Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2025-05-30 10:30:41 | 4830 次阅读

     威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一款采用无引线键合(BWL)封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW,旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比,Vishay Siliconix SiEH4800EW的导通电阻低15 %,而RthJC低18 %。


   日前发布的器件在10 V下的导通电子典型值为0.88 m?,限度降低了传导造成的功率损耗,从而提高了效率,同时以低至0.36 ℃/W的RthJC改善了热性能。这款节省空间的器件体积为8 mm x 8 mm,与采用TO-263封装的MOSFET相比,PCB面积减少50 %,而且其厚度仅为1 mm。

    SiEH4800EW采用融合的焊盘,将源焊盘的可焊面积增加到3.35 mm2,比传统PIN焊接面积大四倍。这降低了MOSFET和PCB之间的电流密度,从而降低了电迁移的风险,使设计更加可靠。此外,器件易于吸附焊锡的侧翼增强了可焊性,同时更容易通过目视检查焊点的可靠性。

     这款MOSFET的常适合同步整流和Oring应用。典型应用包括电机驱动控制器、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。在这些应用中,该器件可在+175 ℃的高温下工作,而其BWL设计可将寄生电感降至,同时使电流能力化。
关键词:Vishay

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