一种完全硅化(FUSI)工艺形成的金属门电极最近受到青睐。日本NEC公司和NECElectronics公司日前在国际电子器件会议(IEDM)上发表了一种“相控完全硅化(phase-controlledfull-silicidation)”方案。他们
韩国三星电子日前开发成功了pMOS导通电流高达2.31mA/μm的新型双栅晶体管“MBC（multi-bridge-channel）FET”。开关特性也不错，为75mV/dec。该公司2004年6月就n型MBCFET进行了技术发表，此次则试制成功了
分类：新品快报 时间：2004/12/20 阅读：913 关键词：晶体管
