SK海力士推出首款300层NAND闪存产品，威胁三星电子在存储半导体行业的领先地位。三星电子在高带宽内存（HBM）技术和最近的 DRAM 技术方面被评价为被超越，但在 NAND 堆叠竞...
SK海力士宣布量产全球首款321层NAND闪存。据新闻稿称，该公司将从 2025 年 1 月开始向客户提供 321 高 1TB 容量的 NAND 闪存。 SK 海力士的 321 层高 NAND 闪存基于该公...
分类：名企新闻 时间：2024/11/22 阅读：395 关键词：SK海力士
据digitimes引述行业供应链消息人士消息透露，三星电子和铠侠均计划在第四季度缩减其 NAND 闪存产量。这表明，尽管对人工智能的需求强劲，但整体需求令人失望。... 据行...
分类：业界动态 时间：2024/10/30 阅读：204 关键词：NAND闪存
Kioxia - 铠侠携3D NAND闪存荣获FMS终身成就奖
NAND闪存的发明者铠侠株式会社荣获2024年FMS（Future of Memory and Storage，全球闪存峰会）终身成就奖。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido、Hiroyasu Tanaka组成的铠侠工程团队，将接受这一殊荣，以表彰其在...
时间：2024/8/7 阅读：72 关键词：铠侠
2023 年对三星来说是糟糕的一年，因为芯片的需求随着芯片价格的下降而下降。该公司的摇钱树历史上首次出现亏损。受此影响，三星电子的利润创下近年来最低水平。不过，预计...
分类：业界动态 时间：2024/3/14 阅读：516 关键词：NAND闪存芯片
TrendForce：预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存价格将上涨18-23%
TrendForce预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存（eMMC/UFS）价格将上涨18-23%。如果品牌客户在压力下恐慌性抢购，这种上涨可能会进一步放大。 随着库存达到最低点以...
据业内消息人士称，西部数据已通知客户，未来几个季度 NAND 闪存的价格可能上涨高达 55%。 这是自西部数据计划合并或拆分动态以后首次在市场和价格方面进行调整。 西...
分类：业界动态 时间：2023/12/8 阅读：465 关键词：NAND闪存
在我们了解铠侠的故事之前，让我们先总结一下内存市场的现状。根据世界半导体市场统计（WSTS），2022年全球存储器市场规模为1298亿美元，其中DRAM将占778亿美元（占存储器...
分类：业界动态 时间：2023/10/8 阅读：480 关键词：NAND闪存
根据外媒消息，NAND价格已触底，知名分析师分析师郭明錤日前发文，三星8月涨价，美光9月调涨NAND Flash晶圆合约价，将在10%左右。据CFM闪存市场数据显示， 近一周512Gb TL...
分类：业界动态 时间：2023/9/7 阅读：295 关键词：NAND闪存
据台媒报道，三星电子将在今年第二季度将其NAND产能调整为每月62万片12英寸晶圆。与去年第四季度相比，该数字减产了 5.34%。 特别是在第二季度，这家韩国半导体巨头在西...
分类：名企新闻 时间：2023/4/20 阅读：600 关键词：三星电子
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：399
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：500
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC...
技术方案 时间：2017/6/27 阅读：1321
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪...
设计应用 时间：2016/7/13 阅读：3630
导读：日前，东芝公司（简称“Toshiba”）宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，符合的e·MMC标准。 ...
新品速递 时间：2013/11/6 阅读：1643
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC...
设计应用 时间：2011/1/20 阅读：2093
目前，针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File S...
设计应用 时间：2010/9/1 阅读：2505
Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块，是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容，设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份，批量生产将在2010年第
新品速递 时间：2010/7/7 阅读：3291
NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪...
基础电子 时间：2010/6/8 阅读：4166
0 引 言 闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间...
设计应用 时间：2010/5/19 阅读：3245
