星电子将其下一代高带宽内存 (HBM) 芯片的量产推迟至 2026 年，这表明在正在进行的 DRAM 重新设计工作中，三星电子将采取更加谨慎的推出方式。 该公司最初计划在 2025 年下半年开始量产基于 10nm 级第六代 1c DRAM...
分类：业界动态 时间：2025/7/28 阅读：103 关键词：SK海力士
韩国芯片巨头 SK 海力士公布的第二季度财报，无疑在市场上引起了轩然大波。财报数据显示，该公司在二季度的营收和营业利润均创下了历史记录。这一卓越成绩的取得，主要得益...
分类：名企新闻 时间：2025/7/28 阅读：224 关键词：SK 海力士
SK 海力士，作为英伟达高带宽存储器的主要供应商，充分受益于这一市场趋势。今年一季度，SK 海力士就已展现出强劲的增长态势，营收同比大增 42%，净利润达到 8.11 万亿韩元...
分类：名企新闻 时间：2025/7/25 阅读：771 关键词：SK海力士
SK海力士是英伟达(Nvidia)高带宽内存产品的主要供应商，该公司公布第二季度业绩稳健，得益于人工智能芯片需求的强劲增长。 这家韩国内存芯片制造商周四表示，全球大型科...
分类：名企新闻 时间：2025/7/24 阅读：602 关键词：SK海力士
三星本月拟向 AMD、英伟达供 HBM4 样品，挑战 SK 海力士市场地位
据韩媒《亚洲日报》报道，三星正积极筹备，计划在本月底之前向 AMD、英伟达等行业巨头提供 HBM4 样品。这一举动预示着存储芯片市场将迎来一场新的竞争风暴。 回顾过往，三星在 HBM（高带宽内存）市场的发展历程可谓充满挑战。在 HBM3 ...
韩国芯片制造巨头 SK 海力士近日宣布了一项重要战略举措，将在忠清北道清州市建设第七个半导体后处理设施，旨在进一步提升其半导体封装和测试能力。 据业内人士 6 月 24...
分类：名企新闻 时间：2025/6/25 阅读：238 关键词：SK 海力士
根据《华尔街日报》消息，美国拟取消对台积电、三星、SK海力士等企业在华使用美国技术的豁免政策。据悉，美国商务部工业和安全局（BIS）副部长杰弗里·凯斯勒（Jeffrey Kes...
SK 海力士登顶 DRAM 营收，三星电子借良品率改善谋翻身
在全球半导体市场的激烈竞争中，动态随机存取存储器（DRAM）领域的格局近期发生了显著变化。此前，市场研究机构发布的报告显示，受人工智能领域对高带宽存储器（HBM）强劲...
分类：业界动态 时间：2025/6/21 阅读：230 关键词：SK 海力士
在人工智能浪潮席卷全球的当下，高带宽内存（HBM）市场的竞争愈发激烈。继英伟达之后，亚马逊旗下的 AWS 成为 SK 海力士 HBM 业务的又一关键客户。随着全球范围内对 AI 数...
SK 海力士聚焦 HBM 商机，暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购
据韩国媒体 the bell 当地时间 6 月 12 日报道，在 HBM（高带宽内存）市场占据领先地位的 SK 海力士，对其下一代 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存量产线的设备采购节奏...
分类：名企新闻 时间：2025/6/17 阅读：356 关键词：SK 海力士
自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 升压电...
设计应用 时间：2022/1/18 阅读：680
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：796
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2440
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：5023
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：2913
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2229
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1589
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1540
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1503
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1567
