Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术:重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器
在众多领域,如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中,低功耗辅助电源虽常被忽视,但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸...
分类:新品快报 时间:2025/7/5 阅读:2701 关键词:Wolfspeed
CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场,英飞凌助力功率电子应用升级
德国慕尼黑传来消息,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司,正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系...
分类:新品快报 时间:2025/7/2 阅读:2530 关键词:MOSFET
Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结(SJ)MOSFET产品系列,使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性...
时间:2025/6/24 阅读:80 关键词:Infineon
Vishay新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36℃/W,并配有易于吸附焊锡的侧翼,从而改善工业应用的热性能和可焊性 美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年5月29日—日前,威世科技Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,...
时间:2025/6/13 阅读:105 关键词:Vishay
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 ...
分类:新品快报 时间:2025/6/4 阅读:2625 关键词:ROHM
Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一款采用无引线键合(BWL)封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSF...
分类:新品快报 时间:2025/5/30 阅读:5215 关键词:Vishay
Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
-四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新...
时间:2025/5/29 阅读:98 关键词:Toshiba
Infineon - 英飞凌OptiMOS6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准
随着图形处理器(GPU)的性能日益强大,对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器(IBC)可将48 V输入电压转换为较低的总线电压,这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码...
时间:2025/5/28 阅读:90 关键词:Infineon
东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件...
分类:新品快报 时间:2025/5/21 阅读:2313 关键词:SiC MOSFET
ROHM推出实现超低导通电阻的小型MOSFET,助力快速充电应用
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”,其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm,导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.),达到业界先进水平。 新产品采用ROHM自有结构,不仅提高器件集...
时间:2025/5/19 阅读:199 关键词:ROHM
解析 Littelfuse SMFA:非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护
在当今的电源和电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步,开关损耗也在持续降低。然而,随着开关速度的不断提高,设计人...
设计应用 时间:2025/6/24 阅读:182
在电力电子领域,为了确保 SiC(碳化硅)模块的安全使用,精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温,并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...
设计应用 时间:2025/6/19 阅读:167
在电力电子领域的不断发展进程中,SiC MOSFET 模块由于其优异的性能,如高开关速度、低导通电阻等,被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...
设计应用 时间:2025/5/30 阅读:257
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)都是现代电力电子中的核心开关器件,但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比: 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极...
基础电子 时间:2025/5/19 阅读:308
ROHM 小型 MOSFET “AW2K21”:超低导通电阻助力快速充电革新
在当今电子设备飞速发展的时代,快速充电技术已经成为了众多消费者和制造商关注的焦点。为了满足市场对于快速充电的需求,全球知名半导体制造商 ROHM(总部位于日本京都市)于 2025 年 5 月 15 日宣布,推出一款具有突破性的 30V 耐压共...
基础电子 时间:2025/5/16 阅读:268
增强型(Enhancement-mode)和耗尽型(Depletion-mode)MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式,它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析: 1. 阈值电压(VGS(th)VGS(th))与导通机制特...
基础电子 时间:2025/4/29 阅读:244
提供精确电压和泄漏电流平衡的新MOSFET已准备好服务于2.8 V至3.3 V. Ald910030的超级电容器。几乎没有电源来平衡细胞平衡,并促进了在串联串联堆栈中为每个超级电容器的电...
设计应用 时间:2025/4/11 阅读:1162
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失,这可能会主导P/N二极管损失,尤其是在较高的温度,快速转换过渡和高流动应用下。除了...
设计应用 时间:2025/3/20 阅读:389
低压技术 与N通道MOSFET相比,P通道MOSFET代表相对较小的份额,低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性,以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构彻底蚀刻的栅极结构实...
基础电子 时间:2025/2/19 阅读:305
低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行,通常低于100 V,但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用,即使电源电压很低。关键功能包括以...
设计应用 时间:2025/2/10 阅读:233