瑞萨电子与 Transphorm 达成交易后推出 GaN 功率晶体管
瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。 瑞萨电子表示:“随着此次收购的完成,瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计,以满足对宽...
分类:名企新闻 时间:2024/6/24 阅读:190 关键词:瑞萨电子
ST - 意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关...
时间:2024/1/17 阅读:57 关键词:IGBT晶体管
Transphorm 最新技术白皮书: 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是,该文章还...
时间:2023/10/31 阅读:69 关键词:电子
今天,Apple 正式发布了 M3、M3 Pro 和 M3 Max。这三款芯片采用突破性技术,可显著提高 Mac 的性能并释放新功能。这些是首款采用业界领先的 3 纳米工艺技术制造的个人计算...
分类:业界动态 时间:2023/10/31 阅读:370 关键词:M3芯片
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性...
分类:新品快报 时间:2023/9/12 阅读:299 关键词:IGBT晶体管
Navitas 最近推出了具有单片集成栅极驱动器的第四代 GaN 功率晶体管
该公司以 GaNsafe 为品牌,增强了与驱动器集成的保护功能,并采用 10 x 10mm TOLL 封装,并采用定制内部引线框架(下图)。 初始产品的额定电压为 650V(800V 瞬态),...
分类:新品快报 时间:2023/9/11 阅读:504 关键词:MPU
根据天眼查显示华为技术有限公司近日新增多条专利信息,其中一条发明专利名称为“一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管”,公开号为CN116636017A。 专利摘要显示,...
EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A(250A 300μs脉冲25°C)容量,占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ,可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A(62A 300μs 脉冲 25°C) ...
分类:新品快报 时间:2023/7/21 阅读:421 关键词: GaN 功率晶体管
ISAHAYA 谏早电子 可不使用IC构成电池电压监视电路! 齐纳二极管和晶体管的复合元件!
半导体制造商谏早电子开发出异质晶体管“RTEXXXXM”。 本系列为内装2元件型, 除了可作出小型化, 使用方法也可以有电压检测, 保护用等等多种用途, 也齐集丰富的产品种类。 本产品无需使用IC即可构成电池电压监视电路,是一款有助于...
时间:2023/7/10 阅读:249 关键词: 齐纳二极管
伍尔特电子进一步扩充其 WL-OCPT 光电耦合器产品系列,新增了DIP-8封装。双通道-八引脚的光电耦合器光敏电阻现可提供。这种设计在一个元件内包含两个电路,分别由两个输入L...
分类:新品快报 时间:2023/7/5 阅读:459 关键词:光电晶体管
Apple 以 5nm、1340 亿晶体管 M2 Ultra 完善了其 ARM 产品线
如前所述,M2 Ultra 使用 Apple 的 UltraFusion 互连和硅中介层将两个 M2 Max 裸片与统一内存架构相结合。这有 10,000 个信号,提供超过 2.5TB/s 的低延迟处理器间带宽,支...
分类:业界动态 时间:2023/6/13 阅读:272 关键词:Apple
ST - 意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高 40%
意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术,引入氧化物填充沟槽工艺,集极低的导...
时间:2023/6/5 阅读:102
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高 40%
意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPO...
分类:新品快报 时间:2023/5/25 阅读:373
在 Beligum 安特卫普的 ITF World 2023 上,英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 概述了英特尔在几个关键领域的最新发展,其中最有趣的启示之一是英特尔未来将采用堆叠式 CF...