仿真信号处理及功率管理方案供货商ZetexSemiconductors，日前推出一系列新型低电压双极晶体管。它们可扩大SOT23封装的电流处理效能，可取代体积更大的等效SOT89和SOT223零件，有助设计人员缩减产品尺寸。Zetex善用了其先进的
(电子市场网讯)模拟信号处理及功率管理解决方案供应商ZetexSemiconductors近日推出一系列低压双极晶体管。新器件不仅能够提高SOT23封装的电流处理能力，还能替代体积较大的SOT89和SOT223等效元件，有助于设计人员缩减产品尺寸。
功率晶体管市场规模07年将达纪录高位，MOSFET销售最“抢眼”
市场调研公司ICInsights的分析师RobLineback指出，消费电子设备的低电压运行、电池寿命延长和能量保护的需要，将推动功率晶体管市场在2007年达成创纪录的规模。价格下滑以及单位出货量增长的大幅放缓，都导致2005年功率
(电子市场网讯)据海外媒体报道，英特尔公司日前宣布制造出首款采用45纳米生产工艺的芯片。与65纳米工艺相比，的45纳米技术在晶体管密度上提高了两倍，达到10亿个，开关速度提高了20%，而功耗却降低三成。据悉，英特尔的45纳米工艺被命名...
英特尔公司日前宣布制造出首款采用45纳米生产工艺的芯片，并初步披露了45纳米工艺细节。表示与65纳米工艺相比，的45纳米技术在晶体管密度上提高了两倍，达到10亿个，开关速度提高了20%，而功耗却降低三成。据称，英特尔的45纳米...
对抗LCD/PDP竞争，ST新型功率晶体管打造“超薄”CRT
意法半导体(ST)日前推出一系列高压功率双极晶体管，代号为HD1的系列产品专为超薄高清CRT(阴极射线管)显示器设计，能够满足超薄高清CRT对水平偏转应用的苛刻要求。传统的CRT显示器目前被占用空间小的基于LCD(液晶显示器)或PDP(等离子显示...
分类：新品快报 时间：2005/12/16 阅读：890 关键词：晶体管
据外电报道，在本周三举行的国际电子器件会议上，英特尔研究人员宣布，该公司已经在“为新一代处理器开发采用硅以外材料的新型晶体管”方面取得进展。多年来，硅一直是生产芯片的基本材料，英特尔和其它芯片生产商大约每隔两年就能通过缩...
东芝采用属于低电阻金属源-漏极技术——肖特基源-漏极，开发成功了新的晶体管，并公布了其性能改善效果。在日前召开的“2005SymposiumonVLSITechnology”会议上做了技术发表（演讲序号为9A-3）。肖特基源-漏极技术是指通过将源-
分类：业界要闻 时间：2005/6/27 阅读：752 关键词：晶体管
飞思卡尔300W LDMOS RF晶体管面向数模广播电视放大器
飞思卡尔半导体公司(FreescaleSemiconductorInc.)推出一款超高效射频功率晶体管——MRF6P3300H。该器件能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗，并降低运营成本。这款晶体管利用飞思卡尔先进的第六代高压(HV6)横向扩散
分类：新品快报 时间：2005/4/27 阅读：259 关键词：晶体管
意法半导体(ST)日前推出PowerMESH系列绝缘栅双极晶体管。新器件专为家电电机控制、功率因数校正和电磁加热应用而设计。此系列绝缘栅双极晶体管采用一项与载流子寿命控制相关的带状布局专利技术，这项技术能够改进器件的集电极-发射极饱和...
随着能源价格的不断上涨，广播行业开始寻求减少电源消耗和运营费用的创新方法。针对这种市场需求，飞思卡尔半导体（NYSE：FSL，FSL.B）推出超高效的射频功率晶体管。这种晶体管能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗，并降低运营成本...
分类：新品快报 时间：2005/4/25 阅读：439 关键词：晶体管
全球排名第四位的小信号晶体管厂商KEC在IIC-2005上透露，KEC亚太区的销售收入已经占到了全球销售收入的51%，其中大部分收入来自中国市场，长虹、TCL、海尔等中国OEM均已采用KEC产品，目前中国大陆的月销售收入已经达到1,200万美元。“
分类：业界要闻 时间：2005/4/8 阅读：1792 关键词：晶体管
安森美半导体(ONSemiconductor)推出ThermalTrak创新型内建偏置控制输出晶体管系列，以提供简化的、单器件音频放大器设计解决方案。新器件运用申请中的专利技术，消除冗长的预热时间，启用快速精确的温度调节功能，同时提高音质和偏置稳定
分类：新品快报 时间：2005/1/18 阅读：232
AMD、IBM、索尼(Sony)和东芝(Tohiba)公司的工程师们最近开发出一种应变硅(strained-silicon)晶体管技术，称为“DualStressLiner”。AMD声称，这种技术可改善晶体管性能。这些工程师在日前于美国旧金山(Sa
分类：业界要闻 时间：2005/1/9 阅读：331 关键词：晶体管
一种完全硅化(FUSI)工艺形成的金属门电极最近受到青睐。日本NEC公司和NECElectronics公司日前在国际电子器件会议(IEDM)上发表了一种“相控完全硅化(phase-controlledfull-silicidation)”方案。他们
