EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器

EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaNFET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN?FE...

分类：新品快报 时间：2022/7/25 阅读：1176

EPC推出具有最高功率密度和效率的100V耐辐射晶体管

宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的100V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，进一步为这个产品系列添加第五个成员。 ...

分类：新品快报 时间：2022/7/15 阅读：3549

意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管，具备更好的节能降噪特性

意法半导体40VMOSFET晶体管STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。 新...

分类：新品快报 时间：2022/6/24 阅读：2431

苹果发布M2芯片：5nm，200亿晶体管

虽然主要是一个以软件为中心的活动，但Apple的WWDC主题演讲通常也是发布一两个有趣的硬件的舞台，今年Apple也没有让人失望。 在公司今年最大的与Mac相关的主题演讲中，App...

分类：业界动态 时间：2022/6/7 阅读：1165

EPC新推最小型化的100 V 氮化镓场效应晶体管

宜普电源转换公司（EPC）新推100V、2.2mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 ...

分类：新品快报 时间：2022/5/18 阅读：4035

EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低

宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC2050，这是一款350VGaN晶体管，zui大RDS(on)为80mΩ，脉冲输出电流为26A。EPC2050的尺寸仅为1.95mmx1.95mm，与采用等效硅器件的解...

分类：新品快报 时间：2022/4/14 阅读：1885

东芝推出有助于中低速绝缘通信接口高密度安装的4通道晶体管耦合器

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出了4通道晶体管输出光耦（以下简称为“晶体管耦合器”）“TLP294-4”和“TLP295-4”，他们标准化了LED的输入阀值电压并...

分类：新品快报 时间：2022/4/6 阅读：1101

用钻石做晶体管？未来一片光明！

詹姆斯邦德小说的作者IanFleming写道，钻石可能是永恒的。但愤世嫉俗的工程师可能会补充说，“是的，永远处于作为半导体材料实用的边缘。” 因为尽管材料具有优势——比竞...

分类：业界动态 时间：2022/3/18 阅读：2366

FinFET的潜在继任者，揭秘VTFET晶体管

去年12月，IBM和三星宣布了一种新的晶体管架构，据说可以挑战传统的FinFET。我们就该项目与IBM的两位主要研究人员进行了交谈以了解详细信息。 传统的硅场效应晶体管(FET)...

分类：行业访谈 时间：2022/3/9 阅读：1408

晶体管的辉煌五十年

英特尔很近发布了一段出色的视频，提供了MOS晶体管技术的深刻年表。晶体管创新的演变是一个五分钟的视听冒险，展现跨越50年的摩尔定律。下面总结了一些亮点，并附有一些屏...

分类：业界动态 时间：2022/3/4 阅读：1112

Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管

埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-10...

分类：新品快报 时间：2022/2/24 阅读：1407

目标不止2025！英特尔公布“赶超三星台积电”战略：3D堆叠晶体管

早间消息，据报道，日前，美国电脑芯片巨头英特尔旗下的“组件研究集团”对外公布了多项新技术，据称可以在未来十年帮助英特尔芯片不断缩小尺寸、提升性能，其中的一些技术...

分类：业界动态 时间：2021/12/13 阅读：1742

东芝发布旗下首款200V晶体管输出车载光耦

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出一款高压晶体管输出车载光耦---“TLX9188”，用于包括电动汽车在内的汽车设备的信号隔离通信。该产品于今日开始...

分类：新品快报 时间：2021/11/19 阅读：1695