ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3....
分类：新品快报 时间：2026/5/29 阅读：10684 关键词：ROHM
Toshiba-东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD 系列IC样品
－集成3相直流无刷电机驱动电路与微控制器，实现小型车载电机的直接驱动－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电...
时间：2026/5/26 阅读：57 关键词：Toshiba
Toshiba-东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗...
时间：2026/5/26 阅读：61 关键词：Toshiba
ROHM-罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗...
时间：2026/5/25 阅读：73 关键词：ROHM
东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时...
分类：新品快报 时间：2026/5/22 阅读：17310 关键词：SiC MOSFET
东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD系列IC样品
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电机控制器件。...
分类：新品快报 时间：2026/5/15 阅读：17539 关键词：东芝
Vishay-Vishay推出车规级光伏MOSFET驱动器，提升高压系统可靠性并降低成本
器件开路电压为20 V、短路电流20μA、导通时间80μs，采用SMD-4封装，模塑材料CTI达600，爬电距离8mm 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出一款首度采用紧凑型SMD-4封装的全新车规级光伏MOSFET...
时间：2026/5/7 阅读：95 关键词：Vishay
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电...
分类：新品快报 时间：2026/4/22 阅读：22555 关键词：SiC MOSFET
Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120...
时间：2026/3/23 阅读：239 关键词：Vishay
Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供...
时间：2026/1/28 阅读：180 关键词：Littelfuse
晶体管作为电子领域中一个基础且关键的组件，虽看似简单，却能构建出众多有趣且实用的电路。在本文中，我们将深入了解晶体管的工作原理，以便在后续的电路设计中能合理运用它们。 一旦掌握了晶体管的基本知识，其应用其实并非难事。我...
基础电子 时间：2026/5/27 阅读：137
在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，其核心材质多为二氧化硅（SiO），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重...
设计应用 时间：2026/5/22 阅读：535
在电子电路的广阔领域中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）无疑是一颗璀璨的明星，被广泛应用于开关电源、驱动电路、功率控制电路等众多场景。熟悉硬件电路与半导体器件的专业人士都清楚，MOSFET 本质上是一种四端器件，它...
基础电子 时间：2026/5/20 阅读：290
功率 MOSFET 无疑是工程师们在电子设计中最常用的器件之一。然而，MOSFET 的器件选型是一个复杂且需要综合考虑多方面因素的过程，小到 N 型与 P 型的选择、封装类型的确定，大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等参数的考量，不同的应用场景有...
基础电子 时间：2026/5/20 阅读：149
在功率器件的可靠性评估体系中，可靠性测试无疑是验证其长期稳定性的关键环节。不过，器件失效的原因并非总是源于器件本体，有时候问题可能隐藏在外部封装的细微之处。本文将深入剖析一个典型的失效案例：某 MOSFET 在经过可靠性测试后，...
基础电子 时间：2026/5/18 阅读：194
MOSFET作为高效功率开关器件，凭借低导通损耗、快开关速度、高可靠性的优势，已成为UPS（不间断电源）的核心组成部件，广泛应用于工频UPS、高频UPS、模块化UPS等各类产品，覆盖数据中心、工业机房、医疗设备、办公终端等关键场景。UPS电...
基础电子 时间：2026/4/17 阅读：331
MOSFET作为汽车电子系统的核心功率器件，广泛应用于新能源汽车驱动电机、车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）、电动助力转向、空调压缩机等关键模块，承担功率开关、电流调节、能量转换等核心功能。汽车电子运行环境严苛，需承受极端...
基础电子 时间：2026/4/16 阅读：329
同步整流技术是提升开关电源效率的核心方案，相较于传统二极管整流，其采用MOSFET替代整流二极管，可大幅降低续流损耗与导通损耗，使电源效率提升3%-8%，广泛应用于适配器、充电桩、服务器电源、新能源设备等中大功率场景。MOSFET作为同...
基础电子 时间：2026/4/15 阅读：553
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，其效率直接决定整个系统的能量转换效率、能耗水平与散热压力，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、新能源设备等领域。MOSFET的功率损耗主要分为导通损耗、开关损耗与寄生损耗，电路设计不合理...
基础电子 时间：2026/4/14 阅读：287
MOSFET凭借高频开关特性、低导通损耗、高功率密度的优势，已成为开关电源、逆变器、电机驱动、新能源设备等电力电子系统的核心功率器件。驱动与隔离方案作为MOSFET正常工作的核心保障，直接决定其开关性能、可靠性及系统安全性。驱动方案...
基础电子 时间：2026/4/13 阅读：250
