美光科技于 6 月 5 日宣布了一项重大突破：已开始向合作伙伴提供全球首款基于 1γ（1 - gamma）制程的低功耗 LPDDR5X 内存产品的验证样品。这一举措不仅为旗舰智能手机中的 AI 应用加速带来了新的可能，也在内存市场引发了广泛关注。
这款专为旗舰智能手机 AI 应用加速设计的 LPDDR5X 内存，实现了业内的 LPDDR5X 速度 ——10.7 Gbps，同时可带来高达 20% 的功耗降低。这意味着用户在使用智能手机进行 AI 翻译、图像生成等数据密集型任务时，能获得更流畅的移动体验和更长的电池续航。为满足下一代智能手机对紧凑化设计的需求，美光在封装技术上也有显著突破。其推出的业内薄的 LPDDR5X 封装，厚度仅为 0.61 毫米，相较竞品薄 6%，比上一代产品降低了 14% 的高度，为折叠屏或超薄手机的设计提供了更大的空间。
美光移动与客户端事业部副总裁兼总经理 Mark Montierth 表示，基于 1γ 工艺的 LPDDR5X 内存为移动行业带来了颠覆性变革，其超快速度、卓越的能效表现以及业内薄封装，为全新手机形态奠定了基础。从性能数据来看，该产品的优势十分明显。美光对大语言模型 Llama 2 在移动端的响应速度进行评估，结果显示，基于位置的餐厅推荐响应速度提升约 30%，英语语音询问实时翻译成西班牙语文本的速度提升超过 50%，基于车型、价格和车载娱乐 / 安全功能的购车建议响应速度提升可达 25%。
值得注意的是，这是美光首次在移动内存产品中采用 EUV（极紫外光刻）技术。该 1γ 工艺 DRAM 平台不仅继承了美光在高 - K 金属闸极等 CMOS 制程上的创新，还通过 EUV 提升了晶体管密度与位元容量。此前，这一技术已用于 2024 年 2 月开始送样的 1γ DDR5 数据中心及客户端内存产品。目前，美光已向部分客户提供基于 1γ 工艺的 16GB LPDDR5X 样品，并计划在 2026 年旗舰手机市场推出容量覆盖 8GB 至 32GB 的完整产品组合。
在美光积极推进内存技术发展的同时，内存市场的其他参与者也有不同的进展。今年 1 月，SK 海力士宣布已成功完成内存业界 1c 纳米制程 DRAM 的批量产品，有望在完成量产交接手续后于 2 月初正式启动 1c 纳米 DRAM 量产。如果顺利量产，从 2024 年 8 月宣布成功实现 1c 纳米工艺的 16Gb DDR5 - 8000 DRAM 内存开发到量产，半年时间符合 DRAM 内存行业的一般新制程量产时间表。此外，SK 海力士曾表示，1c 工艺技术将应用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 主力产品群。
然而，三星电子在内存技术开发上遇到了一些波折。原计划于 2024 年底完成 1c DRAM 开发，但因测试芯片良率未达目标，被迫将开发周期延长 6 个月到 2025 年 6 月才能完成。这也导致预定下半年量产的第六代高频宽內存（HBM4）一并延后。尽管 2024 年底三星电子已产出首颗 “良品芯片”，但良率仍低于 70%，远未达到量产要求。业内分析认为良率不足可能与 1c 工艺引入的新材料、EUV 流程优化不足有关，导致制程稳定性不足。为解决良率问题，三星正在对 1c DRAM 进行设计修改，包括放大芯片尺寸以提升稳定性，但这可能牺牲性能密度，与 SK 海力士通过 EUV 优化和新材料实现的高生产率形成对比。
