SanDisk企业级NAND将涨价100%！需全额现金预付、AI需求推动储存全面上涨
存储行业正迎来一场前所未有的风暴。据供应链权威消息，闪迪（SanDisk）近期向客户提出颠覆性供货条款：要求企业客户支付100%现金预付款，方可锁定未来1至3年的NAND闪存芯片供应配额。这一打破行业惯例的"全款锁单"模式，叠加企业级SSD价...
分类：业界要闻 时间：2026/1/12 阅读：39102
NOR Flash涨价！普冉股份并购协同扩展2D NAND溢价
存储芯片全面涨价潮开启 近期存储芯片市场迎来涨价超级周期，继DRAM和NAND涨价后，NOR Flash价格以10%起跳的幅度强势攀升，部分32Mb/64Mb/128Mb型号一个月内涨幅超30%。...
分类：业界要闻 时间：2025/11/12 阅读：38236 关键词：普冉股份
11月伊始，全球存储市场掀起轩然大波。据最新报道，闪存行业巨头闪迪(SanDisk)在11月对NAND闪存合约价格实施了高达50%的惊人涨幅，这一远超市场预期的调价举措立即在整个存储产业链引发连锁反应。 此次涨价是闪迪今年以来至少第三次大...
分类：业界动态 时间：2025/11/10 阅读：1872 关键词：NAND闪存
三星将FinFET制程导入NAND Flash闪存生产，开启存储技术新纪元
2025年10月，三星电子在SEDEX2025峰会上宣布了一项震撼半导体行业的重大技术突破——计划将鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术应用于NAND Flash闪存生产。这一创举标志着存储技术即将迎来革命性变革，为人工智能时代的数据存储需求提供了全...
分类：业界动态 时间：2025/10/28 阅读：972 关键词：三星
SK 海力士开启 321 层 QLC NAND 闪存量产新篇章
海力士此次全球率先完成 300 层以上的 QLC NAND 闪存开发，该产品拥有现有的 NAND 闪存产品中最高的集成度。为了提升成本竞争力，SK 海力士将其开发为容量相较于现有产品翻倍的 2Tb 产品。然而，一般情况下，NAND 闪存容量越大，单元中储...
分类：名企新闻 时间：2025/8/25 阅读：282 关键词：SK 海力士
美光宣布在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发计划，其中包括备受瞩目的 UFS5（第五代通用闪存存储）项目。美光公司解释称，移动 NAND 产品在市场上的财务表现持续低...
分类：名企新闻 时间：2025/8/14 阅读：658 关键词：美光
据媒体报道，8 月 11 日美国存储大厂美光科技在中国区启动了裁员行动。此次裁员主要涉及国内嵌入式团队研发、测试以及 FAE/AE 等支持部门，上海、深圳等多地员工受到影响。...
分类：名企新闻 时间：2025/8/13 阅读：809 关键词：美光
据产业链相关消息，8 月 11 日，美光（Micron）在中国区启动了裁员行动。此次裁员主要涉及国内嵌入式团队的研发、测试以及 FAE/AE 等支持部门，上海、深圳等多地的员工受到影响。 针对这一情况，美光方面做出了回应。美光表示，鉴于移...
根据媒体报道，三星内存业务执行副总裁 Hwaseok Oh 在活动中表示，公司正全力重新开发 Z-NAND，目标是让其性能达到传统 NAND 闪存的 15 倍，同时将功耗降低多达 80%。即将推出的 Z-NAND 一代将采用 GPU 发起的直接存储访问（GIDS）技术，...
分类：名企新闻 时间：2025/8/11 阅读：762 关键词：三星
2025 Q3 NAND Flash 涨价板上钉钉，低容量产品涨幅或超 15%
随着 2025 年下半年电子传统旺季的来临，NAND Flash 市场迎来了价格的显著变化。业界最新预测显示，第三季度 NAND Flash 涨价已成定局，市场格局将发生重大改变。 价格...
分类：业界动态 时间：2025/7/17 阅读：774
1. ONFI 是什么？ONFI（Open NAND Flash Interface，开放NAND闪存接口）是一个由英特尔、美光、海力士等厂商联合制定的标准化NAND闪存接口协议，旨在统一不同厂商的NAND闪存通信规范，解决早期NAND闪存兼容性问题。 2. 为什么需要ONFI...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：646
NAND Flash 和 SD NAND 存储扇区架构的对比
NAND Flash 与 SD 卡（SD NAND）作为两种广泛应用的存储介质，其存储扇区分配表在设计原理上存在诸多相似之处，但受制于不同的结构特性与应用场景，两者亦呈现出显著的差异。米客方德凭借深厚的技术积累与专业洞察，为您深度剖析 NAND Fl...
基础电子 时间：2025/5/13 阅读：427
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片）、FTL（闪存转换层...
基础电子 时间：2025/4/30 阅读：2376
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：702
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：839
串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比，串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI)，信号传...
基础电子 时间：2023/7/20 阅读：879
具有 AND/NAND、OR/NOR 和 XOR/XNOR 功能的输入光开关的通用光电逻辑元件
虑光电逻辑元件AND、OR、XOR，当施加输入控制信号时，其输出信号可以反转，从而将逻辑元件转换为NAND、NOR、XNOR。 在各种各样的逻辑芯片中，有一些已知的芯片，其电源可以通过将控制信号馈送到芯片的输入之一来打开或关闭。 下面...
设计应用 时间：2023/5/4 阅读：534
嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素：使用哪种类型的闪存架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要纠错码（ECC）等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口，这会限制选项，因此内存可能很容易选择。然而，通常情况...
基础电子 时间：2023/3/13 阅读：895
SLC、MLC、TLC 和 QLC NAND SSD 之间的区别
如果你想要一个顶级系统，尤其是用于游戏或内容创作，那么 SSD 是绝对必要的。然而，在你去寻找之前，你应该知道要寻找什么。有多种不同类型的 SSD。就基本的 SSD 存储单元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受欢迎的，不过...
基础电子 时间：2022/8/18 阅读：1199
基于NAND FLASH控制器的自启动方式实现SOC系统的设计
1、引 言 随着消费类电子产品包括PDA，MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大，产品间的竞争也愈发激烈，降低产品的设计成本，提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统...
设计应用 时间：2020/5/20 阅读：674
