英特尔董事:新型晶体管设计或减少芯片制造对 EUV 光刻机依赖

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2025-06-20 10:38:24 | 102 次阅读

  在芯片制造领域,一直以来先进光刻设备都占据着核心地位。然而,英特尔一位董事提出了一个颇具挑战性的观点,他认为未来晶体管设计,如环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET),可能会降低芯片制造对先进光刻设备,尤其是极紫外(EUV)光刻机的依赖,这无疑挑战了当前先进芯片制造的核心范式。
  目前,ASML 的 EUV 光刻机是制造高端芯片,如 7nm 及以下节点芯片的关键设备。在芯片制造过程中,它承担着将极其微小的电路设计精准 “打印” 到硅晶圆上的重要任务。可以说,在现有的芯片制造工艺中,光刻环节起着主导作用。
  但英特尔这位董事却有着不同的看法。他指出,GAAFET 和 CFET 这类新型晶体管设计,会显著增加光刻之后制造步骤的重要性,尤其是刻蚀技术。芯片制造的流程通常是先通过光刻将设计图案转移到晶圆表面,接着通过沉积添加材料,再通过刻蚀选择性地去除材料,终形成晶体管和电路结构。
  而新型晶体管设计有着独特的特点。GAAFET 的核心在于 “包裹” 栅极结构,CFET 则是堆叠晶体管组,这种三维结构的复杂性对刻蚀提出了更高的要求。为了实现 “包裹” 栅极或创建堆叠结构,芯片制造商需要更精细地去除晶圆上的多余材料,特别是在横向方向上。这就意味着刻蚀技术在新型晶体管设计的芯片制造中,将发挥更为关键的作用,从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。

关键词:晶体管

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