FlexEnable FlexiOM有机薄膜晶体管材料荣获信息显示学会颁发“2025年度最佳显示组件奖”
开发和生产用于有源光学和显示器的柔性有机电子产品领先企业FlexEnable宣布，其FlexiOM有机薄膜晶体管（OTFT）材料荣获国际信息显示学会（Society of Information Display,SID）颁发的“2025年度最佳显示组件奖”。该奖项旨在表彰上一年...
时间：2025/5/20 阅读：374 关键词：FlexEnable
Infineon-英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外...
时间：2025/4/29 阅读：134 关键词：Infineon
英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不...
分类：新品快报 时间：2025/4/23 阅读：1856 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌 CoolGaN 功率晶体管赋能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真
由于市场对于音频设备的紧凑、轻便、高集成度和节能的需求越来越高，领先的音频设备制造商在不断提高音质的同时，也在努力满足这一需求。另外，他们还必须实现无缝连接、保证成本效益，并提供对用户友好的功能，这使得音频产品的开发变得...
时间：2025/3/18 阅读：70 关键词：英飞凌
英飞凌推出采用新型硅封装的 CoolGaN G3晶体管，推动全行业标准化进程
氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。为了...
分类：新品快报 时间：2025/2/28 阅读：770 关键词：晶体管
Infineon - 纬湃科技采用英飞凌CoolGaN 晶体管， 打造功率密度领先的DC-DC转换器
直流-直流（DC-DC）转换器在电动汽车和混合动力汽车中都是必不可少的，用于连接高压电池和低压辅助电路。这包括12 V电源的前大灯、车内灯、雨刮和车窗电机、风扇，以及48 V电源的泵、转向驱动装置、照明系统、电加热器和空调压缩机。此外...
时间：2025/2/26 阅读：109 关键词：纬湃科技
据彭博社报道，新规则中的“先进”是指采用 14 纳米或 16 纳米或更先进工艺技术制造的处理器，包含 300 亿个或更多晶体管。但也会有例外。 新规定针对的是在 14 纳米或 ...
分类：业界动态 时间：2025/1/16 阅读：1193 关键词：晶体管
英飞凌推出了 opa 新系列高压分立器件 CoolGaN 晶体管 650 V G5，进一步增强了其 GaN)p 产品组合。 目标应用范围从消费和工业开关模式电源 (SMPS)（例如 USB-C 适配器和...
分类：新品快报 时间：2024/11/6 阅读：264 关键词：晶体管
Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管
Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管，其中一半符合汽车标准。 Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管 跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A ...
分类：新品快报 时间：2024/8/29 阅读：333 关键词：双极功率晶体管
Infineon - 英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和...
时间：2024/8/19 阅读：118 关键词：半导体
有机场效应晶体管（OFET）知识介绍有机场效应晶体管（Organic Field-Effect Transistor, OFET）是一种采用有机半导体材料作为活性层的场效应晶体管。与传统硅基FET不同，OFET具有柔性、可溶液加工、低成本等优势，在柔性电子、可穿戴设备...
基础电子 时间：2025/5/30 阅读：236
晶体管（Transistor）和电子管（Vacuum Tube）是两种截然不同的电子放大元件，它们在结构、工作原理、性能和应用方面存在显著差异。以下是它们的详细对比： 1. 基本结构与工作原理 （1）电子管（真空管） 结构：由密封玻璃或金...
基础电子 时间：2025/4/29 阅读：208
电力电子的快速发展得益于宽禁带（WBG）半导体材料的发展，尤其是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）。这些材料与传统硅相比具有优越的性能，包括更高的击穿电压、更高的热导率...
设计应用 时间：2025/4/22 阅读：159
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池管理系统”。 选择...
新品速递 时间：2025/3/19 阅读：315
晶体管开关对于低直流开/关的转换中的电子设备至关重要， 在其截止状态或饱和状态下晶体管的操作。某些电子设备（例如LED）需要几毫安的电源，并且可以由逻辑门输出驱动。...
设计应用 时间：2025/3/17 阅读：436
由于GAN的高开关速度，寄生电感 与老化功率MOSFET相比，在较高的频率下使用GAN的能力使寄生电感在功率转化电路中的降解作用焦点[1]。这种电感阻碍了GAN额外的开关功能的...
设计应用 时间：2025/2/25 阅读：370
单结晶体管（Unijunction Transistor，简称UJT）是一种具有单一PN结的半导体器件，通常用于振荡器电路和脉冲电路中。它与传统的双极型晶体管（如NPN或PNP型晶体管）不同，只有一个PN结。UJT在结构上只有三个引脚：一个是基极（B），另两...
基础电子 时间：2025/2/17 阅读：249
过电压从何而来？ 罪魁祸首很清楚，很容易识别：它是寄生电感 L渗漏，在传输时间内不会通过续流二极管 D2 消磁。其中储存的能量（1/2 升渗漏我2） 转移到现有的寄生电容...
设计应用 时间：2025/2/13 阅读：240
双向双极结型晶体管 (B-TRAN) 是功率半导体的一种新拓扑，具有垂直对称、三层、四端子结构，允许独特的操作方法，包括在任一方向上具有非常低的导通状态高电流密度下的电压...
设计应用 时间：2025/1/6 阅读：521
您可能很清楚，现代电气工程乃至整个现代世界都与晶体管设备有着千丝万缕的联系。这些组件既充当开关又充当放大器。尽管场效应晶体管目前在电子领域占据主导地位，但最初的晶体管是双极晶体管，并且很快第一个双极结晶体管（BJT）就紧随...
基础电子 时间：2024/12/31 阅读：454
