1.1x1mm 和 1.4×1.2mm DFN 封装的小信号 MOSFET
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3（SOT8015）和 DFN1412-6（SOT1268）封装中，并配备侧面可润湿侧面，可用于自动光学检查。 该公司表示：“1.1 x ...
分类：新品快报 时间：2024/9/11 阅读：300 关键词：MOSFET
英飞凌已推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分，其资质不如其工业级 Optimos ...
分类：新品快报 时间：2024/9/11 阅读：269 关键词：英飞凌
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET， 非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种...
时间：2024/9/9 阅读：22 关键词：半导体
Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性
Nexperia今日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速...
时间：2024/9/9 阅读：19 关键词：Nexperia
Rohm -罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这...
时间：2024/9/5 阅读：30 关键词：半导体
常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化。 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFE...
时间：2024/8/23 阅读：33 关键词：Rohm
Infineon - 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用...
时间：2024/8/21 阅读：56 关键词：温度传感器
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...
时间：2024/8/21 阅读：36 关键词：IGBT
Infineon - 英飞凌推出全新600 V CoolMO 8 SJ MOSFET系列， 适用于高成本效益的先进电源应用
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOS...
时间：2024/8/20 阅读：33 关键词：半导体
Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...
时间：2024/8/20 阅读：32 关键词：半导体
我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET，并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长，因此对于早期 MOS 晶体管来说相当准确。然而，后续研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶...
设计应用 时间：2024/8/13 阅读：753
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧...
设计应用 时间：2024/8/6 阅读：161
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率...
设计应用 时间：2024/6/14 阅读：367
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描...
设计应用 时间：2024/6/11 阅读：739
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常...
新品速递 时间：2024/6/5 阅读：314
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。...
基础电子 时间：2024/5/31 阅读：310
ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。 近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400...
新品速递 时间：2024/5/24 阅读：1256
ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与...
新品速递 时间：2024/5/24 阅读：768
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下， 栅源电压要么足...
基础电子 时间：2024/4/29 阅读：343
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 的效率更高...
设计应用 时间：2024/4/26 阅读：495
