根据中国电子报报道，随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展，市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高，各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发，越来越多有关...
分类：业界动态 时间：2025/3/3 阅读：59 关键词：NAND闪存
三星、SK海力士将在2025Q1减产：NAND闪存产量至少削减10%
根据报道，NAND闪存市场将在2025年面临需求疲软与供过于求的双重挑战。三星、SK海力士、美光等主要NAND闪存生产商已计划在2025年实施减产措施。 其中，三星已决定减少西...
分类：业界动态 时间：2025/2/13 阅读：424 关键词：NAND闪存
继美光、三星、Kioxia后，又一存储大厂宣布减产NAND闪存10%
据The Elec报道，由于供应过剩，NAND闪存价格已经连续四个月下跌。SK海力士的NAND闪存总生产能力为每月30万片晶圆，此次减产将有助于缓解市场上的库存压力，并稳定NAND闪存...
分类：业界动态 时间：2025/1/17 阅读：4519 关键词：NAND闪存
据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。 DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月...
分类：业界动态 时间：2025/1/13 阅读：191 关键词：三星
SK海力士推出首款300层NAND闪存产品，威胁三星电子在存储半导体行业的领先地位。三星电子在高带宽内存（HBM）技术和最近的 DRAM 技术方面被评价为被超越，但在 NAND 堆叠竞...
SK海力士宣布量产全球首款321层NAND闪存。据新闻稿称，该公司将从 2025 年 1 月开始向客户提供 321 高 1TB 容量的 NAND 闪存。 SK 海力士的 321 层高 NAND 闪存基于该公...
分类：名企新闻 时间：2024/11/22 阅读：436 关键词：SK海力士
据digitimes引述行业供应链消息人士消息透露，三星电子和铠侠均计划在第四季度缩减其 NAND 闪存产量。这表明，尽管对人工智能的需求强劲，但整体需求令人失望。... 据行...
分类：业界动态 时间：2024/10/30 阅读：237 关键词：NAND闪存
Kioxia - 铠侠携3D NAND闪存荣获FMS终身成就奖
NAND闪存的发明者铠侠株式会社荣获2024年FMS（Future of Memory and Storage，全球闪存峰会）终身成就奖。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido、Hiroyasu Tanaka组成的铠侠工程团队，将接受这一殊荣，以表彰其在...
时间：2024/8/7 阅读：94 关键词：铠侠
2023 年对三星来说是糟糕的一年，因为芯片的需求随着芯片价格的下降而下降。该公司的摇钱树历史上首次出现亏损。受此影响，三星电子的利润创下近年来最低水平。不过，预计...
分类：业界动态 时间：2024/3/14 阅读：536 关键词：NAND闪存芯片
TrendForce：预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存价格将上涨18-23%
TrendForce预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存（eMMC/UFS）价格将上涨18-23%。如果品牌客户在压力下恐慌性抢购，这种上涨可能会进一步放大。 随着库存达到最低点以...
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：418
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：553
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC...
技术方案 时间：2017/6/27 阅读：1331
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪...
设计应用 时间：2016/7/13 阅读：3656
导读：日前，东芝公司（简称“Toshiba”）宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，符合的e·MMC标准。 ...
新品速递 时间：2013/11/6 阅读：1651
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC...
设计应用 时间：2011/1/20 阅读：2109
目前，针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File S...
设计应用 时间：2010/9/1 阅读：2517
Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块，是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容，设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份，批量生产将在2010年第
新品速递 时间：2010/7/7 阅读：3300
NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪...
基础电子 时间：2010/6/8 阅读：4210
0 引 言 闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间...
设计应用 时间：2010/5/19 阅读：3254
