台积电集成 80 个 HBM 4 封装技术,引领 AI 半导体新潮流

类别:业界动态  出处:网络整理  发布于:2025-06-13 11:04:27 | 372 次阅读

   台积电凭借其在封装技术领域的创新成果再次成为焦点。近日,台积电公布了用于超大型 AI 半导体的 “晶圆系统(SoW - X)” 封装技术,该技术瞄准了下一代 AI 半导体市场,展现出了强大的技术实力和创新能力。

  SoW - X:台积电新一代封装技术的突破


   当地时间 6 月,台积电在美国德克萨斯州举行的 “ECTC 2025(电子元件技术会议)” 上,公布了其新一代封装技术 SoW - X 的具体结构。SoW - X 是台积电计划于 2027 年量产的技术,预计将应用于 GPU、CPU 等高性能系统半导体,以及整合 HBM 的 AI 半导体。

   与传统封装技术不同,SoW - X 的关键在于直接连接晶圆上的存储器和系统半导体,无需使用现有封装工艺中的基板(PCB)或硅中介层。芯片之间的连接通过在芯片底部形成的精细铜重分布层(RDL)实现,RDL 延伸到芯片外部,台积电称之为 InFO(Integrated Fan - Out)。

     SoW - X 的强大性能与优势


   由于 SoW - X 利用了整片晶圆,能够生产超大尺寸的 AI 半导体。根据台积电公布的数据,SoW - X 集成了多达 16 个高性能计算芯片和 80 个 HBM4 模块,总内存容量达到 3.75 TB(兆兆字节),带宽达到 160 TB/s。

   在性能方面,与使用相同数量计算芯片的现有 AI 半导体集群相比,SoW - X 可降低 17% 的功耗,并提高 46% 的性能。台积电解释说,由于每个芯片之间具有出色的连接性和低功耗,SoW - X 的每瓦(W)整体性能比现有的 AI 半导体集群提高了约 1.7 倍。通过集成更多的系统半导体和 HBM,系统功率效率得到提高,并且可以消除现有基板连接的困难。

      SoW - X 技术的市场前景与挑战


   台积电评价 SoW - X 是超越业界标准的创新技术平台,并宣布将瞄准下一代高性能计算和 AI 产业。然而,也有人指出,SoW - X 技术短期内不会对 AI 内存市场产生重大影响。尽管 HBM 负载高达 80%,但目前对超大容量 AI 半导体的需求有限。

    事实上,SoW - X 的前身 SoW 于 2020 年推出,目前仅有少数客户采用其进行量产,其中包括特斯拉和 Cerebras。一位半导体业内人士表示,与特斯拉超级计算 “Dojo” 专用的 “D1” 芯片一样,SoW - X 作为一项完全定制芯片技术,适合利基市场。由于涉及的芯片数量众多,技术难度极高,很难立即取代流行的 AI 半导体封装技术。
关键词:台积电 HBM 4

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