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三星HBM市占飙升，直逼SK海力士

SK海力士在2026年第二季度继续保持第一的位置，市场份额为50%，但较上一季度下降了14个百分点；三星的市场份额跃升至33%，进一步扩大了对美光的领先优势。　　今年第二季度...

分类：业界动态时间：2026/9/4 阅读：7289 关键词：三星

美国拟实施 “定向半导体关税”，三星和 SK 海力士受关注

美国商务部长霍华德?卢特尼克宣布，美国正筹备实施 “定向半导体关税”。该政策依据半导体生产地是否在美国境内，设定不同的关税税率。在美国建设生产设施的半导体公司将获...

分类：业界动态时间：2026/9/3 阅读：7599 关键词：半导体

三星HBM 4，力压海力士

LS Securities 对三星电子和 SK 海力士的目标股价做出重大调整。该公司上调了三星电子的目标股价，同时大幅下调了 SK 海力士的目标股价，这一举措反映出 HBM4（第六代高带...

分类：业界动态时间：2026/8/31 阅读：3858 关键词：三星HBM 4

SK海力士美国先进封装厂动工，2029年下半年量产“美国制造”HBM4E

在人工智能产业蓬勃发展的大背景下，SK 海力士在美国印第安纳州西拉法叶普渡大学举行了一场具有重要意义的奠基仪式，其面向 AI 的存储器先进封装生产基地正式动工。该基地...

分类：名企新闻时间：2026/8/28 阅读：7098 关键词：SK海力士

SK海力士CEO：存储缺到2030年

在人工智能蓬勃发展的当下，存储芯片市场的供需情况备受关注。韩国芯片制造巨头 SK 海力士的首席执行官郭卢正（Kwak Noh - Jung）近日表示，全球存储芯片短缺的状况预计将...

分类：业界动态时间：2026/8/28 阅读：4216 关键词：SK海力士

SK 海力士美国考察建前端厂，2027 年存储器供需失衡预警

近期，SK 海力士作为全球领先的高带宽存储器供应商，正悄然展开一项重大战略布局 —— 耗时一个多月在美国考察前端存储晶圆制造厂的潜在选址。这一举措意味着该公司首次公...

分类：业界动态时间：2026/8/17 阅读：3138 关键词：SK 海力士

英特尔CEO陈立武首度暗示重返存储市场，聘前SK海力士CEO李锡熙操盘HBM

英特尔 CEO 陈立武（Lip - Bu Tan）在 TechSurge 播客中公开暗示，英特尔正探索重返存储芯片市场，且将重点目标锁定在高带宽内存（HBM）领域。今年 6 月 18 日入职的前 SK ...

分类：名企新闻时间：2026/8/14 阅读：6332 关键词：英特尔

考虑出售重庆工厂？SK海力士回应来了

SK海力士就“考虑出售重庆工厂”的市场传闻作出回应。公司发布公告称，正在研究多种方案以提升封装业务竞争力，但截至目前尚未确定任何具体事项。SK海力士表示，若未来相关...

分类：名企新闻时间：2026/8/12 阅读：5993 关键词：SK海力士

SK海力士否认：无稽之谈

SK 海力士遭遇了一系列市场传闻和猜测，这使得公司的股价和股东情绪都受到了一定程度的影响。SK 海力士首先否认了一则在市场上流传的关于其以低于市场价 50% 的价格向英伟...

分类：名企新闻时间：2026/8/11 阅读：2455 关键词：SK海力士

曝三星、SK海力士正测试中国芯片设备三星否认

路透社报道称，三星电子和 SK 海力士正在对中微半导体（AMEC）的芯片制造设备进行评估，并且计划在中国工厂使用这些设备。　　据知情人士透露，大约在两年前，三星电子和 S...

分类：业界动态时间：2026/8/6 阅读：8675 关键词：三星 SK海力士

力士技术

电路中的大力士自举电路原理

自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。升压电...

设计应用时间：2022/1/18 阅读：798

深入剖析SK海力士72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。　　在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...

新品速递时间：2018/6/12 阅读：1011