东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD系列IC样品
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电机控制器件。...
分类：新品快报 时间：2026/5/15 阅读：1320 关键词：东芝
Vishay-Vishay推出车规级光伏MOSFET驱动器，提升高压系统可靠性并降低成本
器件开路电压为20 V、短路电流20μA、导通时间80μs，采用SMD-4封装，模塑材料CTI达600，爬电距离8mm 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出一款首度采用紧凑型SMD-4封装的全新车规级光伏MOSFET...
时间：2026/5/7 阅读：43 关键词：Vishay
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电...
分类：新品快报 时间：2026/4/22 阅读：22529 关键词：SiC MOSFET
Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120...
时间：2026/3/23 阅读：213 关键词：Vishay
Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供...
时间：2026/1/28 阅读：169 关键词：Littelfuse
Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，...
时间：2026/1/27 阅读：189 关键词：Infineon
三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品
三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车...
分类：新品快报 时间：2026/1/14 阅读：98306
英飞凌CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件
CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关...
分类：新品快报 时间：2026/1/5 阅读：107395
X-FAB XbloX平台加速可扩展、高性能碳化硅 MOSFET解决方案上市进程
当前，汽车、工业、能源及数据中心等领域正积极开展下一代碳化硅功率 MOSFET 的设计与开发，对于无晶圆厂开发者而言，此时与能缩短产品上市时间的代工厂合作，无疑是最佳时机。 XbloX 宽禁带（WBG）半导体分立器件代工模式所采用的标...
分类：新品快报 时间：2025/12/5 阅读：109677
ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保...
时间：2025/12/2 阅读：236 关键词：ROHM
MOSFET作为高效功率开关器件，凭借低导通损耗、快开关速度、高可靠性的优势，已成为UPS（不间断电源）的核心组成部件，广泛应用于工频UPS、高频UPS、模块化UPS等各类产品，覆盖数据中心、工业机房、医疗设备、办公终端等关键场景。UPS电...
基础电子 时间：2026/4/17 阅读：325
MOSFET作为汽车电子系统的核心功率器件，广泛应用于新能源汽车驱动电机、车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）、电动助力转向、空调压缩机等关键模块，承担功率开关、电流调节、能量转换等核心功能。汽车电子运行环境严苛，需承受极端...
基础电子 时间：2026/4/16 阅读：320
同步整流技术是提升开关电源效率的核心方案，相较于传统二极管整流，其采用MOSFET替代整流二极管，可大幅降低续流损耗与导通损耗，使电源效率提升3%-8%，广泛应用于适配器、充电桩、服务器电源、新能源设备等中大功率场景。MOSFET作为同...
基础电子 时间：2026/4/15 阅读：539
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，其效率直接决定整个系统的能量转换效率、能耗水平与散热压力，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、新能源设备等领域。MOSFET的功率损耗主要分为导通损耗、开关损耗与寄生损耗，电路设计不合理...
基础电子 时间：2026/4/14 阅读：280
MOSFET凭借高频开关特性、低导通损耗、高功率密度的优势，已成为开关电源、逆变器、电机驱动、新能源设备等电力电子系统的核心功率器件。驱动与隔离方案作为MOSFET正常工作的核心保障，直接决定其开关性能、可靠性及系统安全性。驱动方案...
基础电子 时间：2026/4/13 阅读：244
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）凭借高频开关特性、低导通损耗、小型化等优势，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、新能源汽车等电力电子系统。在高频整流、续流等应用场景中，MOSFET常工作在反向导通状态，其反向恢复特性...
基础电子 时间：2026/4/10 阅读：336
随着电力电子技术向高频化、小型化演进，MOSFET凭借高频开关特性、低导通损耗的优势，已成为高频开关电源、逆变器、电机驱动等设备的核心器件。但高频开关过程中，MOSFET的快速导通与关断会引发严重的电磁干扰（EMI），不仅会影响周边电...
基础电子 时间：2026/4/9 阅读：320
MOSFET作为功率电子系统的核心开关器件，广泛应用于电源、电机驱动、新能源、工业控制等领域，其工作可靠性直接决定整个系统的稳定运行。在实际应用中，MOSFET常面临过压、过流两种典型电应力冲击，这两种异常工况会直接导致MOSFET参数退...
基础电子 时间：2026/4/7 阅读：237
在大功率功率电子系统（如新能源汽车驱动、工业电源、储能设备）中，单一MOSFET往往难以满足大电流传输需求。MOSFET并联应用通过将多颗MOSFET器件并联，可有效提升电路的电流承载能力、降低导通损耗，同时提升系统冗余性与可靠性，是大功...
基础电子 时间：2026/4/3 阅读：547
MOSFET作为功率电子电路的核心开关器件，其理想模型仅包含导通沟道与栅源控制结构，但实际制造过程中，受芯片结构、封装工艺、引脚布局等影响，会不可避免地产生各类寄生参数。这些寄生参数（寄生电容、寄生电感、寄生电阻）虽数值微小，...
基础电子 时间：2026/4/2 阅读：417
