根据外媒报道，
半导体行业三大巨头台积电、
英特尔和三星在 2nm 工艺上的竞争备受关注。预计这三家公司将在 2025 年下半年分别推出各自的 2nm 工艺技术，目前虽尚未公布 2 纳米制程的批量出货量，但已有分析师对其良率情况进行了披露。
良率是衡量
芯片制造效率的关键指标，指的是从一片晶圆中产出的可用芯片的百分比。博客 Semiecosystem 消息，KeyBanc Capital Markets 分析师 John Vinh 在研究报告中指出，从良率来看，目前台积电处于领先地位，其次是英特尔，是三星。
具体而言，英特尔 18A 工艺的良率已从上一季度的 50% 提高至 55%，相比之下，三星的 2nm 工艺（SF2）良率约为 40%，而台积电的 N2 工艺良率目前达到了 65%。不过，英特尔仍有希望在 2025 年底推出
Panther Lake，并使英特尔代工服务（IFS）以 65 - 70% 的比例进入量产，从而领先于三星代工厂。届时，台积电 N2 良率将达到更高的 75%。
此外，
Intel 18A - P 改进版工艺预计 2026 年下半年投入量产。John Vinh 表示，如果英特尔能达成一系列关键绩效指标（KPI），公司业绩很可能会远超预期，这也将提振外界对英特尔代工未来发展的信心。他还认为，英特尔不会在 18A - P 上放弃对外代工，因为下一个节点 Intel 14A 预计要到 2027 / 2028 年之交才能投入量产。
三星方面，正在大力押注其 2nm 芯片制造技术。据朝鲜商业报道，三星已设定内部目标，即到 2025 年底实现 2nm 工艺的 70% 良率，以扭转代工部门不断增加的亏损局面，并与台积电展开更有效的竞争。随着三星准备于 2026 年在德克萨斯州泰勒市投产新的晶圆制造厂，其面临的压力也与日俱增。分析师警告称，如果这座耗资 170 亿美元的美国工厂无法获得大客户来填补产能，三星代工部门的亏损可能会影响公司的整体盈利能力。
目前，三星 2nm 工艺良率预估不到 30%，行业观察人士认为，未来六个月内三星能否将良率提升至 60% - 70% 之间，以及能否满足客户对芯片性能和成本的期望，至关重要。尽管三星内部认为早期 2nm 工艺的良率将领先于此前的节点，但该公司能否在工艺成熟度、生产效率和客户满意度方面匹敌台积电，仍存在不确定性。
在战略方面，三星在近的内部审查中选择优先开发 2 纳米工艺，而非更具实验性的 1 纳米级技术。这一决定得到了三星设备解决方案领导层的支持，标志着公司将转向更具针对性、风险管理更严格的路线图。三星在 SAFE 2025 活动上公布修订战略，推迟 1.4 纳米技术的推出，转而优化 2 纳米工艺。业内人士表示，这反映出未来两到三年，先进 AI 芯片的需求将主要集中在 2 纳米节点上。
