在 AI 芯片发展的浪潮中，高带宽内存（HBM）市场成为了各大芯片制造商竞争的焦点。当三星电子的 HBM3E 芯片迟迟未能获得英伟达时，美光科技正加速在 HBM 市场的布局，试图抢占由 AI 平台推动而不断增长的市场需求。
美光科技在竞争激烈的 HBM 市场加大了投入力度。在第三财季财报电话会议上，这家美国芯片制造商回应了分析师关于其 HBM 战略的诸多尖锐问题，内容涵盖当前生产良率、客户样品出货、时间表以及如何扩大规模以实现未来增长等方面。此前有消息传出，美光的 12 层 36GB 的 HBM3E 芯片已通过英伟达的质量标准并进入量产阶段，这使得美光成为英伟达即将推出的 B300 AI 加速器的第二家获得下一代 HBM3E 内存的供应商，与韩国的 SK 海力士一同跻身该 “精英阵营”。
相比之下，三星电子的处境则较为尴尬。其 HBM3E 芯片尚未获得英伟达的，这一延迟引发了业内的担忧，担心三星可能在为下一波 AI 计算提供动力的关键领域落后于人。当分析师向美光追问，如果其竞争对手进一步落后，美光能否提高产能时，美光展现出了十足的信心。美光表示，其 12 层 HBM3E 的产能在产量和芯片良率上，比上一代 8 层产品的增长速度更快、效率更高。该公司在制造表现、良率提升和客户关系等多个方面都取得了扎实的成果，而这得益于其采用的先进的 1 - beta (1?) DRAM 工艺。这一工艺不仅用于 HBM3E 芯片，还为下一代 HBM4 芯片提供支持，让美光能够根据市场需求灵活调整不同产品的产能分配。
为了满足日益增长的市场需求，美光正在扩大后端业务。在新加坡，美光的集成式组装和封装生产线正在建设中，新设施预计 2027 年投产。同时，美光透露其 2025 年的 HBM 供应量已全部售罄。
在 HBM4 芯片的布局上，美光也提前做好了准备。随着对 AI 加速器的需求持续飙升，美光正与客户紧密配合，使内存供应与下一代 GPU 和 ASIC 架构相匹配。该公司已开始向多家合作伙伴提供 HBM4 芯片样品，且早期关于性能和技术规格的反馈极为积极。美光预计，待通过客户后，HBM4 芯片将于 2026 年初进入量产阶段。凭借将 HBM3E 从 8 层提高到 12 层的量产经验，美光表示已做好充分准备，以满足 2026 年及以后不断增长的客户需求。
在这场 HBM 市场的竞争中，SK 海力士也在稳步推进。其 HBM4 芯片已于 2025 年初开始样品测试，量产计划于下半年启动。与美光一样，SK 海力士采用成熟的 1b DRAM 工艺，并依托新建的 M15X 工厂提供支持。而三星则选择了一条更具野心但风险更高的路线。该公司押注其第六代 1c DRAM 节点，为 HBM4 的推出提供支撑，量产目标定在 2025 年末。据《朝鲜日报》报道，三星目前 1c DRAM 的良率在 50% 至 70% 之间，且有消息称三星计划从 2026 年起，在华城和平泽工厂加大 1c 产能的投入。
