为满足英伟达需求,三星、SK海力士被曝抢在测试完成前量产HBM4
在AI算力竞赛白热化的背景下,半导体行业正上演一场前所未有的供应链变革。据最新消息,三星电子与SK海力士为配合英伟达AI加速器的时间表,打破行业常规,在HBM4内存芯片尚...
分类:业界动态 时间:2026/2/3 阅读:1455
SK海力士豪掷百亿美金布局AI 半导体巨头如何破局智能时代?
当全球科技竞赛进入AI决胜阶段,半导体巨头SK海力士的一纸公告掀起行业巨浪——这家韩国存储芯片霸主宣布将在美国投资100亿美元成立AI解决方案公司(暂定名AICo.)。这不仅...
分类:业界动态 时间:2026/1/29 阅读:8044
内存涨价风暴来袭!您是否想过,手中流畅运行的iPhone可能即将因为内存芯片涨价而变得更贵?近日,半导体行业传出重磅消息,三星电子和SK海力士两大存储巨头已与苹果展开谈判,计划大幅提高iPhone所用LPDDR内存的价格,涨幅最高可能达到...
分类:业界动态 时间:2026/1/28 阅读:4197
iPhone成本要涨?三星、SK海力士向苹果“开刀”,内存最高或涨价100%
近日,存储芯片行业传出重磅消息:三星电子和SK海力士两大巨头已与苹果完成谈判,计划大幅上调iPhone所用LPDDR内存的供应价格。其中三星要求涨价超80%,SK海力士更是近乎翻倍(接近100%)。这一轮涨价潮或将直接推高新款iPhone的生产成本...
分类:业界动态 时间:2026/1/28 阅读:4385
64万元人民币能买什么?在国内二三线城市足以支付一套房子的首付,而这正是全球内存巨头SK海力士给每位员工准备的平均年终奖金额。1月19日,这家韩国半导体企业宣布将发放...
分类:业界动态 时间:2026/1/20 阅读:4672
重磅!SK海力士无锡工厂完成DRAM制程升级 1anm产能占比超九成
全球半导体行业再次迎来重要动态!据韩媒ETNews最新报道,SK海力士位于中国江苏无锡的DRAM内存晶圆厂已完成制程升级,主要生产工艺从1znm跃升至更先进的1anm(第四代10纳米...
分类:业界动态 时间:2026/1/19 阅读:5778
全球半导体行业迎来重要进展——SK海力士近日宣布,其位于韩国龙仁市的新芯片生产基地首座工厂投产时间将提前至2027年2月,较原计划缩短三个月。这一提速标志着该公司在高...
分类:业界要闻 时间:2026/1/15 阅读:51434
SK海力士豪掷19万亿韩元建设P&T7工厂 加速AI内存芯片布局
韩国存储芯片巨头SK海力士于2026年1月13日宣布,将在忠清北道清州市投资19万亿韩元(约合909.91亿元人民币)建设第七座后端晶圆厂P&T7,专注HBM等AI内存的封装与测试需...
分类:业界要闻 时间:2026/1/14 阅读:53030
SK海力士CES 2026震撼亮相:16层48GB HBM4引领AI存储革命
当全球科技界的目光聚焦拉斯维加斯时,SK海力士用一场存储技术的"核爆"级发布点燃了CES 2026的舞台。这家存储巨头不仅兑现了技术承诺,更用16层堆叠的48GB HBM4重新定义了A...
分类:业界动态 时间:2026/1/6 阅读:6903
存储巨头打响涨价第一枪 2026年开年,全球存储市场迎来重磅消息:三星电子与SK海力士正式向服务器、PC及智能手机领域的DRAM客户发出涨价通知,一季度报价较去年四季度大...
分类:业界要闻 时间:2026/1/6 阅读:34465
自举电路也叫升压电路,利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 升压电...
设计应用 时间:2022/1/18 阅读:743
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间:2018/6/12 阅读:875
时隔一年多,在大批锤粉和锤黑的密切关注下,锤子终于发布了坚果手机,虽然大家期待的T2没来,但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体,大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间:2015/9/1 阅读:2683
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...
基础电子 时间:2013/6/20 阅读:5269
惠普公司今天宣布,已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议,双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术,即使用电阻实现存储的ReRAM(Resistive Random Access Memory电阻式存储器)。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间:2011/7/2 阅读:3016
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布:安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针,该探针经过优化,适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间:2009/3/13 阅读:2279
恒忆(Numonyx)宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品,进行技术创新。根据新协议,恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间:2008/8/19 阅读:1649
根据富比世(Forbes)报导,韩厂海力士(Hynix)推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM,号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍,海力士并表示,将推出针对手机平台,结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装(MCP)
新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1596
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产,主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间:2007/11/19 阅读:1549
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元,来替代多个晶体管和电容器的组合,这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来,基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间:2007/11/15 阅读:1649