韩国《经济论坛报》报道称，苹果公司最近与日本铠侠（Kioxia）签署了一项NAND闪存的长期供应协议（LTA），市场观察人士认为铠侠是最有可能的供应商。目前尚未披露交易对手...
分类：业界动态 时间：2026/9/8 阅读：2579 关键词：NAND
NAND Flash正迎来近年最强劲的一轮景气反转。 市调机构 Counterpoint Research 最新数据显示，受产品价格大幅上涨带动，2026年第二季度全球NAND Flash市场营收达到近年...
分类：业界动态 时间：2026/9/7 阅读：3314 关键词：NAND
日本存储芯片制造商铠侠控股公司于周四公布了一项战略性计划，试图借助增强型 NAND 闪存来替代传统的 DRAM，这一举措旨在加强与美国主要科技公司之间的合作关系，同时有效...
分类：业界动态 时间：2026/9/4 阅读：7280 关键词：铠侠
AI 时代存储变革：三星超 400 层 V - NAND 引领 3D NAND 新方向
存储领域再度成为半导体产业的核心竞争战场。过去几年，GPU、HBM 和先进封装是行业焦点，但随着推理成为 AI 基础设施的主要负载，企业级 SSD 作为承载海量 Token、向量数据...
分类：业界动态 时间：2026/8/31 阅读：5217 关键词：三星
Sandisk闪迪亮相FMS 2026，展示面向AI推理时代的NAND创新技术
Sandisk闪迪公司在FMS 2026(FMS 26)现场展示了创新NAND技术，为下一阶段的人工智能（AI）基础设施发展注入动力。随着模型规模扩大、上下文窗口延长以及智能体应用爆发，容量、带宽和能效正面临空前的需求，内存与存储对AI的性能和大规模...
时间：2026/8/26 阅读：152 关键词：Sandisk
长江存储控股股份有限公司（以下简称：长江存储）的 IPO 辅导状态已正式转变为 “辅导验收”。辅导券商中信证券与中信建投向湖北证监局提交了《辅导工作完成报告》，这一举...
分类：名企新闻 时间：2026/8/20 阅读：5988 关键词：长江存储
在人工智能（AI）技术蓬勃发展的当下，日本 NAND 闪存行业第三大厂商铠侠（Kioxia）正积极瞄准下一代 AI NAND 市场。该公司计划在今年陆续量产针对 AI 数据中心和终端 AI ...
分类：业界动态 时间：2026/8/4 阅读：4613 关键词：NAND
TrendForce集邦咨询2026年7月全球NAND Flash行业报告及2026-2027年位元需求占比预测数据，梳理行业需求结构变迁，剖析供给约束、国产产能、库存周期与价格行情的周期博弈。...
分类：业界要闻 时间：2026/7/23 阅读：50457
两轮翻倍上涨！SLC NAND上半年涨130%-150%，下半年涨幅或突破170%
TrendForce集邦咨询最新调研指出，SLC NAND正在迎来一轮前所未有的紧缺行情。随着高端高层数3D NAND持续挤占成熟制程产能，叠加海外大厂逐步退出小容量SLC、MLC赛道，原本...
分类：业界动态 时间：2026/7/16 阅读：5515
SK海力士今年将推出375层NAND闪存，未来几年还将推出480层/604层后续产品。 SK海力士和三星正在竞相研发NAND闪存层数最多的产品。三星的目标是突破400层，其双层堆叠解...
分类：业界动态 时间：2026/6/15 阅读：4964 关键词：存储芯片
NOR Flash 与 NAND Flash 是当今电子领域两种主流的非易失性存储器，即使在断电的情况下，它们也能确保数据不会丢失。这两种存储器虽然均基于浮栅晶体管结构，但在设计、性能和应用场景上存在显著差异。 存储结构和访问方式 NOR Fl...
基础电子 时间：2026/5/9 阅读：351
1. ONFI 是什么？ONFI（Open NAND Flash Interface，开放NAND闪存接口）是一个由英特尔、美光、海力士等厂商联合制定的标准化NAND闪存接口协议，旨在统一不同厂商的NAND闪存通信规范，解决早期NAND闪存兼容性问题。 2. 为什么需要ONFI...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：1064
NAND Flash 和 SD NAND 存储扇区架构的对比
NAND Flash 与 SD 卡（SD NAND）作为两种广泛应用的存储介质，其存储扇区分配表在设计原理上存在诸多相似之处，但受制于不同的结构特性与应用场景，两者亦呈现出显著的差异。米客方德凭借深厚的技术积累与专业洞察，为您深度剖析 NAND Fl...
基础电子 时间：2025/5/13 阅读：565
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片）、FTL（闪存转换层...
基础电子 时间：2025/4/30 阅读：2675
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：888
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：1053
串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比，串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI)，信号传...
基础电子 时间：2023/7/20 阅读：968
具有 AND/NAND、OR/NOR 和 XOR/XNOR 功能的输入光开关的通用光电逻辑元件
虑光电逻辑元件AND、OR、XOR，当施加输入控制信号时，其输出信号可以反转，从而将逻辑元件转换为NAND、NOR、XNOR。 在各种各样的逻辑芯片中，有一些已知的芯片，其电源可以通过将控制信号馈送到芯片的输入之一来打开或关闭。 下面...
设计应用 时间：2023/5/4 阅读：656
嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素：使用哪种类型的闪存架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要纠错码（ECC）等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口，这会限制选项，因此内存可能很容易选择。然而，通常情况...
基础电子 时间：2023/3/13 阅读：1288
SLC、MLC、TLC 和 QLC NAND SSD 之间的区别
如果你想要一个顶级系统，尤其是用于游戏或内容创作，那么 SSD 是绝对必要的。然而，在你去寻找之前，你应该知道要寻找什么。有多种不同类型的 SSD。就基本的 SSD 存储单元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受欢迎的，不过...
基础电子 时间：2022/8/18 阅读：1356
