Infineon-群光电能采用英飞凌CoolGaN G5晶体管，为一线笔记本品牌打造高功率适配器
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，全球领先的笔记本适配器制造商群光电能已采用其CoolGaN G5晶体管，为核心客户提供多款笔记本适配器。该设计方案展示了氮化镓（GaN...
时间：2026/3/23 阅读：157 关键词：Infineon
中国芯片产业再传捷报！北京大学电子学院邱晨光-彭练矛团队在国际顶级期刊《科学·进展》上发表重磅研究成果，成功研制出栅长仅1纳米、工作电压低至0.6V的铁电晶体管，创造了该领域的世界纪录。这项突破将为我国高性能AI芯片发展提供核心...
分类：业界动态 时间：2026/2/25 阅读：4574
Infineon-英飞凌推出首款100V车规级晶体管，推动汽车领域氮化镓（GaN）技术创新
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。 英飞...
时间：2025/12/2 阅读：202 关键词：Infineon
英飞凌全球首发100V车规级GaN晶体管 开启汽车电子能效革命
2025年11月，全球半导体巨头英飞凌科技正式发布业界首款符合汽车电子委员会(AEC)标准的氮化镓(GaN)晶体管系列——CoolGaN?100VG1，标志着汽车电子功率器件正式迈入第三代半导体时代。这一突破性产品已开始提供符合AEC-Q101标准的预量产样...
分类：新品快报 时间：2025/11/7 阅读：23051 关键词：GaN晶体管
Nexperia将铜夹片(CFP)封装的优势引入双极性晶体管
Nexperia今日宣布扩展其双极性晶体管(BJT)产品组合，推出12款采用铜夹片封装(CFP15B)的MJD式样的双极性晶体管。这款名为MJPE系列的新产品旨在满足工业与汽车领域对更高功率...
英特尔、三星和台积电等芯片制造巨头预见到未来硅晶体管的关键部件将被厚度仅为几个原子的半导体所取代。尽管他们已经报告了朝着这一目标取得的进展，但普遍认为这一未来还...
分类：业界动态 时间：2025/7/18 阅读：3077 关键词：晶体管
英特尔董事：新型晶体管设计或减少芯片制造对 EUV 光刻机依赖
在芯片制造领域，一直以来先进光刻设备都占据着核心地位。然而，英特尔一位董事提出了一个颇具挑战性的观点，他认为未来晶体管设计，如环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET），可能会降低芯片制造对先进光刻设备，尤...
分类：名企新闻 时间：2025/6/20 阅读：352 关键词：晶体管
FlexEnable FlexiOM有机薄膜晶体管材料荣获信息显示学会颁发“2025年度最佳显示组件奖”
开发和生产用于有源光学和显示器的柔性有机电子产品领先企业FlexEnable宣布，其FlexiOM有机薄膜晶体管（OTFT）材料荣获国际信息显示学会（Society of Information Display,SID）颁发的“2025年度最佳显示组件奖”。该奖项旨在表彰上一年...
时间：2025/5/20 阅读：489 关键词：FlexEnable
Infineon-英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外...
时间：2025/4/29 阅读：382 关键词：Infineon
英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不...
分类：新品快报 时间：2025/4/23 阅读：2201 关键词：英飞凌
晶体管（通常特指双极结型晶体管BJT）与MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是电子电路中最核心的两种半导体器件，均承担开关、放大两大核心功能，广泛应用于电源设计、放大电路、数字逻辑、电机驱动等全领域。但二者在结构、工作...
基础电子 时间：2026/3/3 阅读：320
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）与晶体管（通常特指双极结型晶体管BJT）是电子电路中两类核心的半导体器件，均承担开关与放大功能，支撑着从消费电子到工业控制的各类电子系统运行。但二者在工作原理、驱动特性、性能参数上存...
基础电子 时间：2026/1/15 阅读：390
在电子设备的时序控制、频率稳定等场景中，晶振与晶体是实现“精准频率输出”的核心元件，但二者常被混淆。晶体（Crystal）本质是“被动频率元件”，仅能基于压电效应产生固定频率的机械振动；而晶振（Oscillator）是“主动频率模块”，...
基础电子 时间：2025/10/31 阅读：978
一、什么是晶体谐振器？晶体谐振器，通常简称为晶振或晶体，是一种利用压电效应产生高精度和高稳定度频率的电子元件。它的核心是一块被精确切割并镀上电极的石英晶体（一种天然或人造的压电材料）。工作原理基于压电效应：正压电效应：当...
基础电子 时间：2025/9/4 阅读：1469
一、晶体结构氧化铝（Al?O?）陶瓷的主要成分是铝和氧，其性能基础源于其稳定的晶体结构。主要晶相：α-Al?O?，也称为刚玉。这是氧化铝所有晶型中最稳定、最致密的一种，所有高温处理的氧化铝陶瓷最终都是转化为这种结构。结构类型：六方...
基础电子 时间：2025/9/2 阅读：436
在当今的电子系统中，晶体振荡器扮演着至关重要的角色。它为各种电子设备提供稳定的时钟信号，直接影响着系统的性能和稳定性。本文将从物理原理出发，深入探讨晶体振荡器的工作机制，并结合工程实践，介绍其在实际应用中的相关要点。为什...
基础电子 时间：2025/8/22 阅读：544
在电子行业中，普通压电无源石英晶体是一种极为重要的无极性元件。其内部仅包含经过精细加工的单一石英晶片，英文表述为 “Quartz crystal” 。这种晶体自身无法产生振荡信号，必须借助精心设计的电路才能实现振荡功能。常见的插件型一般...
基础电子 时间：2025/8/2 阅读：408
位错的基本类型和特征位错（Dislocation）是晶体材料中原子排列的线缺陷，对材料的力学性能（如强度、塑性、蠕变等）有决定性影响。位错的基本类型包括刃型位错、螺型位错和混合位错，每种类型的几何特征和运动方式不同。1. 位错的基本类...
基础电子 时间：2025/7/29 阅读：646
晶体管和电子管（又称真空管）是两种不同的电子放大器件，它们在结构、原理、性能和应用上有显著区别。以下是它们的详细对比：1. 工作原理电子管（真空管）利用真空环境中的电子流动工作。通过加热阴极发射电子，由阳极（屏极）吸引电子...
基础电子 时间：2025/7/23 阅读：731
在电子世界的晶体管家族中，NMOS（N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）与 PMOS（P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）宛如一对默契配合的 “电子开关”，精准掌...
设计应用 时间：2025/7/15 阅读：491
