Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120...
时间：2026/3/23 阅读：125 关键词：Vishay
Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供...
时间：2026/1/28 阅读：141 关键词：Littelfuse
Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，...
时间：2026/1/27 阅读：157 关键词：Infineon
三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品
三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车...
分类：新品快报 时间：2026/1/14 阅读：98056
英飞凌CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件
CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关...
分类：新品快报 时间：2026/1/5 阅读：105714
X-FAB XbloX平台加速可扩展、高性能碳化硅 MOSFET解决方案上市进程
当前，汽车、工业、能源及数据中心等领域正积极开展下一代碳化硅功率 MOSFET 的设计与开发，对于无晶圆厂开发者而言，此时与能缩短产品上市时间的代工厂合作，无疑是最佳时机。 XbloX 宽禁带（WBG）半导体分立器件代工模式所采用的标...
分类：新品快报 时间：2025/12/5 阅读：109643
ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保...
时间：2025/12/2 阅读：204 关键词：ROHM
英飞凌新品采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK? 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC? MOSFET技术，集成NTC温度传感器，采用大电流PressFIT引脚，并预涂2.0代导热界面材料。 产品型号...
分类：新品快报 时间：2025/11/25 阅读：18783
Toshiba-东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式...
时间：2025/11/13 阅读：218 关键词：Toshiba
Infineon-英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布扩展其CoolSiC650 V G2系列MOSFET产品组合，新增75 mΩ规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装...
时间：2025/11/5 阅读：156 关键词：Infineon
随着电力电子技术向高频化、小型化演进，MOSFET凭借高频开关特性、低导通损耗的优势，已成为高频开关电源、逆变器、电机驱动等设备的核心器件。但高频开关过程中，MOSFET的快速导通与关断会引发严重的电磁干扰（EMI），不仅会影响周边电...
基础电子 时间：2026/4/9 阅读：87
MOSFET作为功率电子系统的核心开关器件，广泛应用于电源、电机驱动、新能源、工业控制等领域，其工作可靠性直接决定整个系统的稳定运行。在实际应用中，MOSFET常面临过压、过流两种典型电应力冲击，这两种异常工况会直接导致MOSFET参数退...
基础电子 时间：2026/4/7 阅读：175
在大功率功率电子系统（如新能源汽车驱动、工业电源、储能设备）中，单一MOSFET往往难以满足大电流传输需求。MOSFET并联应用通过将多颗MOSFET器件并联，可有效提升电路的电流承载能力、降低导通损耗，同时提升系统冗余性与可靠性，是大功...
基础电子 时间：2026/4/3 阅读：478
MOSFET作为功率电子电路的核心开关器件，其理想模型仅包含导通沟道与栅源控制结构，但实际制造过程中，受芯片结构、封装工艺、引脚布局等影响，会不可避免地产生各类寄生参数。这些寄生参数（寄生电容、寄生电感、寄生电阻）虽数值微小，...
基础电子 时间：2026/4/2 阅读：342
MOSFET作为功率电子系统的核心开关器件，广泛应用于工业控制、车载电子、新能源、矿山储能、户外通信等领域。这些场景中，MOSFET常面临高温、低温、潮湿、盐雾、振动、电磁干扰等恶劣环境考验，易出现参数漂移、栅极击穿、封装失效、热失...
基础电子 时间：2026/4/1 阅读：378
在电力电子拓扑中，MOSFET作为核心开关器件，其内部固有的体二极管（BodyDiode）往往是决定电路可靠性、效率和EMI表现的关键隐形元件。很多工程师在设计时习惯关注MOSFET的Rds(on)、Qg等静态参数，却容易忽视体二极管的动态特性，进而在...
基础电子 时间：2026/3/31 阅读：226
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，其开关性能与可靠性直接取决于栅极驱动电路的设计水平。栅极驱动电路承担着为MOSFET栅极提供合适驱动电压、驱动电流的核心职责，直接影响MOSFET的开关速度、损耗大小、抗干扰能力，甚至决定器件的...
基础电子 时间：2026/3/30 阅读：264
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，在新能源汽车、储能系统、开关电源等中大功率场景中应用广泛，其短路失效是最常见且危害最大的故障类型之一。MOSFET短路失效会直接导致电路短路、器件烧毁，甚至引发电源模块损坏、终端设备宕机，...
基础电子 时间：2026/3/25 阅读：348
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，广泛应用于新能源汽车、储能系统、开关电源、工业控制等中大功率场景，其寿命与可靠性直接决定终端设备的服役周期、运行稳定性及运维成本。在实际应用中，MOSFET常因电应力、热应力、环境应力等因...
基础电子 时间：2026/3/24 阅读：522
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，广泛应用于新能源汽车、储能系统、开关电源、工业控制等场景，其性能一致性直接决定系统的稳定性、效率与可靠性。在实际生产与应用中，即使是同一型号、同一厂家的MOSFET，不同生产批次之间也会存...
基础电子 时间：2026/3/23 阅读：179
