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内存芯资讯

SK海力士豪掷19万亿韩元建设P&T7工厂 加速AI内存芯片布局

韩国存储芯片巨头SK海力士于2026年1月13日宣布,将在忠清北道清州市投资19万亿韩元(约合909.91亿元人民币)建设第七座后端晶圆厂P&T7,专注HBM等AI内存的封装与测试需...

分类:业界要闻 时间:2026/1/14 阅读:1652

三星电子CEO预警内存芯片

全球科技产业正面临一场严峻的供应链考验。三星电子联席CEO卢泰文近日罕见发声,直言当前内存芯片短缺状况"前所未有",这场危机已从智能手机蔓延至整个消费电子领域。作为...

分类:业界动态 时间:2026/1/5 阅读:4662

三星内存芯片价格暴涨60%!手机电脑或将迎来全面涨价潮

2025年11月16日,全球科技行业迎来重磅消息——三星电子正式宣布大幅上调内存芯片价格,部分产品涨幅高达60%,创下近年来最高记录。这一轮涨价风暴将直接波及智能手机、PC...

分类:业界要闻 时间:2025/11/17 阅读:38306 关键词:三星内存

美光能效超三星 20%,成英伟达 SOCAMM 内存芯片首位供应商

据媒体报道,英伟达已选定美光科技作为其下一代内存解决方案SOCAMM的首家供应商。  (小型压缩附加内存模块)是一种专为数据中心AI服务器设计的新型高性能、低功耗内存。...

分类:业界动态 时间:2025/6/18 阅读:441 关键词:美光三星英伟达

软银英特尔合作,研发低能耗新型 AI 内存芯片

根据媒体报道,英特尔,近日宣布达成一项具有重大意义的战略合作 —— 共同开发一款具有划时代意义的 AI 专用内存芯片。这一合作旨在突破当前 AI 计算面临的能耗瓶颈,若研发成功,有望将芯片功耗降低 50%,这无疑将为全球 AI 基础设施建...

分类:业界动态 时间:2025/6/3 阅读:338 关键词:软银英特尔

软银英特尔联合打造全新 AI 内存芯片,节能效果显著

据 IT 之家 6 月 2 日消息,日经亚洲 31 日报道称,软银正携手英特尔开发一种全新的 AI 专用内存芯片,该芯片的耗电量有望大幅低于当前芯片,这一合作项目为日本构建节能高...

分类:业界动态 时间:2025/6/3 阅读:419 关键词:英特尔AI内存芯片

SK 海力士一季度利润猛涨 158%,或成 AI 内存芯片新领军者

根据媒体报道,韩国内存行业的巨头 SK 海力士公布了 2025 年第一季度财报,其业绩表现十分亮眼。Q1 营业利润达到 7.44 万亿韩元(约合 52 亿美元),与去年同期相比大幅增...

分类:名企新闻 时间:2025/4/25 阅读:382 关键词:SK 海力士

美光科技内存芯片价格暴跌

美光科技周三预测第二季度业绩将低于华尔街预期,原因是用于手机和个人电脑的内存芯片价格下跌影响了盈利,导致该公司股价在盘后交易中下跌 17.2%。  DRAM 芯片市场为总...

分类:业界动态 时间:2024/12/19 阅读:471 关键词:内存芯片

人工智能,内存芯片营收有所增长,其他芯片普遍下滑

WSTS 2024 年 12 月预测预计 2024 年半导体市场将强劲增长 19%。然而,实力仅限于少数产品线。预计 2024 年内存将增长 81%。逻辑预计将增长 16.9%。  Semiconductor Inte...

分类:业界动态 时间:2024/12/13 阅读:751 关键词:内存芯片人工智能

SK 海力士计划投资 746 亿美元加强其内存芯片业务

SK 海力士占据 DRAM 市场 35% 的份额,该公司计划在未来三年投资 103 万亿韩元(约合 746 亿美元),进一步加强对内存业务的控制,同时更加关注人工智能技术。这项投资是该...

分类:名企新闻 时间:2024/7/1 阅读:421 关键词:SK 海力士

内存芯技术

尔必达申明40nm制程2Gb DDR3内存芯片成功开发

尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM内存芯片的研发工作,今年11月份这种芯片将进入送样阶段,年底前则可实现正式批量供货。据集成电路设计行业的消息来源称,预见到SDRAM内存将出现供应短缺的局面,台湾地区集成电路...

其它 时间:2011/9/2 阅读:1714

内存芯片参数介绍

具体含义解释:例:SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义:第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。第2位——芯片类型4,代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容

基础电子 时间:2008/8/11 阅读:6643

富士通两款2Mbit FRAM内存芯片上市

富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市,该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1697

Fujitsu新型2Mbit FRAM内存芯片供货上市

富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市,该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低

新品速递 时间:2007/11/21 阅读:1689

美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片

美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上,面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4GbNAND闪存芯片捆绑在一起,构成强

新品速递 时间:2007/11/20 阅读:1642

内存芯片封装技术的发展

随着计算机芯片技术的不断发展和成熟,为了更好地与之相配合,内存产品也由后台走出,成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分,内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封...

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:2524

内存芯片封装技术“三级跳”

芯片的封装技术种类多种多样,诸如DIP、PQFP、TSOP、TSSOP、PGA、BGA、QFP、TQFP等等。芯片的封装技术已历经好几代的变迁,技术指标一代比一代先进,如芯片面积与封装面积之比越来越接近,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,引脚数增

基础电子 时间:2004/12/13 阅读:2341

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